公开(公告)号：CN106992133A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610878936.3

申请日：2016-10-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 安田浩之 ,  菅生道博 ,  田边正人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C08G77/38

CPC classification number: C09J7/24 ,  C08G77/52 ,  C09J5/00 ,  C09J5/06 ,  C09J7/22 ,  C09J7/243 ,  C09J7/35 ,  C09J125/06 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04 ,  C09J183/14 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2205/302 ,  C09J2423/041 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/67132 ,  C08G77/38 ,  H01L21/67092 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种暂时粘着方法，隔着暂时粘着材料将晶片暂时粘着至支撑体上，使用具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料作为所述材料。所述材料层具有：热塑性树脂层(A)，在25℃时储存弹性模量E’是1～500MPa，拉伸断裂强度是5～50MPa；热固化性聚合物层(B)，在25℃时固化后的E’是1～1000MPa，拉伸断裂强度是1～50MPa。所述方法包含：贴合步骤，将在表面使用液状组合物(A’)形成层(A)的晶片和通过层压薄膜状树脂(B’)形成层(B)的支撑体在减压下加热贴合，或将在表面形成层(A)且在层(A)上形成层(B)的晶片与所述支撑体在减压下加热贴合；热固化步骤，使所述层(B)热固化。

公开(公告)号：CN106318291A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610505786.1

申请日：2016-06-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田边正人 ,  菅生道博 ,  安田浩之

IPC: C09J153/02 ,  C09J183/04 ,  C09J183/07 ,  C09J183/05 ,  C09J7/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  B32B9/043 ,  B32B9/045 ,  B32B25/08 ,  B32B25/20 ,  B32B27/08 ,  B32B27/325 ,  B32B2255/26 ,  B32B2255/28 ,  B32B2264/105 ,  B32B2270/00 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/50 ,  B32B2457/08 ,  B32B2457/14 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08L83/00 ,  C09J109/06 ,  C09J183/04 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31133 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  C09J153/025 ,  C08L2205/025 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明提供晶片加工用临时粘合构件、晶片加工用层叠体以及薄晶片的制造方法。本发明的晶片加工用临时粘合构件为用于晶片加工的临时粘合构件，其包括热塑性树脂的第一临时粘合层(A)、热固性硅氧烷聚合物的第二临时粘合层(B)以及热固性聚合物的第三临时粘合层(C)。使用与层(B)邻接设置的层(A)中所含有的固化催化剂使层(B)固化。在不发生台阶覆盖不充分和其他缺陷的情况下，形成厚度均匀的粘接层。

公开(公告)号：CN106104765A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580014475.9

申请日：2015-03-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 菅生道博 ,  安田浩之 ,  田上昭平 ,  田边正人

IPC: H01L21/304 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J183/04 ,  C09J183/06 ,  C09J201/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/26 ,  B32B27/283 ,  B32B37/12 ,  B32B2037/1269 ,  B32B2250/03 ,  B32B2264/00 ,  B32B2264/02 ,  B32B2307/732 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/08 ,  B32B2457/14 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C09J7/201 ,  C09J7/203 ,  C09J7/30 ,  C09J7/401 ,  C09J7/403 ,  C09J7/50 ,  C09J183/04 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/10253

Abstract: 本发明是一种晶片加工用暂时粘着材料，其用于将表面具有电路面且背面需加工的晶片暂时粘着于支撑体上，所述晶片加工用暂时粘着材料的特征在于，具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，其能够可剥离地粘着于所述晶片的表面上，由非硅酮热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘着层，其积层于该第一暂时粘着层上，由热固化性硅氧烷聚合物层(B)构成；以及，第三暂时粘着层，其积层于该第二暂时粘着层上，并能够可剥离地粘着于所述支撑体上，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(C)构成。由此，提供一种晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料以及使用它们的薄型晶片的制造方法，所述晶片加工体，暂时粘着和剥离较为容易，CVD耐受性优异，能够提高薄型晶片的生产率。

公开(公告)号：CN113853423A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202080036909.6

申请日：2020-05-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 菅生道博 ,  田边正人 ,  田上昭平

IPC: C11D1/62

Abstract: 基板用临时粘接剂的清洗液包含四丁基氟化铵、二甲基亚砜、和溶解度参数为8.0以上且10.0以下、具有杂原子的液态化合物。优选在四丁基氟化铵、二甲基亚砜和液态化合物的合计100质量％中以1质量％以上且15质量％以下的量含有四丁基氟化铵。另外，优选在四丁基氟化铵、二甲基亚砜和液态化合物的合计100质量％中以5质量％以上且30质量％以下的量含有二甲基亚砜。

公开(公告)号：CN105470188B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201510624839.7

申请日：2015-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田上昭平 ,  菅生道博 ,  田边正人 ,  加藤英人

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J183/04

Abstract: 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。

公开(公告)号：CN110556329A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910477503.0

申请日：2019-06-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田边正人 ,  菅生道博

IPC: H01L21/683 ,  C08G77/44

Abstract: 本发明提供使用了用于将应加工背面的基板临时粘合至支撑体的基板加工用临时粘合膜的薄型基板的制造方法，其特征在于，所述临时粘合膜含有重均分子量为3,000～500,000的含硅氧烷键聚合物10质量％以上100质量％以下，其同时包括：(a)在基板的不是应加工面的表面或支撑体的至少任意一个面上层压所述临时粘合膜的工序；(b)在减压下进行接合的工序；(c)进行磨削或研磨来处理基板的工序；(d)使用酸或碱处理基板的工序；(e)实施其他加工的工序；(f)将实施了加工的基板从支撑体剥离的工序；(g)清洗基板的工序。由此，提供基板与支撑体的临时粘合容易且可酸、碱处理，与支撑体的剥离也容易的薄型基板的制造方法。

公开(公告)号：CN105470188A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510624839.7

申请日：2015-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田上昭平 ,  菅生道博 ,  田边正人 ,  加藤英人

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/02 ,  C09J183/04

Abstract: 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。