公开(公告)号：CN117099184A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280024660.6

申请日：2022-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  石崎顺也 ,  大槻刚

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体晶圆的制造方法，所述氮化物半导体晶圆在单晶硅基板上形成氮化物半导体膜，该方法包括：在所述单晶硅基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；以及将1×1014/cm2以上的照射量的电子束照射至所述单晶硅基板的工序。由此，提供一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其在使氮化物半导体膜形成在单晶硅基板上而获得的氮化物半导体晶圆中，改善了由基板所造成的损失及第2高次谐波的特性。

公开(公告)号：CN115917766A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180042491.4

申请日：2021-06-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L31/18 ,  H01L33/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明是一种接合型半导体元件，其为将外延层以及与该外延层为不同材料的支撑基板接合而成，其特征在于，所述外延层以及所述支撑基板中的任一方在接合面具有由以任意点为中心呈放射状扩展的凹部或凸部构成的放射状图案。由此，能提供一种接合型半导体元件，其能抑制温度的上升、下降所致的剥离或损坏的发生。

公开(公告)号：CN115315781A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180023402.1

申请日：2021-03-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种接合晶圆的制造方法，其是将通过使化合物半导体在生长基板上外延生长而成的化合物半导体晶圆与被接合晶圆接合的接合晶圆的制造方法，其特征在于，使所述被接合晶圆的接合面的面积大于所述化合物半导体晶圆的接合面的面积，且将所述被接合晶圆与所述化合物半导体晶圆接合后，去除所述生长基板。由此，能够提供一种可抑制裂纹的产生的接合晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN113692651A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202080026889.4

申请日：2020-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾 ,  秋山智弘

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0735 ,  H01L21/02 ,  H01L27/142

Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。

公开(公告)号：CN110249435A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009144.X

申请日：2018-02-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种发光元件，该发光元件包含窗层兼支撑基板、以及设置于该窗层兼支撑基板上且发光波长相异的多个发光部，其中，该多个发光部均具有按照第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层的顺序所形成的构造，且具有除去该第一半导体层或该第二半导体层、及该活性层的除去部、以及该除去部以外的非除去部，还具有设置于该非除去部的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的第二欧姆电极。由此，提供一种将发光波长相异的多个发光部形成于一个发光元件，且适合窄间距的发光元件阵列的发光元件。

公开(公告)号：CN107851699B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201680042450.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/30

Abstract: 一种发光组件的安装方法，于起始基板上，以起始基板相晶格匹配系材料，通过磊晶成长依序形成第一半导体层、活性层、第二半导体层及缓冲层；于缓冲层上，以对于起始基板为非晶格匹配系材料，通过磊晶成长形成窗层兼支承基板；去除起始基板；于第一半导体层上形成第一欧姆电极；于部分形成露出第二半导体层、缓冲层或窗层兼支承基板的除去部而设置段差；于除去部形成第二欧姆电极；分离形成有第一及第二欧姆电极的发光组件而制作发光组件芯片，以及于安装基板覆晶安装发光组件芯片，使发光组件芯片的形成第一及第二欧姆电极侧为安装基板侧。

公开(公告)号：CN101454908B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780019441.4

申请日：2007-05-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木由佳里 ,  池田淳 ,  石崎顺也 ,  池田俊一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02576 ,  H01L24/05 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明的发光元件(100)具有发光层部(24)，其具有依次积层AlGaInP所分别构成之n型包覆层(4)、有源层(5)及p型包覆层(6)的双异质结构；且以部分覆盖第一主表面侧为p型、第二主表面侧为n型之贴合对象层(50)第一主表面的形式，形成光取出侧电极(9)。又，在该贴合对象层(50)的第二主表面贴合由III-V族化合物半导体所构成之n型透明元件基板(90)(能带间隙能量大于有源层)。接着，在透明元件基板与贴合对象层(50)中至少一个上形成贴合面，使得两者贴合，且形成贴合面侧形成有n型掺杂物Si浓化之高浓度Si掺杂层3d的InGaP中间层(3)。由此，本发明提供一种即使是在发光层部与透明导电性半导体基板之贴合面侧为n型，形成于贴合面侧之InGaP中间层以Si掺杂成n型时，可充分降低在贴合界面之元件串联电阻，也可谋求该切换反应性的发光元件。

公开(公告)号：CN100438088C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN02811083.8

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365 ,  C23C16/30

CPC classification number: C30B25/183 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/105 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0083

Abstract: 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1-xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1-xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1-xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。

公开(公告)号：CN1685532A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200380100151.4

申请日：2003-10-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/477 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/0095

Abstract: 在基板1的主表面上，层叠形成由该基板1所不含之In系化合物或Zn系化合物作为构成材料之多晶层或非晶态层之前段缓冲层2’，之后，在形成发光区域前，将该前段缓冲层2实施晶化用的热处理而形成缓冲层2。藉此，提供出能制造简便且可提高发光区域品质之Zn系半导体发光元器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1524299A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN02813536.9

申请日：2002-07-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06

Abstract: 在作为活性层或p型金属包层32的MgZnO层中插入与MgaZn1－aO型氧化物不同的显示p型导电性的p型氧化物层32b。据此构成，吸收与补偿电子的作用由MgZnO层中局部地存在的p型氧化物层担负，所以不须添加大量的p型掺杂剂，即可得到品质良好的p型或i型的MgaZn1－aO型氧化物，从而获得高发光效率的紫外线或蓝色发光型发光元件。又，通过使p型金属包层与n型金属包层的至少一方形成第一结晶层与第二结晶层的接合构造，可有效地对活性层注入载体，从而提高发光效率。前述第二结晶层在活性层的相反侧与前述第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。