公开(公告)号：CN113241383A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110487994.4

申请日：2021-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱怡璇 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  梁平 ,  黎昆 ,  刘舒曼 ,  胡颖 ,  王利军 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  刘峰奇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09

Abstract: 一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。

公开(公告)号：CN108631149A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810369450.6

申请日：2018-04-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 李媛媛 ,  梁平 ,  胡颖 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  王利军 ,  刘舒曼 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/323

Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一致性，防止激光器在解理过程中由晶向各异性带来的机械损伤；并且可以防止由于腐蚀液选择性不够带来的腐蚀不均匀及过腐蚀的问题，保证腐蚀的均匀性及完整性。本发明的方法符合标准半导体工艺流程，操作简便高效，适于工业化量产。

公开(公告)号：CN105244761A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510706103.4

申请日：2015-10-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张锦川 ,  刘峰奇 ,  梁平 ,  胡颖 ,  王利军 ,  刘俊岐 ,  王占国

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/024 ,  H01S5/42 ,  H01S5/30

Abstract: 一种量子级联激光器相干阵列结构，包括：一衬底；一下波导层；一有源层，该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列，中间的微米条最宽，向两侧微米条宽度依次递减；一半绝缘InP：Fe层，该半绝缘InP：Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列；一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配，使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射，从而改善了光束质量，同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区，不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度，从而有利于提高器件的输出功率。

公开(公告)号：CN1700541A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200410043265.6

申请日：2004-05-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 路秀真 ,  常秀兰 ,  胡颖 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01S5/22

Abstract: 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。