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公开(公告)号：CN115864130A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211429939.0
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽；增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内，适用于光限制以及电子注入；有源层适用于载流子复合发光；上包层适用于光限制以及空穴注入；接触层位于上包层上。限制隔离层包括限制层和隔离填充层：限制层位于增益层的两侧或一侧，适用于产生等离子激元限制光场的区域；隔离填充层形成在增益层的两侧；电隔离层形成在限制隔离层上，且位于接触层的外围；上电极层形成在电隔离层上并与接触层电连接；下电极层位于衬底的未被限制隔离层覆盖的区域，能够将光限制在增益层侧边的限制层处，具有高限制、低损耗和高增益的效果。
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公开(公告)号：CN111068731A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911255913.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京林业大学
IPC: B01J27/24 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 一种多元氮化碳基非金属材料、制备方法及其应用，所述制备方法包括如下步骤：步骤1：将氧化石墨烯溶于尿素水溶液中，加入还原剂进行还原反应，得到含尿素和还原氧化石墨烯的前驱体；步骤2：将所述前驱体、碳量子点和草酸均匀混合，高温煅烧，得到多元氮化碳基非金属材料。本发明制备的多元氮化碳基非金属材料，同时具有广域吸光(吸收边超过605nm)，促进活性物种超氧自由基(·O2-)生成和加速光生载流子分离的作用。上述协同作用，使得CD-rGO-O-g/C3N4对林可霉素具有很高的光催化活性。且本发明合成工艺流程简单，可操作性强，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108754525B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810497411.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 河北工业大学 , 中国科学院半导体研究所 , 邯郸学院
Abstract: 本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜，该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm2。其制备方法为：将基底清洗后蒸镀金膜，在金膜上旋涂锆钛酸铅膜，经退火、煅烧和封装即得所述电极，制备工艺简单，成本低，所得的薄膜均匀性好，具有良好的可见光吸收性能，且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。
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公开(公告)号：CN106544638B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201611136315.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种拼装型掩模板装置，包括若干掩模板、样品框架、掩模板压板、样品盖板、样品夹和样品压条，各部件可以通过螺丝、胶带、胶水或磁力等方式拼装连接到一起。本发明可以实现掩模板装置交叉重复使用，提高了设计和制作的灵活性。本掩模板装置能够实现高质量图形化薄膜的制备，同时本掩模板装置还可以适用于无规则形状样品以及不同沉积朝向的设备。
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公开(公告)号：CN108754525A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810497411.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 河北工业大学 , 中国科学院半导体研究所 , 邯郸学院
Abstract: 本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法，所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜，该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm2。其制备方法为：将基底清洗后蒸镀金膜，在金膜上旋涂锆钛酸铅膜，经退火、煅烧和封装即得所述电极，制备工艺简单，成本低，所得的薄膜均匀性好，具有良好的可见光吸收性能，且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105967139A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610317925.8
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00087
Abstract: 本发明公开了一种在硅基体上刻蚀孔洞的方法，包括以下步骤：在硅基体上镀上一层银膜；将镀有银膜的硅基体进行退火处理得到具有银颗粒表面的硅基体；将具有银颗粒表面的硅基体进行金属辅助化学刻蚀；利用硝酸溶液去除银颗粒。还提供含孔洞的硅基体以及基于该硅基体的半导体器件。制备的微纳孔洞结构可以在硅发光器件，太阳能电池，传感器等领域得到诸多应用，能够具有优异的电学性能和机械性能。
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公开(公告)号：CN104993055A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510272231.2
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/426 , H01L51/0003 , H01L2251/301
Abstract: 一种基于表面等离激元效应的有机太阳电池结构，包括：一阳极透明导电衬底；一三明治结构的空穴传输层，其制作在阳极透明导电衬底上，该空穴传输层的中间为一层金属纳米颗粒，形成三明治结构；一有源层，其制作在空穴传输层上；一缓冲层，其制作在有源层上；一阴极，其制作在缓冲层上。本发明一方面要充分发挥等离激元近场增强的效果，增强太阳电池的光吸收，从而增大光电流；另一方面，要避免金属纳米颗粒与有源层直接接触，形成电荷复合中心，产生大的漏电流。
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公开(公告)号：CN104409637A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410669670.2
申请日：2014-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/441 , H01L51/42
Abstract: 一种基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构，包括：一梯形铝纳米栅状电极层，其表面具有多条等间距分布并凸起的铝栅线；一阴极缓冲层，其制作在梯形铝纳米栅状电极层上；一有源层，其制作在阴极缓冲层上；一阳极缓冲层，其制作在有源层上；一上电极层，其制作在阳极缓冲层上。本发明可以解决传统的有机-无机杂化太阳能电池中由于有源层过厚而导致的载流子复合等问题，从而提高有机-无机杂化太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN119726348A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410919782.2
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/16
Abstract: 本发明提供一种近红外钙钛矿激光器及其制备方法。近红外钙钛矿激光器包括：衬底；钙钛矿增益介质层，置于衬底上，钙钛矿增益介质层上形成有微晶结构，微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的近红外钙钛矿激光器无需采用外加谐振腔，即可在室温下实现光泵浦下的激射，大大简化了器件结构，提高了激光器的可集成性；通过组分和制备工艺的调控，可以实现激射峰的调节，且调节精度高，可满足多个波长的使用需求；可以采用全溶液法制备，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN114984992A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210572326.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01J27/24 , C01B3/04 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/38
Abstract: 本公开提供一种铯掺杂的氮化碳光催化剂的制备方法，包括：S1，将乙酸铯与含氮有机化合物加入乙醇溶液中溶解；S2，加热搅拌，将乙醇溶液蒸干，得到混合粉末；S3，将混合粉末置于带盖的氧化铝坩埚中，并在马弗炉中进行第一次热处理，得到铯掺杂的氮化碳块体；S4，将铯掺杂的氮化碳块体进行研磨，并在马弗炉中进行第二次热处理，得到铯掺杂的氮化碳光催化剂。本公开的制备方法采用乙酸铯制备铯掺杂氮化碳，具有步骤简单，成本低，产率高等优点；且与其他金属盐相比，只需要极少量的乙酸铯即可达到掺杂的目的，实现对氮化碳的活化，并提高光催化性能。
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