公开(公告)号：CN103928342A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410165328.9

申请日：2014-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 高安然 ,  李铁 ,  戴鹏飞 ,  鲁娜 ,  王跃林

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66356 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明提供一种硅纳米线隧穿场效应晶体管及其制作方法，包括步骤：1）提供一SOI衬底，包括底层硅、埋氧层及顶层硅；2）减薄所述顶硅层并于表面形成二氧化硅层；3）采用光刻工艺及湿法腐蚀工艺形成硅纳米线沟道、源区及漏区；4）于所述源区、漏区的周侧及硅纳米线沟道的一侧形成保护层，采用湿法腐蚀工艺对所述硅纳米线沟道的另一侧进行腐蚀，形成具有三角形截面的硅纳米线沟道；5）于所述硅纳米线沟道表面形成氧化层；6）形成源区及漏区；7）制作源电极及漏电极。本发明的硅纳米线基于自上而下方法，采用氮化硅侧壁保护和TMAH各向异性自停止腐蚀实现制作，工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容，成本较低，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN103626120A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310705757.6

申请日：2013-12-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 戴鹏飞 ,  李铁 ,  高安然 ,  鲁娜 ,  王跃林

IPC: B81C1/00 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明公开了一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，包括以下步骤，提供一设有硅纳米线的硅片；在所述硅片上依次生长具有第一厚度的第一Si3N4薄膜、SiO2薄膜以及具有第二厚度的第二Si3N4薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；进行光刻工艺，将所述第二Si3N4薄膜图形化，形成窗口，沿所述窗口刻蚀暴露的所述硅纳米线上方的第二Si3N4薄膜区域至暴露出该第二Si3N4薄膜区域下方的SiO2薄膜；继续刻蚀；去除所述其余第二Si3N4薄膜区域覆盖的光刻胶；接着置于浓磷酸中，腐蚀掉硅纳米线上方的第一Si3N4薄膜，暴露出所述硅纳米线。该方法确保了传感器可以在液体环境中进行检测；硅纳米线不会受到损伤，而在后续敏感膜修饰时，生物基团也可以有选择性地吸附在敏感区域。

公开(公告)号：CN102910578A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210442236.1

申请日：2012-11-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李铁 ,  高安然 ,  戴鹏飞 ,  鲁娜 ,  萨姆·海米拉 ,  帕西·盖里奥 ,  王跃林

IPC: B81C3/00 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明提供一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，首先提供一硅基芯片与一PDMS芯片，采用丙酮和酒精对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行超声清洗，然后采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行处理，最后将所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面相互贴合并进行按压，以键合所述硅基芯片及PDMS芯片。具有以下有益效果：1）该方法在常温下进行，克服了高温键合带来的成品率低，操作耗时等缺点；2）该工艺过程简单，成品率高，键合速度快，强度高，不会发生漏液现象；3）由于硅基芯片加工工艺成熟，可以制作复杂结构，硅基芯片与PDMS芯片的键合有助于实现复杂结构的微流控芯片。

公开(公告)号：CN206618429U

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201720030919.4

申请日：2017-01-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  北京正旦国际科技有限责任公司

Inventor： 李铁 ,  仝敬 ,  王伊 ,  张蕾 ,  高安然 ,  张东伟 ,  宋海峰 ,  王跃林

IPC: G01D5/26 ,  C23C16/26

Abstract: 本实用新型提供一种基于温度调节性能的石墨烯仿生光探测器，包括：微加热器平台；石墨烯，位于所述微加热器平台上；活性薄膜，形成于所述石墨烯的表面；光受体蛋白，形成于所述活性薄膜上。本实用新型通过采用悬膜式的加热结构连接石墨烯，并在石墨烯表面修饰光受体蛋白，一方面采用光受体蛋白实现波长选择性，提高光吸收率；另一方面采用悬膜式加热结构，减少衬底对石墨烯性能的影响，更可以通过加热电压来调节工作温度，从而调节光生载流子迁移率和浓度，以提高光探测器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206516647U

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201720031924.7

申请日：2017-01-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  北京正旦国际科技有限责任公司

Inventor： 李铁 ,  王伊 ,  仝敬 ,  张蕾 ,  高安然 ,  张东伟 ,  宋海峰 ,  王跃林

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0216

Abstract: 本实用新型提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器，包括：基板；电极器件，形成于所述基板上，其中，所述电极器件包括测试电极、供电引线、供电电极；石墨烯，位于所述电极器件上；活性薄膜，形成于所述石墨烯的表面；光受体蛋白，形成于所述活性薄膜上。本实用新型将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本实用新型工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。