公开(公告)号：CN110277729A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910171319.3

申请日：2019-03-07

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 林健人 ,  河村有毅 ,  神谷真央 ,  和田聪 ,  大沢政明

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了一种发光装置，该发光装置包括：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件；以及光出射表面，其发射来自第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的光。当从包括在光出射表面的表面上的点并且与光提取方向垂直的平整表面观看时，第一半导体激光元件被设置在比第二半导体激光元件更远的位置处。

公开(公告)号：CN110247296A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910104162.2

申请日：2019-02-01

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 河村有毅 ,  和田聪 ,  林健人 ,  大沢政明 ,  神谷真央

IPC: H01S5/022

Abstract: 一种发光器件，包括：半导体激光元件，其被布置在第一空间；树脂构件，其被布置在第二空间；光传输构件，该光传输构件传输从半导体激光元件发出的光，光传输构件被包括在将第一空间与第二空间分隔开的壁上；以及波长转换构件，该波长转换构件吸收从半导体激光元件发出并穿过光传输构件的光并对光的波长进行转换。第一空间和第二空间相互隔离，使得在第一空间和第二空间之间不交换任何气体。

公开(公告)号：CN102169942B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110046839.5

申请日：2011-02-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  长谷川恭孝

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体层积体，该半导体层积体按顺序包括第一导电型层、发光层和第二导电型层；形成在第一导电型层上且包括氧化物的透明电极；以及形成在第一导电型层与透明电极之间的辅助电极，该辅助电极与该透明电极相比具有更高的针对从发光层发射的光的反射率、更大的与第一导电型层之间的接触电阻、以及更小的薄层电阻。

公开(公告)号：CN102386294B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110256143.5

申请日：2011-08-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  出口将士

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发光元件，其包括：半导体层状结构，该半导体层状结构包括第一导电类型的第一半导体层、发光层以及与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，发光层和第二半导体层的一部分被去除，以暴露出第一半导体层的一部分；第一反射层，该第一反射层在半导体层状结构上并且包括开口，该开口形成在第一半导体层的被暴露的部分中；透明配线电极，该透明配线电极用于通过开口向第一半导体层或第二半导体层中注入载流子；第二反射层，该第二反射层形成于透明配线电极上并覆盖开口的一部分，以便将从发光层发射并穿过开口的光反射回第一半导体层。

公开(公告)号：CN102024891B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010280910.1

申请日：2010-09-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢羽田孝辅 ,  中条直树 ,  神谷真央

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及发光元件。一种发光元件包括：半导体叠层结构，该半导体叠层结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；设置在半导体叠层结构上的绝缘层；第一布线，第一布线包括第一垂直导电部分和第一平面导电部分并且电连接至第一半导体层，第一垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层、发光层和第二半导体层内延伸，以及第一平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸；以及第二布线，第二布线包括第二垂直导电部分和第二平面导电部分并且电连接至第二半导体层，第二垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层内延伸并且第二平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸。

公开(公告)号：CN102386294A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110256143.5

申请日：2011-08-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  出口将士

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发光元件，其包括：半导体层状结构，该半导体层状结构包括第一导电类型的第一半导体层、发光层以及与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，发光层和第二半导体层的一部分被去除，以暴露出第一半导体层的一部分；第一反射层，该第一反射层在半导体层状结构上并且包括开口，该开口形成在第一半导体层的被暴露的部分中；透明配线电极，该透明配线电极用于通过开口向第一半导体层或第二半导体层中注入载流子；第二反射层，该第二反射层形成于透明配线电极上并覆盖开口的一部分，以便将从发光层发射并穿过开口的光反射回第一半导体层。

公开(公告)号：CN101714599A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910175610.4

申请日：2009-09-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 破田野贵司 ,  神谷真央

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括p型层和由ITO组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的p焊盘电极和n型层上的n电极。p焊盘电极和n电极由镍/金组成。将所产生的结构在570℃进行热处理从而能够在p焊盘电极和n电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨p焊盘电极下方的区域，该区域与p型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与p型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。