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公开(公告)号：CN102263026B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110206125.6
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。
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公开(公告)号：CN102013388B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010264380.1
申请日：2010-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种高效率地去除堆积在ESC的外周部的以CF为主要成分且含有Si和Al的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ESC(24)的外周部(24a)以压力400～800mTorr供给由O2气体和含F气体构成的混合气体，有选择性地对ESC(24)的外周部(24a)照射由该混合气体生成的等离子体，并且，对ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面供给作为掩蔽气体的O2单一气体，防止ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面暴露于F自由基中，一边分解、去除附着在该外周部(24a)的肩部堆积物(50)。
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公开(公告)号：CN102263001A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206202.8
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
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公开(公告)号：CN102117733A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010561532.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/687 , H01J37/36
CPC classification number: B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32862
Abstract: 提供一种基板处理装置及其清洁方法，不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时，按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处理室内，对下部电极(111)与上部电极(120)的电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O2气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。
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公开(公告)号：CN102013388A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010264380.1
申请日：2010-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种高效率地去除堆积在ESC的外周部的以CF为主要成分且含有Si和Al的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ESC(24)的外周部(24a)以压力400～800mTorr供给由O2气体和含F气体构成的混合气体，有选择性地对ESC(24)的外周部(24a)照射由该混合气体生成的等离子体，并且，对ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面供给作为掩蔽气体的O2单一气体，防止ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面暴露于F自由基中，一边分解、去除附着在该外周部(24a)的肩部堆积物(50)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517563C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710091349.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
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公开(公告)号：CN1973363A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580020518.0
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN112863985A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011216079.3
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种用于对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：第一部件，设置在处理容器内；以及第二部件，设置在所述第一部件的外侧，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使气体向所述第一部件与所述第二部件之间的间隙流动的流路。
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公开(公告)号：CN111755312A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010201548.8
申请日：2020-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够减少在覆盖环的外侧附着的反应副产物。等离子体处理装置具有载置台、导电性构件以及第1绝缘构件。载置台为具有用于载置基板的载置部和设于比载置部低的位置的台阶部的导电性的载置台。导电性构件配设于台阶部，延伸到比载置台的外缘靠外侧的位置。第1绝缘构件配置于导电性构件的上表面。
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公开(公告)号：CN102568992B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110442876.8
申请日：2011-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 花冈秀敏
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01J2237/334
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够易于对处理的因作为被施加于上部电极的直流电压的地线的直流电压用接地构件的设置状态引起的偏差进行校正，从而能够高效地实施均匀的处理。该等离子体处理装置包括：高频电源，其用于对下部电极施加高频电力；直流电源，其用于对上部电极施加直流电压；直流电压用接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露出到处理空间中的方式配置在处理腔室内，用于形成被施加于上部电极的直流电压的接地电位；多个上下运动机构，其能够通过使直流电压用接地构件上下运动来调整该直流电压用接地构件的接地状态。
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