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公开(公告)号：CN112447515A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010829812.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在化合物的环境中，对形成有掩模膜的蚀刻对象进行蚀刻的步骤，当蚀刻对象包含氮化硅SiN时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，当蚀刻对象包含硅Si时，对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包括在存在氮N、氢H和氟F的环境中对蚀刻对象进行蚀刻的工序，化合物包含：碳C以及选自氯Cl、溴Br和碘I中的至少一种卤素。本发明能够改善蚀刻孔的形状并且提高掩模选择比。
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公开(公告)号：CN111627806A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010106983.2
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置实现的基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤。步骤b)是在凹部的侧壁形成沿凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤。步骤b)包括步骤b-1)和步骤b-2)。步骤b-1)是供给第1反应物，使第1反应物吸附到凹部的侧壁的步骤。步骤b-2)是供给第2反应物，使第1反应物与第2反应物反应而形成膜的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。
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公开(公告)号：CN111081530A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910847199.4
申请日：2019-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/30 , H01J37/305
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。例示的实施方式的含硅膜的蚀刻方法，包括在等离子体处理装置的腔室主体内准备被加工物的工序。被加工物具有含硅膜和掩模。掩模设置于含硅膜上。在掩模形成有开口。蚀刻方法还包括蚀刻含硅膜的工序。在进行蚀刻的工序中，为了蚀刻含硅膜，在腔室主体内生成含有碳和七氟化碘的处理气体的等离子体。本发明能够抑制含硅膜的横向的蚀刻。
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公开(公告)号：CN107078050A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060311.X
申请日：2015-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522 , H05H1/46
Abstract: 一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤；和利用含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对第一区域进行蚀刻的步骤。在该方法中，交替反复执行1次以上的流程和使含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。
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公开(公告)号：CN104716025A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410663832.1
申请日：2014-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/67109 , H01L21/76802 , H01L21/76813
Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。
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公开(公告)号：CN119698688A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059416.8
申请日：2023-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种对具有不同的开口尺寸的区域进行蚀刻的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法，该蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，在腔室内的基板支承部上准备具有含硅膜和掩模的基板，该含硅膜具有第一凹部以及开口尺寸比第一凹部的开口尺寸小的第二凹部，该掩模设置在含硅膜上且具有使第一凹部和第二凹部露出的开口；工序(b)，在腔室内，使用从第一处理气体生成的等离子体至少在第一凹部形成沉积膜，第一处理气体包含从由C3F6气体、C4F6气体、C4F8气体、异丙醇(IPA)气体、C3H2F4气体以及C4H2F6气体构成的组中选择的至少一种气体；以及工序(c)，在腔室内，使用从第二处理气体生成的等离子体在第一凹部和第二凹部中对含硅膜进行蚀刻，其中，在工序(b)中，基板支承部的温度被设定为0℃以下，并且腔室内的压力比工序(c)中的腔室内的压力高。
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公开(公告)号：CN116805579B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202310255900.X
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
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公开(公告)号：CN111261514B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910857745.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。
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公开(公告)号：CN117995672A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311397947.6
申请日：2023-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 一种蚀刻方法，其包括：(a)向具备腔室、基板支承器、被供应源功率的等离子体生成部、及被供应偏置功率的偏置电极的等离子体处理装置的基板支承器提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序；及(b)对蚀刻对象膜进行蚀刻而形成凹部的工序。在(b)中，以包括第1期间及第2期间的周期周期性地供应源功率及偏置功率。在第1期间内对蚀刻对象膜进行蚀刻，在第2期间内第2处理气体吸附于蚀刻对象膜。
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公开(公告)号：CN111627809B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010101737.8
申请日：2020-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。
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