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公开(公告)号：CN109407352A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811383848.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0136 , G02F1/0102
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹偏振调控器件，所述太赫兹偏振调控器件包括介电超结构和衬底；所述介电超结构为全介质材料的介电超结构，所述介电超结构包括周期性分布的柱状介电单元；所述柱状介电单元的长轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第一预设区间中；短轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第二预设区间中；高度与待调整太赫兹波长的比值处于第三预设区间中；相邻所述柱状介电单元在长轴方向上的间距与待调整太赫兹波长的比值处于第四预设区间中；相邻所述柱状介电单元在短轴方向上的间距与待调整太赫兹波长的比值处于第五预设区间中。提高器件工作效率，增大相位调制范围。本发明还提供了一种具有上述优点的太赫兹偏振调控器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN108417486A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810204935.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于金刚石衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于金刚石衬底的电路从下至上依次包括衬底、第一层金属、第二层金属、第一层介质层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、第三层金属、第二层介质层及第四层金属；还公开了GaN基SBD变频电路的制作方法，本发明通过结构和技术创新让第三代宽禁带半导体GaN和金刚石材料的优势得到充分利用和整合，用于实现高功率、高温度可靠性的高性能变频电路。
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公开(公告)号：CN108365020A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810142683.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/92 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层、第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层、第二层低掺杂层和第二层重掺杂导电层；第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层和第二层低掺杂层形成异质结势垒结构。外延结构包括金属阳极、金属阴极和上述GaN基异质结变容管装置；金属阳极和金属阴极之间存在凹槽，凹槽的底部为第一层重掺杂导电层。本发明功率特性较好，不会限制倍频源的输出功率特性，可以实现大功率应用，可以用于大功率输入奇次倍频电路。
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公开(公告)号：CN106276783A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610963499.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00301
Abstract: 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸、形状可控行好；还可以实现同一功能集成板上多芯片的一次性互连，缩短工艺制作周期，可用于高频段甚至太赫兹频段电子器件间的低损耗金属互连和集成封装。
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公开(公告)号：CN118089932A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410393613.X
申请日：2024-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种超宽带太赫兹脉冲探测器及探测系统，本发明属于太赫兹光谱探测技术领域，本发明提出的太赫兹脉冲探测器采用具有强自旋霍尔效应和/或强轨道霍尔效应的单层金属薄膜，当太赫兹脉冲照射到探测器上时，其在金属薄膜中诱导出太赫兹脉冲电流，由于金属薄膜的自旋霍尔效应和/或轨道霍尔效应会在金属薄膜表面积累瞬态的自旋和/或轨道角动量，引起探测光偏振发生改变，探测光偏振变化与太赫兹脉冲瞬时对应，从而可通过检测探测光偏振变化来探测得到对应的太赫兹信号。因探测光偏振变化随太赫兹脉冲瞬时响应，且探测器薄膜结构无声子吸收，从而能够实现超宽带太赫兹脉冲探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112909711A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110308838.7
申请日：2021-03-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种偏振可调控的太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与偏转多层膜集成在同一衬底中，在偏转多层膜中设置两层轴线呈45°夹角的线栅可以形成一针对太赫兹波的四分之一波片。通过将自旋太赫兹源与太赫兹四分之一波片集成在同一衬底，通过外加磁场的旋转可以改变自旋太赫兹源产生的线偏振太赫兹波的偏振方向，而不同偏振方向的太赫兹波在经过太赫兹四分之一波片时，可以产生包括线偏振太赫兹波、左旋圆偏振及椭圆偏振太赫兹波、右旋圆偏振及椭圆偏振太赫兹波的多种偏振模式，从而可以实现简便的调节太赫兹波的偏振模式，在单一器件上只通过旋转磁场实现多种偏振模式的太赫兹波产生。
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公开(公告)号：CN108364950B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810142345.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252
Abstract: 本发明提供了一种外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法，旨在解决现有的工艺比较复杂的问题。一种外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、选择性腐蚀层、薄膜支撑层、高阻隔离层、重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。正面制作GaAs基单管器件的方法：A1、片上肖特基器件的制作步骤；B1、对片上肖特基器件进行隔离；C1、衬底脱落。GaAs基片上集成变频电路的制作方法：A2、片上肖特基器件制作步骤。B2、去除重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。C2、集成无源器件。D2、对片上肖特基器件进行隔离。E2、通过空气桥工艺和电镀工艺制作梁式引线。F2、衬底脱落。本发明工艺简化，节约了成本。
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公开(公告)号：CN106449442B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610961010.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法基于倒装焊技术，通过芯片或互连载片倒装焊接的方式，配合相应的MEMS微加工工艺技术实现高频固态集成放大器模块波导封装的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，无引脚结构，具有低寄生效应、小键合尺寸及相干参数可控性良好的优点，可用于高频段/太赫兹频段固态集成放大器模块波导封装的低损耗金属互连。
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公开(公告)号：CN108963724B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810861154.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: C23C14/18
Abstract: 本发明提供了一种介质‑金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器，所述介质‑金属光子晶体具有下式所示的多层复合结构：[介质层/金属层]n/绝缘衬底；其中，n为1～10之间的整数；所述金属层为磁性纳米薄膜和非磁性纳米薄膜交替复合形成的多层结构。与现有技术相比，本发明提供的介质‑金属光子晶体采用特定结构，一方面能够更大程度上吸收激光能量，激发每个金属层产生太赫兹脉冲，另一方面能够使每个金属层产生的太赫兹波相干叠加，从而使太赫兹强度获得极大增强；应用于太赫兹脉冲发生器能够最大限度的利用飞秒激光能量，从而极大地提升太赫兹强度，且频谱宽、偏振可调。
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公开(公告)号：CN106276783B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610963499.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸、形状可控行好；还可以实现同一功能集成板上多芯片的一次性互连，缩短工艺制作周期，可用于高频段甚至太赫兹频段电子器件间的低损耗金属互连和集成封装。
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