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公开(公告)号:CN109412438B
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201811202276.2
申请日:2018-10-16
Applicant: 东南大学
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明公开了一种基于复矢量比例复数积分控制器cPCI(Complex Vector Proportional Complex Integral)的三相并网变流器电流控制方法,根据被控对象的数学模型和静止αβ坐标系下电流控制器无误差跟踪给定值的约束关系,得到cPCI电流控制器模型。将α轴和β轴的实际电流与参考电流的差值,作为cPCI电流控制器的输入,在静止αβ坐标系下实现并网电流的控制。本发明可以方便的应用于电机和电力电子领域的电流环设计中,无需复杂的旋转坐标变换,直接在静止αβ坐标系下实现,cPCI控制器参数的最优增益值设计,提高了电流环的稳定性并改善了系统动态响应性能。
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公开(公告)号:CN110488155A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910812433.X
申请日:2019-08-30
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明公开了一种应用于柔性接地系统的单相接地故障选线方法,该方法包括故障时间定位、暂态特征信号提取和故障馈线判别三个步骤,具体为:1)对中性点零序电压信号进行小波包分解,将模极大值点对应的时间点作为实际故障时间;2)选取实际故障时间前后各1/4和3/4个周期的馈线零序电流信号进行小波包分解、重构,提取暂态特征波形;3)计算各馈线暂态特征波形的综合灰色T型关联系数,将其与阈值比较,确定故障馈线。本发明有效地反映架空线和电缆动态变化趋势的关联性,减小了因为电缆和架空线路对地容值差异而导致的误判,满足了柔性接地系统对于选线快速性和准确性的要求,具有可行性和实用价值。
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公开(公告)号:CN109995304A
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201711476370.2
申请日:2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098 , H02P23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法,通过改变PWM载波频率改变开关频率,破坏激励的周期性,进而破坏径向电磁力的周期性,避免了电磁力的频谱分量和定子固有频率重合引发共振,从而达到降低噪声的目的。本发明提出的基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法,是从控制方向来实现降低开关磁阻电机噪声的,适用范围广,不影响其它性能参数,并且无需硬件电路辅助,应用成本低廉,易于实现。
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公开(公告)号:CN104916674A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510181744.2
申请日:2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管,在维持闩锁能力不变的前提下,提高电流密度和关断速率。该半导体具备:在P型衬底上设有埋氧,埋氧上设有N型漂移区,其上设有P型体区和N型缓冲区,N型缓冲区内设有P型集电极区,P型集电极区上连接有阳极金属,在N型漂移区的上方设有场氧层,在P型体区内设有P型阱区,P型阱区内设有P型发射极区和发射极区,上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽,发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区,N型漂移区外凸并充满方形凹槽,P型体区表面设有栅氧化层,在栅氧化层表面设有多晶硅层,在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号:CN119967860A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202311473834.X
申请日:2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构,元胞结构包括:衬底;N型的第一阱区,设于衬底内;第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区;P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区,第一掺杂区位于第一分区,第二掺杂区位于第二分区;P型的源区和P型的漏区,设于衬底内,且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧;第一方向为导电沟道的宽度方向,第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大,从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN119153487A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202310713119.2
申请日:2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅半导体元器件,包括:衬底;掩埋介质层,设于所述衬底上;第一电极;第二电极;漂移区,设于所述掩埋介质层上;所述漂移区的上表面形成落差结构,所述落差结构包括靠近所述第一电极的第一侧、靠近所述第二电极的第二侧、以及所述第一侧与第二侧之间的过渡区,所述第二侧的上表面高于所述第一侧的下表面,从而使所述漂移区在所述第二侧的厚度大于在所述第一侧的厚度;其中,所述第一电极和第二电极被配置为:在所述元器件被施加反向偏压时,第二电极施加的电压大于第一电极施加的电压。本发明可以将器件的击穿点控制在高压端的下方,使得漂移区能够完全耗尽,在不增加埋氧层厚度的前提下依然可以提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号:CN117995534B
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202211333545.5
申请日:2022-10-28
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件,所述隔离变压器包括:下线圈;主介质层,覆盖所述下线圈;氮氧化硅层,位于所述主介质层上;上线圈,位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层,在确保器件耐压的同时,能够减小高压区域对低压区域的影响,提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号:CN116705609A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202210181654.3
申请日:2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法,所述方法包括:获取基底;图案化掩膜层,形成至少两个注入窗口;通过各注入窗口进行N型离子注入,在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区;在各注入窗口表面形成氧化层;去除掩膜层;向P型区进行P型离子普注,在氧化层处P型离子的注入被阻挡;通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口,注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层,后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层,因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版,有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺,使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
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公开(公告)号:CN113964826B
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202111233164.5
申请日:2021-10-22
Applicant: 东南大学 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国网辽宁省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H02J3/00 , H02J3/38 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种适用于光伏逆变器的双向故障穿越控制策略,所述双向故障穿越控制策略同时具备应对交流电网三相电压跌落故障与应对直流侧极间短路故障穿越能力,且采用混合调制技术,根据不同工况的运行需要切换不同的工作模式。本发明所述光伏逆变器采用子模块混合型MMC而非纯全桥结构,在保证系统运行需求条件下降低了成本;创造性地基于“虚拟半桥”视角进行全桥子模块拓扑解析,奠定了混合调制技术的基础;交流电网电压跌落故障时可以实现交流故障电流抑制和维持母线电压稳定,直流侧发生双极短路故障时可主动限制短路电流为零,实现直流故障穿越;混合调制技术保障系统实现各工况下功率传输、故障穿越需求。
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公开(公告)号:CN116388152A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310173498.0
申请日:2023-02-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了模块化多电平换流器技术领域的一种基于暂稳态协同的混合MMC虚拟惯性控制策略,所述控制策略包括附带虚拟电感控制策略的直流环与附带虚拟电容控制策略的交流环。本发明控制策略可以增加在直流故障下子模块电容电压的惯性,使之快速回到设定值,又可以增加在稳态负荷波动下直流电压的惯性,增强其抗干扰能力;暂态过程下的短路电流可以降低至原来的40%,子模块电容电压波动峰值降低至原来的一半,在稳态过程下,当负荷发生扰动时,直流电压波动减少至原来的一半,本控制策略具有优越性。
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