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公开(公告)号：CN115017788B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210712488.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/25 , G06T17/20 , G06F119/14 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/08 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种中性气体容性耦合放电等离子体的数值模拟方法，该方法包括：步骤1、根据腔室中性气体流动构建相应的中性粒子仿真模型，采用直接模拟蒙特卡洛法模拟中性粒子运动，输出流场信息；步骤2、根据中性气体容性耦合放电产生的带电粒子构建相应的带电粒子仿真模型，采用粒子网格法，初始化带电粒子均匀分布于仿真空间中；步骤3、采用泊松方程计算格点上的电势和电场分布；步骤4、通过权重函数将格点上的电场累加到粒子位置，推动粒子运动；步骤5、采用蒙特卡洛方法处理粒子间的碰撞；步骤6、重复步骤2到步骤5，在每个时间步长内更新格点电场和粒子属性，直至达到稳态，输出粒子能量、速度、角度等分布。
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公开(公告)号：CN118464137A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410560156.9
申请日：2024-05-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了新型的基于氧化硅片制备的二维流量传感器及制备方法，该传感器包括硅衬底、二氧化硅层、背面空腔、刻蚀孔、黏附层、环形加热电阻、测温电阻、环境测温电阻、氮化硅保护层。其中硅衬底和二氧化硅层是由氧化硅片工艺生成；环形加热电阻的中心部分由刻蚀孔，位于芯片中心位置，四个测温电阻对称的分布在环形加热电阻四周，可分为X轴测温电阻和Y轴测温电阻；环形加热电阻和测温电阻中间刻蚀孔；环境测温电阻位于背面空腔以外的位置。本发明降低了热量向衬底的传输，刻蚀孔有效降低了热量在衬底的横向传输，提高了热量的利用率，提高了传感器输出的灵敏度和二维流量传感器悬浮薄膜的机械强度。
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公开(公告)号：CN118070650A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410196173.9
申请日：2024-02-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06N3/04 , G06N3/0985 , G06F111/04 , G06F115/04
Abstract: 本发明公开了一种基于物理约束引导深度学习的MEMS器件不确定性分析方法，首先，针对工艺设计提取各类工艺参数，构建工艺偏差的随机参数模型；然后，建立对应的MEMS器件行为模型，导出性能指标在参数范围内对各参数的变化趋势分布情况和特殊点上的值，获得物理引导约束条件，建立训练集与测试集；接着，建立深度学习架构，通过对网络训练损失函数添加惩罚项实现物理引导约束，对其进行训练并调整隐藏层规模和超参数直到网络模型达到收敛，添加有效的物理约束条件，得到器件行为模型的代理模型；最后，通过蒙特卡罗方法，在代理模型基础上，得到由高维随机变量参数造成的器件性能分布情况，完成高维随机变量参数下的MEMS器件不确定性分析。
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公开(公告)号：CN112320754B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202011168378.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法，在与待测半导体导电薄膜一端侧制备与其连成整体的圆形半导体薄膜，圆形半导体薄膜周侧设置四个接触电极，采用改进的四点探针法测量并计算得到接触电极的张开角度，进一步得到半导体薄膜的半导体方块电阻。然后通过对待测半导体导电薄膜施加电压，通过测量两电极之间的电流来计算其电阻值，最后由待测半导体导电薄膜的电阻和几何尺寸的关系得出半导体导电薄膜线宽的宽度值。本发明的测试结构采用基本的微机电加工工艺完成，加工过程与微机电器件同步，符合在线测试的要求。测试过程采用简单的直流电流源作为激励源，并仅需采用普通的电压测试设备，即可完成所有的激励与测试过程。
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公开(公告)号：CN113358252B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110639892.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种应用悬臂梁与固支梁结构的多层薄膜残余应力和杨氏模量测试结构，其测试结构为由多层薄膜组成的复合悬臂梁和复合两端固支梁；本发明还公开了一种应用悬臂梁与固支梁结构的多层薄膜残余应力和杨氏模量测试方法，该方法使用静电驱动测量各测试结构的吸合电压；将吸合电压送入提取程序计算，即可得各层薄膜的残余应力和杨氏模量；本发明测试方法简单，且能满足工艺线在线测试的精度要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115420341A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211381726.5
申请日：2022-11-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种背面接触型MEMS热式流量传感器及制备方法，该传感器包括导热衬底（100）、隔热衬底（200）、加热电阻（101）、测温热电堆（300）。其中加热电阻对称设计在传感器中间位置，其两侧相同距离处对称分布两个测温热电堆。本发明采用硅衬底与玻璃晶圆的阳极键合工艺以及高温热回流工艺生成的隔热衬底，可以提供加热元件和测温元件之间良好的热隔离，降低传感器因为横向热传导损耗的功率。高热导率导热衬底的使用可以提高流体与芯片表面的热交换效率，提高了器件的灵敏度与最大量程。
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公开(公告)号：CN111400833B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202010171467.8
申请日：2020-03-12
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/3308 , G06F30/367 , G01P5/12 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 本发明设计一种热式风速传感器Verilog‑A宏模型建模方法：该发明主要考虑热式风速传感器的热对流和热传导效应，利用宏模型技术将器件各种不同条件下的热传导和热辐射效应耦合到器件模型中，形成器件的单元模型，之后通过直接调用此单元模型以及系统仿真的方式来预测整个集成电路的响应特性；利用此方法可以有效地模拟所设计的传感器在特定风速条件下的功能和性能，为传感器和接口电路的协同设计提供参考依据，减少流片次数，极大的降低成本，加快研发周期，提高效率。
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公开(公告)号：CN115017865A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210724303.2
申请日：2022-06-23
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明提出一种基于状态空间法的热式风速传感器宏模型提取方法：该方法首先对热式风速传感器尺寸、结构和材料参数提取并进行三维建模，设置空气域，初始化边界条件进行有限元仿真，获得在风速为0情况下热式风速传感器模型的阶跃响应和在风速不为0时热式风速传感器模型加热单元和上下游测温单元表面的对流换热系数，基于热式风速传感器模型阶跃响应利用状态空间法构建热式传感器的状态空间模型，同时拟合对流换热系数获得等效风速的多项式，再通过Verilog‑A语言将状态空间模型和等效风速多项式耦合，得到完整的热式风速传感器宏模型，最后调用宏模型进恒功率电路中进行验证仿真。
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公开(公告)号：CN112558428A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011470885.3
申请日：2020-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种SU‑8胶紫外光背面光刻工艺的二维光强分布模拟方法，步骤1：将需要进行光强分布模拟的光刻仿真区域进行空间离散，细分成网格组成的二维阵列；步骤2：将整个光刻仿真区域沿水平方向划分成若干矩形薄层；步骤3：对每一矩形薄层分别建立麦克斯韦方程，并对麦克斯韦方程进行分离变量得到一个特征值问题，然后将每一矩形薄层中的材料参数和电磁场用傅里叶级数展开，通过数值求解特征值问题得到每一矩形薄层中的电磁场分布情况；步骤4：根据连续性条件施加电磁场边界条件将每一矩形薄层耦合起来，求得光在透过掩模版后的电磁场分布情况；步骤5：根据电磁场分布情况计算得到SU‑8胶背面入射紫外光的二维光强分布的模拟结果。
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公开(公告)号：CN112320754A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011168378.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法，在与待测半导体导电薄膜一端侧制备与其连成整体的圆形半导体薄膜，圆形半导体薄膜周侧设置四个接触电极，采用改进的四点探针法测量并计算得到接触电极的张开角度，进一步得到半导体薄膜的半导体方块电阻。然后通过对待测半导体导电薄膜施加电压，通过测量两电极之间的电流来计算其电阻值，最后由待测半导体导电薄膜的电阻和几何尺寸的关系得出半导体导电薄膜线宽的宽度值。本发明的测试结构采用基本的微机电加工工艺完成，加工过程与微机电器件同步，符合在线测试的要求。测试过程采用简单的直流电流源作为激励源，并仅需采用普通的电压测试设备，即可完成所有的激励与测试过程。
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