公开(公告)号：CN106252403A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610753069.0

申请日：2016-08-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吉泽生 ,  汪连山 ,  赵桂娟 ,  孟钰淋 ,  李辉杰 ,  谭晓宇 ,  韩东岳 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(70)。将低温GaN缓冲层退火后生长未掺杂GaN高阻层以及AlN隔离层，与掺碳或掺铁等相比，能有效改善结晶质量并避免掺铁等带来的记忆效应；此外该结构具有多沟道结构，即AlN势垒层和未掺杂GaN沟道层分别与Al组分阶梯变化的势垒层在界面处形成了两个主沟道，和Al组分阶梯变化的势垒层界面处形成了多个辅沟道，与传统HEMT器件相比增强了其电流驱动能力；本发明设计的HEMT外延结构栅漏电流和缓冲层漏电流小，电流驱动能力强，可用于大功率电力电子器件领域。此外本发明还提供了一种HEMT外延结构的制备方法。(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层

公开(公告)号：CN104112803B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410147977.6

申请日：2014-04-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 项若飞 ,  汪连山 ,  赵桂娟 ,  金东东 ,  王建霞 ,  李辉杰 ,  张恒 ,  冯玉霞 ,  焦春美 ,  魏鸿源 ,  杨少延 ,  王占国

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。

公开(公告)号：CN104878450A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510245599.X

申请日：2015-05-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李辉杰 ,  杨少延 ,  魏鸿源 ,  赵桂娟 ,  汪连山 ,  李成明 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02

Abstract: 一种AlN单晶衬底生产设备及其使用方法，其主体是一耐高温坩埚，坩埚分为两个部分：晶体生长室和原料室。晶体生长室侧壁有一氨气或氮气或二者混合气体的气管，与之相对位置有一气体出口；衬底固定于反应室的顶部；原料室底部有一载气气管，原料放置于原料室的底部；生长室和原料室之间由一带孔挡板隔开。坩埚可以由放置于其周围的加热器进行加热，也可以通过坩埚自身直接进行加热。本发明采用大尺寸廉价蓝宝石衬底作为AlN晶体生长的籽晶，解决了PVT设备籽晶昂贵的问题；此外，本设备相比于卤化物气相外延(HVPE)设备而言，生长温度更高，更接近AlN晶体的平衡生长温度，所生长的晶体质量更高。

公开(公告)号：CN103633200A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310652125.8

申请日：2013-12-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  冯玉霞 ,  魏鸿源 ,  焦春美 ,  赵桂娟 ,  汪连山 ,  刘祥林 ,  王占国

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L33/0079

Abstract: 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。

公开(公告)号：CN210897327U

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201922345475.5

申请日：2019-12-24

Applicant: 南京佑天金属科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏洁 ,  魏鸿源 ,  陈怀浩 ,  杨少延 ,  杨瑞 ,  李成明 ,  李辉杰 ,  刘祥林 ,  汪连山

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基应力协变衬底及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm～350nm；一薄氮化镓单晶薄膜模板层，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度。该硅基应力协变衬底能够在GaN材料和LED器件的高质量制备生长时克服和缓解大失配应力问题。