-
公开(公告)号：CN100490497C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710019476.X
申请日：2007-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 为了解决现有技术中红外焦平面读出电路只有一种读出顺序、且像素单元电路中的积分电容固定的问题，本发明提供一种红外焦平面读出电路，包含行读出顺序选择及行选择信号产生电路(1)、列读出顺序选择及列选择信号产生电路(2)、积分电容可选的像素单元电路(3)、列读出级电路(4)和输出缓冲级(5)。其中行读出顺序控制信号(LS)、行选择输入信号(Lin)接行读出顺序选择及行选择信号产生电路(1)，列读出顺序控制信号(CS)、列选择输入信号(Cin)接列读出顺序选择及列选择信号产生电路(2)。它能够提供四种不同的像素单元读出顺序，同时像素单元的积分电容可选。
-
公开(公告)号：CN100483290C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200610161588.4
申请日：2006-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准源电路，包括启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路及基准电流产生电路；启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路及基准电流产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端，主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路的输出端连接基准电流产生电路的第一输入端，基准电压输出端输出基准电压并与基准电流产生电路的第二输入端连接，基准电流产生电路的输出端输出基准电流。
-
公开(公告)号：CN101308393A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810124372.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种耗尽型MOS管稳定电压源，其特征是电路中设有耗尽型NMOS管及耗尽型PMOS管以及用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第一正温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型PMOS管阈值电压相关的正温度系数电压的第二正温度系数电压产生电路以及将第一、第二正温度系数电压产生电路产生的两个具有正温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。
-
公开(公告)号：CN101567630B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910026865.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 一种电感电流感应电路，设有开关管电路、感应电流产生电路及感应电压产生电路，开关管电路的输出端连接感应电流产生电路，感应电流产生电路的输出端连接感应电压产生电路，感应电压产生电路的输出端输出感应电压；开关管电路、感应电流产生电路及感应电压产生电路具有同一的公共电源输入端和同一的公共输入控制信号，利用处于线性区的PMOS管近似等效于一个电阻的原理，采用电流镜复制电流的方法，按一定比例缩小电感电流来感应电感电流，通过感应电流流过输出电阻的方法进行电流电压的转换，产生稳定的感应电压；设置运算放大器来稳定内部工作点，进一步提高感应电压的精确度以及电路的抗干扰能力。
-
公开(公告)号：CN101771081B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910263298.4
申请日：2009-12-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101231191B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200810020795.7
申请日：2008-02-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种焦平面的开窗口读出电路，其特征在于包括：数据寄存器，行地址选择电路，行窗口大小控制电路，列地址选择电路和列窗口大小控制电路。本发明的有益效果在于：本发明的焦平面的开窗口读出电路可以实现任意开窗，即可以从指定像素开始读出，并且窗口大小、起始地址和读出顺序均可控；不但可以满像素输出保持大的视场，而且可以任意指定图像中的一个区域开窗口读出，大大提高了图像输出的速率。可应用于各个波段焦平面读出电路，比如：红外焦平面读出电路，CMOS图像传感器读出电路、紫外焦平面读出电路等，具有广泛的适应性。
-
公开(公告)号：CN101771081A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910263298.4
申请日：2009-12-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。
-
公开(公告)号：CN101634593A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910184799.3
申请日：2009-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种分阶段背景抑制红外焦平面单元电路，其特征在于：设有包括注入电路、积分电容电路、背景减去电流电路及行选控制电路，红外探测器的输出端接注入电路的输入端；注入电路的输出端接积分电容电路的输入端；积分电容电路的输出端以及背景减去电流电路的输出端与行选控制电路的输入端相互连接，行选控制电路的输出端接后续信号处理电路，背景减去电流电路的第一输入端、第二输入端分别接偏置电压V B1 、偏置V B2 ；利用背景减去电流电路在积分过程中分阶段导通，来减去背景电流在积分电容上累积的电荷，以实现背景抑制。
-
公开(公告)号：CN101510562A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910030068.3
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 一种减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型半导体衬底，在N型半导体衬底上面设置有P型阱区，在P型阱区上设置有N型阱区和N型掺杂半导体区，在N型阱区上设有N型源区和P型接触区，在N型掺杂半导体区上设有N型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在P型阱区内设有轻掺杂浅N型区，所述的轻掺杂浅N型区位于N型阱区与N型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅N型区覆盖栅氧化层与N型掺杂半导体区形成的拐角。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
58
records
(took 0.026 seconds)
