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公开(公告)号：CN102655086B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210053193.8
申请日：2012-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32669 , H01L21/0206 , H01L21/0273 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法和计算机存储介质。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，上述基板具有：多层膜，交替叠层有第一介电常数的第一膜和与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于多层膜的上层作为蚀刻掩模发挥作用的光致抗蚀剂层，该半导体器件的制造方法，包括：第一工序，以光致抗蚀剂层为掩模，对第一膜进行等离子体蚀刻；第二工序，将光致抗蚀剂层暴露于含氢等离子体；第三工序，修整光致抗蚀剂层；和第四工序：以通过第三工序修整过的光致抗蚀剂层和在第一工序中进行了等离子体蚀刻的第一膜为掩模，蚀刻第二膜，通过反复进行第一工序至第四工序，使多层膜为台阶状结构。
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公开(公告)号：CN103928285A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410016335.2
申请日：2014-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在第一构件的表面上形成氧化硅膜。在等离子体处理工序中，在第一构件的表面上形成氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在将经等离子体处理过的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自第一构件的表面去除氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN112951717B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202011388472.0
申请日：2020-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种通过第一阶段和第二阶段处理基板的设备和方法。在第一阶段，在保持有基板的腔室中执行混合气体施用循环。引入第一气体持续第一时间段，以使第一气体的组分吸附到基板上。随后，引入第二气体持续第二时间段，以使第二气体与第一气体的组分反应以在基板的图案的侧壁上提供保护层，并且第二气体蚀刻图案的底部，第一时间段与第二时间段之比为使用比。然后，在第二阶段，以对应于图案的竖直尺寸的不同的使用比重复混合气体施用循环。
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公开(公告)号：CN112951717A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011388472.0
申请日：2020-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种通过第一阶段和第二阶段处理基板的设备和方法。在第一阶段，在保持有基板的腔室中执行混合气体施用循环。引入第一气体持续第一时间段，以使第一气体的组分吸附到基板上。随后，引入第二气体持续第二时间段，以使第二气体与第一气体的组分反应以在基板的图案的侧壁上提供保护层，并且第二气体蚀刻图案的底部，第一时间段与第二时间段之比为使用比。然后，在第二阶段，以对应于图案的竖直尺寸的不同的使用比重复混合气体施用循环。
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公开(公告)号：CN111326414A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911249113.4
申请日：2019-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。
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公开(公告)号：CN109755123A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811317005.1
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体蚀刻方法包括：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀刻工序，其将形成有保护膜的含金属膜作为掩模，利用第二处理气体的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104867827B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510080883.6
申请日：2015-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , C23C2/006 , H01J37/32091 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31055 , H01L21/311 , H01L21/76897
Abstract: 本发明提供一种对由氧化硅构成的区域进行蚀刻的蚀刻方法。一技术方案的蚀刻方法包括以下工序：将具有由氧化硅构成的区域的被处理体暴露在含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中的工序(a)，在该工序(a)中，对该区域进行蚀刻且在该区域上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对所述区域进行蚀刻的工序(b)，在该方法中，交替地重复执行工序(a)和工序(b)。
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公开(公告)号：CN106067417A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610247871.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着，在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。
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公开(公告)号：CN100337312C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03803389.5
申请日：2003-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J2237/334 , H01L21/31144
Abstract: 在氧化硅膜101上形成期望图案的掩模材料层102，使用C5F8+O2合计流量相对于Ar流量的比率((C5F8+O2)/Ar)值为0.02(2%)以下的混合气体，通过等离子体蚀刻，按照掩模材料层102的图案形状，蚀刻氧化硅膜101的露出部分，在氧化硅膜101中形成近乎垂直的直角部分。由此，可以抑制微沟槽的产生，可以精度良好地进行期望形状的蚀刻。
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公开(公告)号：CN1628375A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03803389.5
申请日：2003-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J2237/334 , H01L21/31144
Abstract: 在氧化硅膜101上形成期望图案的掩模材料层102，使用C5F8+O2合计流量相对于Ar流量的比率((C5F8+O2)/Ar)值为0.02(2％)以下的混合气体，通过等离子体蚀刻，按照掩模材料层102的图案形状，蚀刻氧化硅膜101的露出部分，在氧化硅膜101中形成近乎垂直的直角部分。由此，可以抑制微沟槽的产生，可以精度良好地进行期望形状的蚀刻。
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