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公开(公告)号：CN106048527A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610405808.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法，该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材，然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片，采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于：1.在室温下完成溅射沉积，实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低，而负温度电阻系数高，有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备，无需高温热处理，耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低，易于与Si基半导体工艺兼容，可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件，大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。
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公开(公告)号：CN103495529B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310469862.4
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有预退火功能的匀胶机，它包括注胶装置，加热装置，散热装置和匀胶机四部分。注胶装置将手动滴胶过程简化为常闭型水阀的简单开关动作的控制过程，提高了滴胶效率，避免经验化滴胶可能带来的问题。加热装置用于对样品进行加热，实现薄膜的低温预退火功能。散热装置用于为匀胶机内胆降温，并促进加热装置内外的热量和气体交换，排出经加热后逸出的有机物质。匀胶机用于实现薄膜制备时的甩胶操作。本发明装置可将溶胶-凝胶法的滴胶-甩胶-低温预退火制备薄膜的实验流程，简化为多次重复滴胶-甩胶-低温预退火后使用快速退火炉集中高温热处理制备薄膜的实验流程，缩短制膜时间，大幅提高了制膜效率。
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公开(公告)号：CN102544221B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210019094.8
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。
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公开(公告)号：CN102732848B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210211532.0
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法，应用该法，可制备出大面积、致密性良好的MCN薄膜。相比溶胶-凝胶法制备的多晶MCN薄膜，该法参数控制更精确，制备出的薄膜致密度更高，且薄膜呈（110）高度择优取向。利用该法制作的MCN薄膜，可用于制造线列及面阵热敏探测器件，以及制作微桥结构和顶底电极结构热敏探测器件。
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公开(公告)号：CN102931923A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210405471.1
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提出一种自热消除低噪声前置放大器，可用于热敏红外探测器件信号检测电路或特性参数测试电路。该电路使用一组热敏电阻同探测器件组成桥式电路，两个热敏电阻通过精密电位器相连接，电位器滑动端接至运放同向输入端。运放反相端接红外探测器件探测元与盲元的公共端，桥式电路与后端的低噪声运放连接，低噪声运放使用T型网络作为反馈回路。本发明具有以下优点：使用热敏探测器的桥式电路实现自热消除，同时精密电位器的引入可以消除探测元与盲元不匹配引起的电压偏移；运放使用T型网络代替反馈电阻组成反馈回路，减小了电路噪声；电路结构简化，便于电路系统的小型化和较大规模多元器件的集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593242A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019112.2
申请日：2012-03-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法，其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。
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公开(公告)号：CN102593228A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019370.0
申请日：2012-04-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/032
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于，其中包括：一Pt/Ti/SiO2/Si衬底；一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜；一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜；在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜面上制作顶电极，同时刻蚀薄膜直到露出部分Pt/Ti/SiO2/Si衬底的表面导电层作为底电极。制备出pn结，产生光生伏特效应，以实现紫外-可见-红外宽波段探测。
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公开(公告)号：CN102590095A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019045.4
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种二维摆镜扫描的太赫兹被动式成像系统，该系统具体利用二维摆镜逐行逐点扫描实现对成像样品的太赫兹波段成像，其扫描速度、成像时间、系统成像最佳物距可调。该成像系统不仅具有成像空间分辨率高，信噪比大，温度分辨率高等特点，同时与基于主动方式的透射和反射太赫兹成像系统相比较，还具有结构简单紧凑，无需自带本地太赫兹振荡源，无需面阵探测器而只需单元探测器等优点。
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公开(公告)号：CN102544137A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019369.8
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器。其特征在于，其中包括：一蓝宝石衬底；一导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜；一导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜；在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜部分膜面上制作顶电极，同时刻蚀薄膜到露出部分导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜，并在此部位制作底电极。制备出pn结，产生光生伏特效应，以实现紫外-可见-红外宽波段探测。
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公开(公告)号：CN119987012A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202311511680.9
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本申请提供了一种机械式光脉冲调制器和调制方法。机械式光脉冲调制器包括：光源；电机飞轮；至少一个楔形镜，设置于电机飞轮的外边缘上，楔形镜被配置为，在楔形镜旋转至与电机飞轮的圆心和光源位于同一条直线且面向光源的情况下，将光源出射的光进行反射；微反射镜，位于楔形镜的反射光出射方向，用于反射由楔形镜反射而来的光，其中，微反射镜包括光反射部件和光吸收部件，光吸收部件用于吸收光反射部件周围的光。本申请提供的机械式光脉冲调制器解决了现有技术中光脉冲调制设备存在的成本较高、调节方法较为复杂的问题。
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