公开(公告)号：CN102486550B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201010574449.0

申请日：2010-12-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨成樾 ,  周静涛 ,  张慧慧 ,  刘焕明

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明公开了一种硅基复合介质模斑转换器及其制备方法。该模斑转换器在沿光传输方向上交替由硅和氧化硅两种材料按不同的组分比例排列在一起，构成周期结构。通过两种材料组分比例的变化实现模斑转换器等效折介质射率的变化，进而实现光斑模场从光纤端到硅微纳波导端的逐渐转变。该复合介质模斑转换器具有波长不敏感的性质，且其制作方法能够更好的与传统工艺相兼容，可重复制作性高。

公开(公告)号：CN102810465A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110147251.9

申请日：2011-06-02

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李博 ,  申华军 ,  白云 ,  汤益丹 ,  刘焕明 ,  周静涛 ,  杨成樾

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。

公开(公告)号：CN102496559A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110379705.5

申请日：2011-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李博 ,  申华军 ,  白云 ,  汤益丹 ,  刘焕明 ,  周静涛 ,  杨成樾 ,  刘新宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/266

Abstract: 公开了一种三层复合离子注入阻挡层，包括：三层复合结构SiO2/Ti/Ni；所述三层复合结构的最上层为Ni金属层，所述Ni金属层为离子注入阻挡层；所述三层复合结构中层为Ti金属层，用于增加Ni金属层与下层SiO2的黏附性；所述三层复合结构下层为SiO2牺牲层，置于底层衬底之上，用于将Ti/Ni金属层与衬底分隔开。本发明还公开了一种制备、去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法。通过本发明提供的制备方法制备的三层复合离子注入阻挡层不仅能够实现对半导体材料高温注入Al工艺的阻挡要求，同时，SiO2牺牲层还能够有效减少注入半导体表面的损伤。去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法简单有效，解决了半导体衬底上Ti/Ni金属去除中的金属残留问题。

公开(公告)号：CN101383388B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710121369.8

申请日：2007-09-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 申华军 ,  李志华 ,  杨成樾 ,  万里兮 ,  李宝霞

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。

公开(公告)号：CN100428591C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200610003069.5

申请日：2006-02-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 吴德馨 ,  杨成樾 ,  李宝霞

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/00 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  G02B6/00 ,  H04B10/02

Abstract: 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。

公开(公告)号：CN101017956A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610003069.5

申请日：2006-02-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 吴德馨 ,  杨成樾 ,  李宝霞

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/00 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  G02B6/00 ,  H04B10/02

Abstract: 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。

公开(公告)号：CN118249757A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211660675.X

申请日：2022-12-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪学俊 ,  刘新宇 ,  白云 ,  汤益丹 ,  杨成樾 ,  田晓丽 ,  郝继龙

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明提供一种宽温度工作范围的SiC基放大电路，涉及半导体集成电路领域，包括：差分共源放大电路，采用双输入端的电阻做负载的共源极放大电路结构；电压钳位电路，采用自偏置电压的共源共栅电流镜结构；负温度系数电压/电流产生电路，一端连接电压钳位电路的输出端且另一端接地，用于利用电压钳位和PN结的负温度系数电压特性产生负温度特性电流；两组放大管偏置跟随电路，对称设置于差分共源放大电路的放大管的输入端，用于利用电流镜复制负温度特性电流并在等效的无温度系数电阻上产生偏置电压送给放大管的输入端；至少一组无温度系数等效电阻电路，分别设置于负温度系数电压/电流产生电路和放大管偏置跟随电路内部，用于完成电荷的转移。

公开(公告)号：CN117747650A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311753516.9

申请日：2023-12-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏巍 ,  田晓丽 ,  王鑫华 ,  刘新宇 ,  徐堃慧 ,  白云 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  郝继龙

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法，属于半导体技术领域，解决IGBT在短路模式下的短路耐量无法满足保护系统需求的问题。器件包括：沟槽栅MOS结构位于衬底的正面上，包括多个长沟道沟槽栅MOS和短沟道沟槽栅MOS，以交替方式配置配对的长沟道沟槽栅MOS与配对的短沟道沟槽栅MOS；发射极区在衬底正面位于接触沟槽底面下方，包括位于配对的长沟道沟槽栅MOS之间的第一发射极区和位于配对的短沟道沟槽栅MOS之间的第二发射极区；发射极欧姆接触区包括位于接触沟槽中的第一欧姆接触部分和位于衬底正面上方的第二欧姆接触部分；N型缓冲区位于衬底的背面上方；集电极区位于N型缓冲区上方；集电极欧姆接触区位于集电极区上方。提高IGBT的短路耐量。

公开(公告)号：CN117410325A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311267422.0

申请日：2023-09-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王二俊 ,  田晓丽 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  白云 ,  杨成樾 ,  汤益丹 ,  郝继龙

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种平面型碳化硅IGBT器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以减小器件的关断时间和关断功耗，提升器件的关断速度。所述平面型碳化硅IGBT器件包括：自上而下键合在一起的第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括漂移层以及形成在漂移层上方的电流扩展层和正面晶体管单元。第二半导体结构包括欧姆接触层、依次形成在欧姆接触层上的集电层和缓冲层，缓冲层朝向漂移层的一侧刻蚀有沟槽，沟槽内淀积有多晶硅层。其中，缓冲层的材料包括碳化硅，多晶硅层与缓冲层形成异质结结构。所述平面型碳化硅IGBT器件的制作方法用于制作上述平面型碳化硅IGBT器件。

公开(公告)号：CN116885003A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310789670.5

申请日：2023-06-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 邱乐山 ,  白云 ,  刘新宇 ,  汤益丹 ,  郝继龙 ,  杨成樾 ,  田晓丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包含衬底，设于衬底正面的外延层，在外延层中远离衬底正面的区域形成有JFET区与P基区，P基区位于JFET区外侧，且JFET区与P基区之间具有重叠区，该JFET区包含N+注入区与P+注入区，且P+注入区设于N+注入区内部；该晶体管还包含层叠于P基区表面的栅极绝缘介质层、栅极、层间介质与源极金属，及位于衬底背面的漏极。本申请设计的场效应晶体管最终能实现提高器件的抗单粒子性能。故该场效应晶体管在抗单粒子辐照效应的半导体器件中具备较好应用前景。