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公开(公告)号：CN103597129B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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公开(公告)号：CN104662211A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046191.9
申请日：2013-08-30
CPC classification number: C30B19/10 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。
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公开(公告)号：CN103620094A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027428.4
申请日：2012-06-15
CPC classification number: C30B35/00 , C30B9/10 , C30B11/003 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B29/36 , Y10T117/1068 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明的目的在于提供能够对安装于籽晶轴的晶种高效地进行冷却的SiC单晶体的制造装置。该制造装置具备：坩埚（14），其用于容纳Si－C溶液（16）；以及籽晶轴（30），具有供SiC晶种（36）安装的下端面（34）。籽晶轴包括：内管（48），其在坩埚的高度方向上延伸，在自身内侧形成第1流路（60）；外管（50），其容纳内管，在该外管（50）与内管之间形成第2流路（SP1）；以及底部，其覆盖外管的下端开口且具有下端面。第1流路以及第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供冷却气体向上方流动的排出流路。从籽晶轴的轴向观察，SiC晶种的60%以上的区域与形成导入流路的管的内侧的区域重叠。
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公开(公告)号：CN108796609A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810370122.8
申请日：2018-04-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。
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公开(公告)号：CN105593414B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201480052509.9
申请日：2014-08-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598 , H01L21/02609 , H01L21/02628 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1‑100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104884683B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380068222.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B30/04 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 抑制每个制造批次的晶种的溶液接触位置的偏差，得到重复性好的高质量的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN104884683A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068222.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B30/04 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 抑制每个制造批次的晶种的溶液接触位置的偏差，得到重复性好的高质量的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN113539834A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110376723.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/38 , H01L21/40 , H01L21/426 , H01L21/477
Abstract: 本公开提供能够降低故障的风险的半导体元件的制造方法。本公开的制造方法是半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层且在上述氧化镓系单晶半导体层的表面上的没有层叠上述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂的半导体元件前驱体；及对上述半导体元件前驱体进行退火处理，由此，使上述掺杂剂向上述氧化镓系单晶半导体层中的与上述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散，在上述氧化镓系单晶半导体层与上述金属电极层之间形成肖特基结。
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公开(公告)号：CN106958039B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710016842.X
申请日：2017-01-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法及制造装置。提供一种能维持凹形状的生长面、不使夹杂物产生地使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴具有轴部和在该轴部的下端的晶种保持部，轴部的直径D1相对于晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下。
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公开(公告)号：CN104487619B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380035149.7
申请日：2013-07-15
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/32 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 用于溶液生长法的制造装置。该制造装置10）包括籽晶架（28）和坩埚（14）。籽晶架（28）具有下端表面，该下端表面上附着有SiC籽晶（32）。坩埚（14）容纳有SiC溶液（15）。坩埚（14）包括圆柱形部分（34）、底部（36）和内盖（38）。底部（36）位于圆柱形部分（34）的下端。内盖（38）设置在圆柱形部分（34）中。内盖（38）具有通孔（40），当SiC溶液容纳在坩埚（14）中时，所述内盖（38）位于所述SiC溶液（15）的液面下方。
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