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公开(公告)号：CN112320754B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202011168378.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法，在与待测半导体导电薄膜一端侧制备与其连成整体的圆形半导体薄膜，圆形半导体薄膜周侧设置四个接触电极，采用改进的四点探针法测量并计算得到接触电极的张开角度，进一步得到半导体薄膜的半导体方块电阻。然后通过对待测半导体导电薄膜施加电压，通过测量两电极之间的电流来计算其电阻值，最后由待测半导体导电薄膜的电阻和几何尺寸的关系得出半导体导电薄膜线宽的宽度值。本发明的测试结构采用基本的微机电加工工艺完成，加工过程与微机电器件同步，符合在线测试的要求。测试过程采用简单的直流电流源作为激励源，并仅需采用普通的电压测试设备，即可完成所有的激励与测试过程。
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公开(公告)号：CN112320754A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011168378.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法，在与待测半导体导电薄膜一端侧制备与其连成整体的圆形半导体薄膜，圆形半导体薄膜周侧设置四个接触电极，采用改进的四点探针法测量并计算得到接触电极的张开角度，进一步得到半导体薄膜的半导体方块电阻。然后通过对待测半导体导电薄膜施加电压，通过测量两电极之间的电流来计算其电阻值，最后由待测半导体导电薄膜的电阻和几何尺寸的关系得出半导体导电薄膜线宽的宽度值。本发明的测试结构采用基本的微机电加工工艺完成，加工过程与微机电器件同步，符合在线测试的要求。测试过程采用简单的直流电流源作为激励源，并仅需采用普通的电压测试设备，即可完成所有的激励与测试过程。
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公开(公告)号：CN113267118B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110695599.5
申请日：2021-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体导电薄膜厚度在线测试结构，包括四探针电阻测试桥结构以及连续阶梯结构，该结构利用多个台阶平均了台阶制造过程中的随机误差，利用多个台阶增加了电阻变化的数值，便于测量。本发明还公开了一种半导体导电薄膜厚度在线测试方法，该方法简单，测试设备要求低，测试过程及测试参数值稳定，加工过程与微机电器件同步，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学公式。
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公开(公告)号：CN113267118A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110695599.5
申请日：2021-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体导电薄膜厚度在线测试结构，包括四探针电阻测试桥结构以及连续阶梯结构，该结构利用多个台阶平均了台阶制造过程中的随机误差，利用多个台阶增加了电阻变化的数值，便于测量。本发明还公开了一种半导体导电薄膜厚度在线测试方法，该方法简单，测试设备要求低，测试过程及测试参数值稳定，加工过程与微机电器件同步，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学公式。
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