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公开(公告)号：CN100462887C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200480004339.3
申请日：2004-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F15/024 , G01F25/0007
Abstract: 本发明的半导体制造装置具有：用于对基板进行处理而在基板上制造半导体装置的处理部；用于向所述处理部供给所述基板的处理所需要的流体的流体供给通路；输出与所述流体的设定流量对应的设定电压的设定电压输出部；设置在所述流体供给通路中、根据所述设定电压调整所述流体的流量的质量流量控制器；设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的上游侧的第一遮断阀；和设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的下游侧的第二遮断阀。所述质量流量控制器具有：检测所述流体的实际的流量而输出对应的检测电压的检测部；将所述设定电压与所述检测电压比较而输出操作信号的比较部；和根据所述操作信号调整流体的流量的流量调整部。设置了存储所述第一遮断阀和所述第二遮断阀关闭时从所述质量流量控制器的所述检测部输出的检测电压的存储部。设置了根据所述存储部存储的检测电压，按照补偿所述流体的实际流量为零时的检测电压的变化的方式修正所述设定电压的设定电压修正部。
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公开(公告)号：CN101285178A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810086915.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。
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公开(公告)号：CN101093057A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710110099.0
申请日：2007-06-22
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F16K27/003 , F16K7/14 , F16K31/06 , H01L21/31691 , Y10T137/4259 , Y10T137/87885
Abstract: 液体原材料供应单元适于对汽化器供应液体原材料。该单元包括：集管，其内形成有流动通道；和多个流体控制阀，它们安装在集管上且包括：液体原材料控制阀；清洗溶液控制阀；吹扫气体控制阀；和第一引入控制阀，它可连接到汽化器上，用于控制从流动通道到汽化器的流体供应，吹扫气体控制阀、清洗溶液控制阀、液体原材料控制阀、和第一引入控制阀从集管的上游侧按此顺序安装在集管上。流动通道分别连接那些控制阀的阀口，这些阀口与相应控制阀的阀开口连通，而且流动通道构造成允许从吹扫气体控制阀供应来的吹扫气体直接在设置于吹扫气体控制阀下游的清洗溶液控制阀和液体原材料控制阀的阀口中流动。
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公开(公告)号：CN1933901A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009276.5
申请日：2005-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01J4/00 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: G05D7/0658 , B01J4/008
Abstract: 本发明的基板处理装置设置有从设置在供给处理气体的气体供给系统的处理室(11)的入口附近的开关阀(13d、14d)的上游侧分支，并连接到排气管(17)的分支配管(18)。在该分支配管(18)上插入气体流量检测机构(19)，并设置用于将流路切换到处理室(11)侧和分支配管(18)的开关阀(13h、14h)。气体流路检测机构(19)使气体在电阻体中流通并测量其两端的压力来从压力差中检测出气体流量。通过该检测值，检测或校正质量流量控制器(13a、14a)。
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公开(公告)号：CN1751280A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004339.3
申请日：2004-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F15/024 , G01F25/0007
Abstract: 本发明的半导体制造装置具有：用于对基板进行处理而在基板上制造半导体装置的处理部；用于向所述处理部供给所述基板的处理所需要的流体的流体供给通路；输出与所述流体的设定流量对应的设定电压的设定电压输出部；设置在所述流体供给通路中、根据所述设定电压调整所述流体的流量的质量流量控制器；设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的上游侧的第一遮断阀；和设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的下游侧的第二遮断阀。所述质量流量控制器具有：检测所述流体的实际的流量而输出对应的检测电压的检测部；将所述设定电压与所述检测电压比较而输出操作信号的比较部；和根据所述操作信号调整流体的流量的流量调整部。设置了存储所述第一遮断阀和所述第二遮断阀关闭时从所述质量流量控制器的所述检测部输出的检测电压的存储部。设置了根据所述存储部存储的检测电压，按照补偿所述流体的实际流量为零时的检测电压的变化的方式修正所述设定电压的设定电压修正部。
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公开(公告)号：CN114391051B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202080063295.0
申请日：2020-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统，所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的，所述原料气体供给系统包括：将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置；送出机构，其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系，其中，所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的；和分离机构，其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。
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公开(公告)号：CN114616356A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080074643.4
申请日：2020-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 对用于制造半导体装置的基板进行处理的装置具有构成为向收纳有基板的腔室供给处理气体的处理气体供给部，上述处理气体供给部具有：原料盒，其具有收纳有多孔质部件的原料罐，该多孔质部件包含吸附上述处理气体的原料的气体分子的金属有机结构体；主体部，其构成为在安装原料盒时使上述原料罐与上述处理气体供给流路连通；和脱附机构，其构成为实施使吸附于上述金属有机结构体的上述原料的气体分子脱附、作为处理气体向处理气体供给流路流出的操作。
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公开(公告)号：CN114599442A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074647.2
申请日：2020-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01D53/04 , B01J20/26 , B01J20/34 , C07C63/28 , C07C63/307 , C07C63/42 , C07F1/08 , C07F5/00 , C07F11/00 , C07F15/02 , C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/285
Abstract: 在供给对用于制造半导体装置的基板进行处理的处理气体时，具有收纳有多孔质部件的浓缩罐和构成为使吸附于多孔质部件的处理气体脱附的脱附机构。多孔质部件包含构成为优先吸附与载气混合的处理气体的金属有机结构体。处理气体被吸附、储存在浓缩罐的多孔质部件中，在使用时被脱附机构脱附。
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公开(公告)号：CN114402093A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064709.1
申请日：2020-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/02
Abstract: 本发明的一个方式的原料供给装置包括：容器，其用于贮存使第一固体原料溶解于溶剂而得到的溶液或使第一固体原料分散于分散介质而得到的分散体系；注入部，其用于将所述溶液或所述分散体系进行喷雾而注入到所述容器内；排气口，其用于对所述容器内进行排气；加热部，其用于对通过从所述溶液或分散体系除去所述溶剂或所述分散介质而形成的第二固体原料进行加热；和设置在所述容器内的所述注入部与所述排气口之间的堆积部，其用于使所述第二固体原料堆积。
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公开(公告)号：CN108573900A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810183440.3
申请日：2018-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45578 , C23C16/45589 , C23C16/4584 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/67309 , H01L21/68771 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及能够控制面间均匀性的基板处理装置。基板处理装置具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其被设置为能够在所述内管内、或者所述内管与所述外管之间移动，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置，且经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。
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