公开(公告)号：CN100372076C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN01822329.X

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。

公开(公告)号：CN103999201A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280060467.4

申请日：2012-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 布濑晓志 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤浩

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0541

Abstract: 有机晶体管的制造方法具备：在基板(1)上层叠形成基底绝缘层(3)的工序；在基底绝缘层(3)上形成源电极(5a)、漏电极(5b)的工序；覆盖源电极(5a)、漏电极(5b)并且与基底绝缘层(3)接触地层叠形成有机半导体层(7)的工序；在有机半导体层(7)上层叠形成栅绝缘层(9)的工序；在栅绝缘层(9)上形成栅电极(11)的工序；以及，在形成有机半导体层(7)之前，对于基底绝缘层(3)的与有机半导体层(7)接触的面进行表面处理的工序。表面处理按照下述方式进行：将使用与有机半导体层(7)相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为W1时，在进行过表面处理的基底绝缘层(3)上形成有机半导体层(7)时，基底绝缘层(3)与有机半导体层(7)之间的附着功W2满足W1≥W2的关系。

公开(公告)号：CN101103262B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680001995.7

申请日：2006-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤美佐子 ,  林辉幸

IPC: G01N1/22 ,  G01N30/00

CPC classification number: G01N30/06 ,  G01N2030/062 ,  G01N2030/128

Abstract: 本发明涉及测定有机物气体浓度的测定装置(2)，从处理系统内的目标空间引出目标氛围气体，测定其中有机物气体的浓度。装置(2)包括具有与目标空间连接的导入口的捕集容器(20)。排气系统(36)与捕集容器(20)连接。在捕集容器(20)内，收容有用于通过吸附有机物气体得到捕集有机物气体的捕集部件(22)。利用包括加热器(24)的温度调整机构，调整捕集部件(22)的温度，控制有机物气体的吸附/解吸。从载气供给系统(32)供给用于搬送从捕集有机物气体中取出的解吸气体的载气。利用浓度测定部(56)测定搬送解吸气体的载气中的有机物气体的浓度。

公开(公告)号：CN101310041A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200780000117.8

申请日：2007-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤昌树 ,  林辉幸 ,  齐藤美佐子

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67288 ,  Y10S414/139

Abstract: 本发明涉及真空处理装置和真空处理方法。排气机构(24)以一定的排气量或排气速度对真空搬送室(10)内进行真空排气。平常时间排气阀(36)被保持为打开状态，吹扫气体(N2气)由吹扫气体供给源(30)通过MFC(34)和开关阀(36)供给真空搬送室(10)内。主控制部(38)通过对MFC(34)的流量设定值将真空搬送室(10)内的压力控制在规定的范围内，同时通过真空计(40)监控真空搬送室(10)内的压力，压力超过规定的上限值时判断为异常，采取对MFC34的流量设定值的更改、警报的产生、装置运转的停止等处置。

公开(公告)号：CN1819113A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610007445.8

申请日：2006-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤美佐子 ,  林辉幸 ,  小宫隆行

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置有用于使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。

公开(公告)号：CN1783436A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127114.3

申请日：2001-12-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  古泽纯和 ,  梅泽好太 ,  林輝幸 ,  齐藤美佐子 ,  佐藤昌一

IPC: H01L21/306

Abstract: 一种被处理体的处理方法，包括：具有，将附着有由磷酸三丁酯、硅氧烷、邻苯二甲酸二辛酯中的至少一种构成的有机物的被处理体放入反应室内的工序；以及，将所述反应室加热到既定温度并供给处理气体从而将所述有机物从所述被处理体上除去的工序；所述处理气体含有臭氧，将所述反应室的温度加热到可使所述臭氧活化的温度。