公开(公告)号：CN102301474A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006229.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田一 ,  蒲古欣尚 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  下津佐峰生

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/335

Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。

公开(公告)号：CN101510945A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910007448.5

申请日：2009-02-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典

IPC: H04N3/15 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H04N5/365 ,  H04N5/3741

Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置及其驱动方法。具有较少固定模式噪声和较少阴影的固态成像装置包括成像区域，在该成像区域中，多个像素电路被二维地布置，并且像素电路中的每一个包括：多个光电转换元件，所述多个光电转换元件中的每一个用于通过光电转换生成电荷并且用于累积所述电荷；单个浮动扩散部，用于累积所述电荷；多个传送开关，用于将所述电荷分别从所述多个光电转换元件传送到所述单个浮动扩散部；以及放大晶体管，用于对与由所述浮动扩散部累积的电荷对应的电压进行放大，其中，在将放大晶体管维持在激活状态的同时，所述多个传送开关将所述电荷从所述多个光电转换元件顺次传送到所述浮动扩散部。

公开(公告)号：CN101290943A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092645.7

申请日：2008-04-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 黑田享裕 ,  渡边高典

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14806 ,  H04N3/1506 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/365 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3741 ,  H04N5/37455

Abstract: 本发明公开一种光电转换装置和一种图像拾取设备。在光电转换装置中，多组单位像素被配置在阱中，其中，每一个单位像素包含光电转换元件、放大器晶体管和传输晶体管。光电转换装置包含用于给阱供给电压的线、用于将阱电压供给线连接到阱的阱接触部分以及用于控制传输晶体管的传输控制线。在单位像素组的各自区域中，传输控制线相对于阱电压供给线对称配置。

公开(公告)号：CN1627524A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410100705.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 让原浩 ,  三岛隆一 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  田村清一

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/0256 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。

公开(公告)号：CN117092684A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310545410.3

申请日：2023-05-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大泽和嵩 ,  渡边高典 ,  山口智奈

IPC: G01T1/24 ,  G01T1/29 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及放射线检测器和放射线成像系统。一种放射线检测器包括：像素阵列，其中像素以矩阵形状排列，每个像素具有被配置为将放射线转换为电荷的放射线检测元件和被配置为放大来自放射线检测元件的信号并输出经放大的信号的放大晶体管；以及针对每个像素列提供的信号布线，其中信号布线在平面视图中不与布置有放大晶体管的有源层重叠。

公开(公告)号：CN104241305B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410263602.6

申请日：2014-06-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  三木崇史 ,  饭田聪子 ,  小林昌弘 ,  岩田旬史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14806 ,  H01L31/186

Abstract: 本发明公开了光电转换设备以及光电转换设备的制造方法。示例性实施例为一种光电转换设备，其具有光电转换部和传送部。传送部传送光电转换部的电荷。光电转换部包括第一导电类型的第一和第二半导体区域。通过光电转换生成的电荷累积在第一和第二半导体区域中。根据示例性实施例的第一和第二半导体区域的结构或者它们的制造方法，可在提高光电转换部的灵敏性的同时提高电荷的传送效率。

公开(公告)号：CN102301476B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201080006235.1

申请日：2010-01-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泽山忠志 ,  广田克范 ,  渡边高典 ,  市川武史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种光电转换装置包括：n型表面区域；在表面区域下面形成的p型区域；和在p型区域下面形成的n型埋入层，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。

公开(公告)号：CN103579274A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310345012.3

申请日：2013-08-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩田旬史 ,  乾文洋 ,  渡边高典 ,  篠原真人

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置，包括：其中排列像素的像素部分，像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。

公开(公告)号：CN102301475B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201080006232.8

申请日：2010-01-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山下雄一郎 ,  渡边高典 ,  下津佐峰生 ,  市川武史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14672 ,  H01L27/14674 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/062

Abstract: 一种光电转换装置包括设置在半导体基板(5B)中的多个光电转换部分(51)，其中，各光电转换部分(51)包括：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域(107)；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分(102)，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域(102a)；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域(102b、102c)；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域(102d)。

公开(公告)号：CN101556961B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200910134814.3

申请日：2009-04-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14812 ,  H01L29/76808 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。在包括电荷保持部分的光电转换装置中，与构成所述电荷保持部分的半导体区域接触的元件隔离区域的一部分以与所述半导体区域相比等于或大于所述半导体区域的深度的级别从基准表面延伸到半导体衬底中，所述基准表面包括光电转换元件的光接收表面。