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公开(公告)号：CN112558428A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011470885.3
申请日：2020-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种SU‑8胶紫外光背面光刻工艺的二维光强分布模拟方法，步骤1：将需要进行光强分布模拟的光刻仿真区域进行空间离散，细分成网格组成的二维阵列；步骤2：将整个光刻仿真区域沿水平方向划分成若干矩形薄层；步骤3：对每一矩形薄层分别建立麦克斯韦方程，并对麦克斯韦方程进行分离变量得到一个特征值问题，然后将每一矩形薄层中的材料参数和电磁场用傅里叶级数展开，通过数值求解特征值问题得到每一矩形薄层中的电磁场分布情况；步骤4：根据连续性条件施加电磁场边界条件将每一矩形薄层耦合起来，求得光在透过掩模版后的电磁场分布情况；步骤5：根据电磁场分布情况计算得到SU‑8胶背面入射紫外光的二维光强分布的模拟结果。
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