公开(公告)号：CN102361010A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110340553.8

申请日：2011-11-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏珂 ,  刘新宇 ,  黄俊 ,  刘果果

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。

公开(公告)号：CN102214568A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110146097.3

申请日：2011-06-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏珂 ,  黄俊 ,  刘果果 ,  李诚瞻 ,  刘新宇

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/30 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根据本发明提供的SiC衬底的减薄方法，可以有效缩短SiC衬底的减薄时间，提高工作效率，减少减薄时间。另外，由于整个衬底减薄过程中没有机械剪切力，器件的性能不会有明显的降低。

公开(公告)号：CN102201334A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110133545.6

申请日：2011-05-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 孔欣 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  黄俊 ,  刘果果

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。利用本发明，能够有效平滑T型栅栅脚近漏端的电场分布并降低峰值电场强度从而提高器件的击穿电压，同时对短沟道效应也能起到一定的抑制作用。

公开(公告)号：CN101414562A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200710175969.2

申请日：2007-10-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李诚瞻 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  刘键 ,  刘果果 ,  郑英奎 ,  王冬冬 ,  黄俊 ,  和致经

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题，提高了GaN基HEMT的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN101383268A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710121502.X

申请日：2007-09-07

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李诚瞻 ,  黄俊 ,  郑英奎 ,  刘果果 ,  和致经 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C.对衬底材料进行表面刻蚀；D.腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明，有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏差。

公开(公告)号：CN101149563A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200610127868.3

申请日：2006-09-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘果果 ,  和致经 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  郑英奎

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01J37/304

Abstract: 本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条方法，A.对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，并蒸发标记金属Ti/Pt；B.对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；C.退火合金，形成良好的欧姆接触；D.有源区离子注入隔离；E.电子束光刻，完成栅线条曝光；F.蒸发栅金属，形成有效栅线条。利用本发明，有效解决了高温退火后对准标记金属形貌发生变化而导致电子束曝光机无法准确辨认对准标记的问题。

公开(公告)号：CN113437942B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202110851718.1

申请日：2021-07-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗卫军 ,  闫伟 ,  夏志颖 ,  刘果果 ,  袁婷婷 ,  金智 ,  刘新宇

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/42 ,  H03F3/21 ,  H01P5/12

Abstract: 本发明涉及一种宽带功分器和宽带功率放大器，属于通信技术领域，尤其涉及，解决了现有功分器带宽较窄造成的工作效率较差，以及面积较大造成的成本消耗问题的问题。宽带功分器包括第一电容器连接在所述宽带功分器的输入端口和第一输出端口之间；第二电容器与所述第一电容器并联，并连接在所述宽带功分器的输入端口和第二输出端口之间；第一电感器，连接在所述宽带功分器的输入端口和第一电源电压之间；以及第二电感器和所述隔离电阻器，并联连接，并且连接所述第一输出端口和所述第二输出端口之间。实现了减少了电感器的数量，进而减小了功分器的面积，有效拓展了功分器的带宽。

公开(公告)号：CN114914785B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202110178363.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈江 ,  郑旭强 ,  刘果果 ,  刘新宇

IPC: H01S5/042

Abstract: 本发明提供了一种驱动EML型激光器的输出级电路，本发明采用具有厚栅氧的MOS管形成共栅差分对，同时采用具有薄栅氧的MOS管形成共源差分对，进而利用厚栅氧MOS管的耐高压和薄栅氧MOS管的寄生电容小的优势，在可以采用Si基CMOS工艺制备输出级电路的同时，能够使得输出级电路能够实现输出电压摆幅大、输入寄生电容小的效果。偏置电路能够参考尾电流源MOS管的漏极信号动态调整第一MOS管和第二MOS管的栅极的电压，使得输出级电路可以在一个较宽的输入共模范围下工作。可控调节电路能够根据第一栅极电压偏置信号调节第一MOS管和第二MOS管的源极处信号，最终使得输出级电路提供的偏置电流具有精度高且可调的效果。

公开(公告)号：CN113067552A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110281815.1

申请日：2021-03-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 狄皓月 ,  刘果果 ,  元赛飞 ,  袁婷婷 ,  陈晓娟 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明提供了一种低噪声放大器和射频前端电路，包括依次级联的输入匹配电路、第一级放大晶体管、第一级间匹配电路、第二级放大晶体管、第二级间匹配电路、第三级放大晶体管和输出匹配电路；第一级放大晶体管、第二级放大晶体管和第三级放大晶体管均用于对其栅极输入的信号进行放大；输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路用于实现阻抗匹配；其中，第一级间匹配电路的匹配频点为次高频点；第二级间匹配电路的匹配频点为高频点。基于此，可以在保证高增益的基础上，增加电路的平坦度，拓展电路带宽，实现宽带的低噪声放大器。并且，本发明提供的低噪声放大器的电路结构较简单，占用芯片面积较小，功耗也较小。

公开(公告)号：CN112636697A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011357413.7

申请日：2020-11-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 闫伟 ,  罗卫军 ,  夏志颖 ,  刘果果 ,  袁婷婷 ,  魏珂 ,  金智 ,  刘新宇

IPC: H03F1/07

Abstract: 本发明涉及一种具有深回退区间的Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器的回退区间较窄造成的工作效率较差的问题。该Doherty功率放大器中第一功分器的第一输出端连接载波功率放大电路的输入端，第一功分器的第二输出端连接第一峰值功率放大电路的输入端；第二功分器的输入端连接第一峰值功率放大电路的输出端，第二功分器的第一输出端同时连接载波功率放大电路的输出端和后匹配网络的输入端，第二功分器的第二输出端连接第二峰值功率放大电路的输入端，第二峰值功率放大电路的输出端连接后匹配网络的输入端。实现了输入功率信号的放大，具有较深的回退区间。