公开(公告)号：CN102986009A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180004388.7

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  伊藤里美 ,  日吉透

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种制造SiC半导体装置的方法，所述方法包括：在SiC半导体的第一表面上形成第一氧化物膜的步骤(S4)；除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)；以及在所述SiC半导体中因除去所述第一氧化物膜而露出的第二表面上形成构成所述SiC半导体装置的第二氧化物膜的步骤(S6)。在所述除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)与所述形成第二氧化物膜的步骤(S6)之间，将所述SiC半导体布置在与环境气氛隔绝的气氛中。

公开(公告)号：CN102859697A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201280001187.6

申请日：2012-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  日吉透 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 碳化硅层外延形成在衬底（1）的主表面上。该碳化硅层设置有沟槽，该沟槽具有相对于主表面倾斜的侧壁（6）。侧壁（6）相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。栅极绝缘膜（8）设置在碳化硅层的侧壁（6）上。碳化硅层包括：体区（3），其具有第一导电类型，并且面对栅电极（9）且其间插入栅极绝缘膜（8）；以及一对区域（2、4），其通过体区（3）彼此分开并具有第二导电类型。体区（3）具有5×1016cm-3或更大的杂质密度。这使得在设定阈值电压时具有更大的自由度，同时能够抑制沟道迁移率的降低。

公开(公告)号：CN102804349A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180010027.3

申请日：2011-03-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明公开了具有包括沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。制造碳化硅半导体器件的方法包括：制备包含碳化硅的半导体膜的外延层形成步骤；在半导体膜的表面上形成氧化物膜的栅极绝缘膜形成步骤；在包含氮的气氛中，对其上形成有氧化物膜的半导体膜热处理的氮退火步骤；以及在氮退火步骤之后，在包含惰性气体的气氛中，对其上形成有氧化物膜的半导体膜执行后热处理步骤。后热处理步骤中采用的热处理温度（T2）高于氮退火步骤中采用的热处理温度（T1）且低于氧化物膜的熔点。

公开(公告)号：CN102439699A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022258.1

申请日：2010-04-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  玉祖秀人 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/768 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808

Abstract: 公开了一种碳化硅半导体器件，其当电极材料与内部互连的材料不同时，消除了在这些不同金属的接触界面处出现问题的可能性，并且具有甚至长期使用之后的高可靠性。该半导体器件提供有接触电极(16)，其接触碳化硅(14，18)；以及互连(19)，其与接触电极连接。接触电极(16)由含有钛、铝和硅的合金形成。互连(19)由铝或铝合金形成，并且通过接触所述接触电极来与所述接触电极相连接。

公开(公告)号：CN101647093B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880004747.7

申请日：2008-08-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真 ,  并川靖生 ,  增田健良

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1088

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法和因表面粗糙所引起的特性退化受到抑制的半导体装置，所述制造半导体装置的方法通过在热处理步骤中充分抑制晶片的表面粗糙而能够抑制因晶片表面粗糙所引起的特性退化。制造作为半导体装置的MOSFET的方法包括包括准备由碳化硅制成的晶片(3)的步骤和活化退火步骤，所述活化退火步骤通过加热所述晶片(3)来实施活化退火。在所述活化退火步骤中，在含产生自SiC片(61)的碳化硅蒸气的气氛中加热所述晶片(3)，所述SiC片(61)为不同于所述晶片(3)的发生源。

公开(公告)号：CN102171787A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201080002811.5

申请日：2010-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  增田健良

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T83/04 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种SiC衬底，其具有与 方向平行的第一取向平面(12)和第二取向平面(13)，所述第二取向平面(13)处于与所述第一取向平面(12)交叉的方向上且长度与所述第一取向平面(12)不同。本发明提供了另一种SiC衬底，其具有矩形平面形状，且所述衬底的主面包括与 方向平行的第一边、处于与所述第一边垂直的方向上的第二边、和将所述第一边连接到所述第二边的第三边。所述第三边在所述第一边延伸的方向上投影的长度与所述第三边在所述第二边延伸的方向上投影的长度不同。

公开(公告)号：CN102165595A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201080002761.0

申请日：2010-05-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET，该MOSFET能够实现为稳定的反向击穿电压以及降低的导通电阻，当以二维平面来看时，其分别包括n导电类型的SiC晶片、被形成为包括SiC晶片的第一主表面(20A)的p导电类型的多个p本体(21)和形成在由多个p本体(21)围绕的区域中的n导电类型的n+源区(22)。当以二维平面来看时，每个p本体(21)具有圆形形状，并且每个n+源区(22)被布置成与每个p本体(21)同心并且当以二维平面来看时具有圆形形状。当以二维平面图来看时，多个p本体(21)的每个被布置成位于正六边形的各顶点。

公开(公告)号：CN101536162B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200780040840.9

申请日：2007-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  增田健良

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明公开了一种制造SiC半导体装置的方法，该方法包括在SiC单晶体(4)的至少一部分表面中离子注入掺杂剂的步骤，在离子注入之后在SiC单晶体(4)的表面上形成Si膜(8)的步骤，以及将提供有Si膜(8)的SiC单晶体(4)加热至不低于Si膜(8)的熔化温度的温度的步骤。

公开(公告)号：CN101536192A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041672.5

申请日：2007-11-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供具有极好性能特性的碳化硅半导体器件及其制造过程。由Si形成的涂覆膜(M1)形成在4H－SiC衬底(10)上提供的初始生长层(11)上，以及在覆盖有涂覆膜(M1)的区域上形成扩大的台阶表面(15A)。接下来，去除涂覆膜(M1)，以及在初始生长层(11)上外延生长新生长层。在这种情况下，在初始生长层(11)中的扩大的台阶表面(15A)上生长由具有在低温时稳定的多形体的3C－SiC晶体形成的3C－SiC部(21a)。在具有窄带隙的3C－SiC部(21a)中设置诸如MOSFET等的沟道区域能够因为界面状态的减少而改善沟道迁移率，并且因而能够实现具有极好工作特性的碳化硅半导体器件的生产。

公开(公告)号：CN101536162A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040840.9

申请日：2007-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  增田健良

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明公开了一种制造SiC半导体装置的方法，该方法包括在SiC单晶体(4)的至少一部分表面中离子注入掺杂剂的步骤，在离子注入之后在SiC单晶体(4)的表面上形成Si膜(8)的步骤，以及将提供有Si膜(8)的SiC单晶体(4)加热至不低于Si膜(8)的熔化温度的温度的步骤。