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公开(公告)号：CN118244553A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410316491.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于量子点实现光子对发射及光纤输出的装置及方法，包括：单量子点，用于产生单双激子级联发光，激子态具有H和V两重偏振态发光，两重偏振态具有能量劈裂；微腔，由第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜形成，用于控制单量子点定向出光；光纤耦合组件，由单模光纤垂直粘和制备固化封装，用于收集单量子点产生的单双激子级联发光；局域电场，由近邻调制掺杂层的单个掺杂原子产生，用于调控单量子点，以减小激子能量劈裂和调控激子波函数；发光输出模块，用于对单量子点进行荧光收集，将收集到的单双激子级联发光以高斯光场形式输出；光子对关联测试单元，用于对单双激子级联发光进行过滤并基于过滤后的单双激子检验偏振关联性。
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公开(公告)号：CN111403567B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010252674.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法，制备方法包括，在衬底上外延生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上交替生长GaAs层和AlGaAs层而形成GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；在GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜上外延生长InAs量子点和GaAs上盖层；在GaAs上盖层上形成圆形周期阵列的介电层；对圆形周期阵列的介电层进行BOE腐蚀，缩小圆形周期阵列的介电层的直径；以缩小直径的圆形周期阵列的介电层为掩模，对GaAs上盖层进行各向异性的酸性腐蚀，形成微透镜阵列。本发明的量子点单光子源上微透镜阵列表面光滑、精度要求低、光学形状精确可控、可一次性大量制备。
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公开(公告)号：CN110098563A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910504380.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于双腔结构的纠缠光源，由上至下包括：上DBR层，用于提高反射率；上腔体，用于提供上谐振腔模；中DBR层，用于提高反射率；下腔体，用于提供下谐振腔模；以及下DBR层，用于提高反射率；所述基于双腔结构的纠缠光源，通过改变材料的结构，可以直接构造出双腔模结构，包括上中下三层分布式布拉格反射镜(DBR)，其用于提高反射率，不需要太复杂的工艺，收集纠缠光子对的效率提高了很多。
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公开(公告)号：CN106199856B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610584646.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法，该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置包括：单光子源器件样片，具有多个单光子源单元，所述单光子源单元能够发射单光子；光纤阵列，包括多根光纤，耦合至所述单光子源器件样片的上表面，其中光纤阵列中的一根或多根光纤与所述单光子源单元耦合。该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置制作简单、方便、可靠。
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公开(公告)号：CN106099642A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610510717.X
申请日：2016-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/34
Abstract: 一种电致单光子源器件及其制备方法，该电致单光子源器件包括衬底；微柱结构，设置于衬底一侧；微柱填充物形成在所述微柱结构的侧壁外围，其高度不高于微柱结构高度；欧姆接触层，覆盖微柱结构和微柱填充物，并与微柱结构形成欧姆接触；上电极，设置在欧姆接触层上；以及下电极，形成于衬底的另一侧，该制备方法采用制备欧姆接触层形成于微柱结构与上电极之间，对工艺和设备要求不高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594334A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310594632.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L21/02387 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02455 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02538 , H01L21/02601
Abstract: 一种采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：利用带有纳米压印功能的原子力显微镜，在缓冲层上制备周期阵列的纳米孔洞；步骤4：在周期阵列的纳米孔洞和缓冲层上生长纳米缓冲层；步骤5：在纳米缓冲层上对应纳米孔洞的位置生长定位量子点；步骤6：在定位量子点和纳米缓冲层上生长盖层，完成制备。本发明具有图形精度高、机械损伤小、量子点光电学性质好的特点。
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公开(公告)号：CN103592818A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310594552.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统，该系统包括：一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室；一原子力显微镜，其固定在超高真空室的底部；一衬底托固定装置，其固定在原子力显微镜的上面，该衬底托固定装置的中间有一孔洞；一衬底托，其位于衬底托固定装置中间的孔洞上面；一机械臂，其固定在超高真空室的上面，用于衬底托的传递；一探针置换腔，其固定在超高真空室的侧壁上，用于原子力显微镜探针的更换；一监控系统，用于原子力显微镜制备压印图形的控制。本发明具有图形精度高(高于50nm)、外延损伤小和利于制备高集成度阵列光电子器件等特点。
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公开(公告)号：CN118980429A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411070384.4
申请日：2024-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种外延片光致发光特性的测试方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：加热外延片至预设温度；利用目标激光光束激励外延片产生光信号；用探测器探测并记录光信号；以及基于光信号，判断外延片的光致发光特性。通过直接测试光致发光光谱来判断外延片在不同温度下的光致发光质量，避免了复杂的工艺验证。本发明还提供了一种外延片光致发光特性的测试装置。
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公开(公告)号：CN113484941B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110781608.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。本发明结合剥离工艺将微透镜阵列与反射层结构耦合，可以实现提取效率达到60％。并且该种剥离转移工艺不需要生长较多对数的DBR结构，且相对于下DBR结构可实现更高的提取效率，在后续压电调谐等方面有很大的优势，在量子光源、发光二极管、光电探测器等领域均有很大的实际应用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113484941A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110781608.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种微透镜阵列耦合反射层结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列包括量子点及包覆所述量子点的上盖层，所述上盖层表面为周期阵列排布的凸起结构；将所述微透镜阵列从所述衬底上剥离后转移至广谱反射层上，以形成所述微透镜阵列耦合反射层结构。本发明结合剥离工艺将微透镜阵列与反射层结构耦合，可以实现提取效率达到60％。并且该种剥离转移工艺不需要生长较多对数的DBR结构，且相对于下DBR结构可实现更高的提取效率，在后续压电调谐等方面有很大的优势，在量子光源、发光二极管、光电探测器等领域均有很大的实际应用价值和广泛的应用前景。
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