公开(公告)号：CN101777581B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200910263299.9

申请日：2009-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  孙大鹰 ,  徐申 ,  钱钦松 ,  陈越政 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。

公开(公告)号：CN101587901B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910032750.6

申请日：2009-06-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈越政 ,  钱钦松 ,  夏晓娟 ,  吴虹 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/84 ,  H01L21/76 ,  H01J17/49

Abstract: 显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压二极管和低压器件构成，各高压器件之间和高压与低压器件之间以始自埋氧层经过N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽隔离，在高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管电极下方的埋氧层上方设有部分N型或P型重掺杂埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，在埋氧层上方制作部分N型或P型重掺杂埋层，淀积N型外延层，制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压器件的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。

公开(公告)号：CN101771081B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910263298.4

申请日：2009-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨淼 ,  夏晓娟 ,  钱钦松 ,  陈越政 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。

公开(公告)号：CN101777581A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910263299.9

申请日：2009-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  孙大鹰 ,  徐申 ,  钱钦松 ,  陈越政 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。

公开(公告)号：CN101771081A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910263298.4

申请日：2009-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨淼 ,  夏晓娟 ,  钱钦松 ,  陈越政 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。

公开(公告)号：CN101587901A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910032750.6

申请日：2009-06-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈越政 ,  钱钦松 ,  夏晓娟 ,  吴虹 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/84 ,  H01L21/76 ,  H01J17/49

Abstract: 显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压二极管和低压器件构成，各高压器件之间和高压与低压器件之间以始自埋氧层经过N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽隔离，在高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管电极下方的埋氧层上方设有部分N型或P型重掺杂埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，在埋氧层上方制作部分N型或P型重掺杂埋层，淀积N型外延层，制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压器件的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。

公开(公告)号：CN201570500U

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200920283462.3

申请日：2009-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  孙大鹰 ,  徐申 ,  钱钦松 ,  陈越政 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。

公开(公告)号：CN201570501U

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200920283463.8

申请日：2009-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨淼 ,  夏晓娟 ,  钱钦松 ,  陈越政 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。