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公开(公告)号：CN101814537B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN110460382A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910756606.0
申请日：2019-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽带可调及低相位噪声微波信号产生装置，属于光电振荡器技术领域。该装置包括：宽带可调谐激光器及与其连接的第一偏振控制器；偏振光分束器；该偏振光分束器分为两光路，一光路依序连接第一单模光纤、第二偏振控制器；另一光路依序连接第二单模光纤、第三偏振控制器；以上两光路径由偏振光合束器后依序连接宽带光电探测器、电功率分束器、电频谱分析仪、电低噪声功率放大器、电带通滤波器、隔直器。本发明未采用通用的马赫增德尔调制器及掺铒光纤放大器，而是采用了双环路振荡的形式，提高了系统的集成度，可以提供具有较高边模抑制比以及较低相位噪声的宽带可调微波信号。
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公开(公告)号：CN105607302B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610159350.1
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/035
Abstract: 本发明公开了一种基于布里渊光载波恢复的可调谐单通带微波光子滤波器，其包括：可调谐激光器、光耦合器、第一光放大器与第二光放大器、第一光环形器与第二光环形器、复绕在一起的第一段单模光纤与第二段单模光纤、第一光偏振控制器与第二光偏振控制器、马赫增德尔调制器、光纤法珀滤波器、光隔离器、高速光电探测器、电矢量网络分析仪。利用本发明，可实现单通带频率响应的微波光子滤波器，改变可调谐激光器的出光波长，实现微波光子滤波器滤波通带的宽带可调谐。
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公开(公告)号：CN102692191A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210197039.8
申请日：2012-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤传感测量公路路面表层水膜厚度的方法，其特征在于，包括：激光器LD发出的激光信号经过发射光纤传输进入待测路面平面，在路面水膜与空气分界面处发生反射；反射后的激光信号分别通过第一接收光纤和第二接收光纤进入第一光探测器PD1和第二光探测器PD2，第一光探测器PD1和第二光探测器PD2根据该激光信号的功率大小，输出第一电流I1和第二电流I2；第一电流I1和第二电流I2通过电缆进入外部电路，外部电路以双路相比的比值量处理，得到水膜厚度。利用本发明，提高了路面水膜测量值的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN101898751B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNⅢ族氮化物半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101922015A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010263078.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。
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公开(公告)号：CN101901850A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085926.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接触层的两侧各形成一台面；一P型有源层，该P型有源层制作在I型有源层上；两N型欧姆电极，该两N型欧姆电极分别制作在N型欧姆接触层上面两侧的台面上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在P型有源层上。
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公开(公告)号：CN101814537A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN106452592B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610867200.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/2507 , H04B10/2519 , H04B10/2569 , H04B10/548 , H04B10/61
Abstract: 本发明公开了一种基于宽谱光源偏振处理结合光谱陷波相移和色散积分效应产生的可调谐单通带微波光子希尔伯特变换滤波系统，包括：放大自发辐射宽谱光源和与之相连的光纤布拉格光栅、第一偏振起偏器、第一偏振控制器、偏振分束器、可调光延迟线、可调光衰减器、相移光纤光栅、偏振合束器、第二偏振控制器、偏振调制器、第三偏振控制器、第二偏振起偏器、色散补偿模块、高速光电探测器。本发明可在宽谱微波频段内通过调谐光延时实现带通希尔伯特变换的频谱位置的任意调谐，实现带通微波信号的希尔伯特变换，同时系统输出还具有无基频响应、无周期性频谱响应的特性，保证了通道选择的单一性和抗扰性。
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公开(公告)号：CN104993358A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510394294.5
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于受激布里渊散射的单边带光载微波信号产生装置，包括：主激光器、第一光耦合器、第二光耦合器、第一可调光衰减器、第二可调光衰减器、光偏振控制器、第一光环形器、第二光环形器、从激光器、单模光纤、马赫增德尔调制器、光放大器、光谱分析仪、光电探测器和频谱分析仪。利用本发明，通过光注入半导体激光器产生等频率间隔的多谱线梳状光谱P1，然后利用主激光器分束得到的另一束激光调制得到载波抑制双边带激光作为泵浦光，利用光纤中受激布里渊散射效应放大主激光器光波长附近的一个边带，衰减另一个边带，从而得到单边带光载微波信号。利用本发明，可实现光载微波信号频率连续可调，以及中频信号的上变频。
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