公开(公告)号：CN100416773C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200380104294.2

申请日：2003-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兴石公 ,  广瀬润 ,  小笠原正宏 ,  平野太一 ,  佐佐木宽充 ,  吉田哲雄 ,  斋藤道茂 ,  石原博之 ,  大薮淳 ,  沼田幸治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32935

Abstract: 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。

公开(公告)号：CN1717789A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104293.8

申请日：2003-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 兴石公 ,  广瀬润 ,  小笠原正宏 ,  平野太一 ,  佐佐木宽充 ,  吉田哲雄 ,  斋藤道茂 ,  石原博之 ,  大薮淳 ,  沼田幸治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32587

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。