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公开(公告)号：CN110636794A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880029958.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供了一种在可以执行AEC的放射线成像装置中合适地确定照射结束定时方面有利的技术。放射线成像装置包括控制单元和被配置为检测放射线的传感器，其中，控制单元在放射线照射开始之后基于来自传感器的传感器信号产生指示放射线照射强度的稳定度的评估值，并且控制单元响应于评估值满足预定的条件而输出指示放射线照射强度已稳定的信号。
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公开(公告)号：CN106061088A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610212513.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/247 , G01N23/04 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14663 , H04N5/32 , H04N5/3696 , H04N5/378 , H05G1/28
Abstract: 公开了放射线成像装置和放射线成像系统。放射线成像装置包括：第一控制线，电连接到成像开关元件的控制电极；第二控制线，电连接到检测开关元件的控制电极；信号线，电连接到检测开关元件的主电极；电容线，与第一控制线和第二控制线不同，被布置成与信号线电容性耦合；驱动单元，电连接到第二控制线和电容线并且被配置为向检测开关元件和电容线施加电压；及控制单元，被配置为控制驱动单元在接通状态电压或关断状态电压被施加到检测开关元件的情况下向电容线施加具有与该电压的极性相反的极性的电压。
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公开(公告)号：CN103066083B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210404438.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14665
Abstract: 本发明提供一种检测设备和检测系统，检测设备包括：晶体管，其配置在基板上；转换元件，其配置在晶体管上并连接至晶体管；电容器，其与转换元件并联连接至晶体管，该电容器在基板和转换元件之间包括：连接至转换元件的欧姆接触部、连接至欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与半导体部和欧姆接触部相对的位置处的导电部；以及电势供给单元，用于向导电部选择性地供给第一电势以在半导体部中积累载荷子，以及向导电部选择性地供给第二电势以耗尽半导体部。由上述方式配置的检测设备能够控制像素的电容，从而实现高的信噪比。
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公开(公告)号：CN102540235B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201110364559.9
申请日：2011-11-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2002 , G01T1/2928 , H01L27/00 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14663 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和放射线检测系统。所述放射线检测装置包括闪烁体、光电转换单元和用于去除散射的放射线的格子。光电转换单元包含以二维阵列布置于基板上的多个像素。每个像素被配置为将从闪烁体输出的可见光转换成电信号。从放射线检测装置的放射线入射侧到其相对侧依次设置格子、基板、光电转换单元和闪烁体。在其中在放射线入射侧的相对侧设置闪烁体的该放射线检测装置中，散射的放射线被有效地去除。
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公开(公告)号：CN103715212A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310460126.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , A61B6/00
CPC classification number: H01L27/1462 , A61B6/461 , A61B6/563 , H01L27/146 , H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H01L27/14663 , H01L27/14683 , H01L27/14692
Abstract: 本发明涉及检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法。一种检测设备包括多个转换元件、层间绝缘层和覆盖层。多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。层间绝缘层被设置为覆盖多个开关元件并由有机材料构成，并且具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面。电极被设置在第一区域中的层间绝缘层的表面上。覆盖层被设置在第二区域中的层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103390623A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310165751.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L27/146 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14643 , H01L27/14663 , H01L27/14692
Abstract: 本公开涉及检测装置的制造方法、检测装置和检测系统。一种检测装置的制造方法，检测装置包括基板上的转换元件，每个转换元件包含第一电极与第二电极之间的半导体层以及半导体层与第二电极之间的杂质半导体层，该方法包括：相继形成半导体膜、杂质半导体膜和导电膜的膜形成步骤；部分地去除导电膜由此在第一电极上形成导电层的第一步骤；通过导电层之间的空间去除半导体膜和杂质半导体膜各自的一部分由此在第一电极上形成半导体层和杂质半导体层的第二步骤；以及去除导电层的与在第二步骤中形成的杂质半导体层的端部相比位于转换元件的更外侧的部分由此形成第二电极的第三步骤。
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公开(公告)号：CN103219349A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310020407.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: G09G5/003 , G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/3674 , G09G2300/0426 , G09G2310/0267 , G09G2310/0281 , G09G2310/0297 , G09G2330/021
Abstract: 本发明涉及一种矩阵基板、检测装置和检测系统，其中所述矩阵基板包括以行和列的矩阵形式进行设置的多个像素。在所述矩阵基板中，单元电路中所包括的晶体管的导通电压和非导通电压以驱动像素的频率的一半的频率被提供至控制线，其中，所述单元电路包括连接至多个连接端子的信号分离器，所述多个连接端子被设置为数量少于驱动线的数量，所述驱动线共同地连接至行方向上的多个像素并且在列方向上彼此并列设置，所述控制线连接至晶体管的控制电极。因而，提供了能够抑制连接端子的数量并减少耗电的矩阵基板。
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公开(公告)号：CN102885632A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210250693.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H04N5/3765 , H01L27/14609 , H01L27/14663 , H01L27/14692 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统。该检测装置包括：驱动电路单元，在所述驱动电路单元中，为多个对应的驱动线提供了多个单元电路，每个单元电路包括第一电路和第二电路，所述第一电路根据启动信号将像素的开关元件的基于时钟信号中所包括的电压的导通电压供给驱动线，所述第二电路根据终止信号将所述开关元件的非导通电压供给驱动线；和控制单元，所述控制单元将所述时钟信号供给所述驱动电路单元。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路，所述多个单元电路中的每个还包括第三电路，所述第三电路根据所述控制电压继续将非导通电压供给对应的驱动线。
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公开(公告)号：CN102751297A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210114879.3
申请日：2012-04-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14687
Abstract: 本发明涉及检测器的制造方法、放射线检测装置和放射线检测系统。提供一种用于在不伴随掩模数量的增加而增加成本或降低产量的情况下制造高性能平面型检测器的方法。该方法包括从在基板上沉积的第一导电膜形成第一电极和控制电极的第一步骤；在第一步骤之后依次沉积绝缘膜和半导体膜的第二步骤；在第二步骤之后依次沉积杂质半导体膜和第二导电膜并且从第二导电膜形成共用电极布线和第一导电部件的第三步骤；以及用同一掩模从在第三步骤之后形成的透明导电氧化物膜形成第二电极和第二导电部件并从杂质半导体膜形成杂质半导体层的第四步骤。
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公开(公告)号：CN102683367A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210064853.2
申请日：2012-03-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14665 , H01L27/14683
Abstract: 本申请涉及半导体装置及其制造方法。提供一种半导体装置，其包括基板、在基板上的像素阵列以及基板位于其之间的第一导电焊盘和第二导电焊盘。所述半导体装置还包括：绝缘层，其布置在基板与第一导电焊盘之间；第三导电焊盘，其布置在基板与绝缘层之间；第一导电部件，其穿过绝缘层并且将第一导电焊盘和第二导电焊盘彼此连接；和第二导电部件，其穿过基板并且将第二导电焊盘和第三导电焊盘彼此连接。所述像素阵列还包括导电线，所述导电线与包括在按行方向或列方向对齐的像素中的电路元件连接。第一导电焊盘在像素之间的间隔中与导电线连接。
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