公开(公告)号：CN104025266B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280064757.6

申请日：2012-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社大亨

Inventor： 山田纪和 ,  立川俊文 ,  永海幸一 ,  池成达也 ,  前原大辅

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32155 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置，在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配器(40、42)与第1和第2高频电源(36、38)电连接。第1高频电源(36)由线性放大器方式的高频电源构成，输出等离子体生成用的第1高频(RF1)。第2高频电源(38)由开关方式的高频电源构成，输出离子引入用的第2高频(RF2)。第2高频电源(38)侧的高频供电线(43)与残留高频除去部(74)连接。

公开(公告)号：CN103258707A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310162785.8

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN102737942A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210091861.6

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/327

Abstract: 本发明提供一种能够提高蚀刻的加工控制性的基板处理装置。基板处理装置(10)包括：内部被减压的腔室(11)；配置在该腔室(11)内、载置晶片(W)的基座(12)；对基座(12)施加等离子体生成用高频电压的HF高频电源(18)；对基座(12)施加偏置电压产生用高频电压的LF高频电源(20)；和对基座(12)施加矩形波状的直流电压的直流电压施加单元(23)。

公开(公告)号：CN101499399A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN1287430C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN02811961.4

申请日：2002-06-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭嶋悦夫 ,  山田纪和

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/32137

Abstract: 从图1(a)所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有HBr的气体，例如HBr+Cl2的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图1(b)所示，在露出硅氧化膜层(102)之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有HBr的气体，例如单一的HBr气体，在比第一压力高的第二压力下，进行过蚀刻工序，如图1(c)所示，完全露出硅氧化膜层(102)。这样，与现有技术比较，能够提高含硅的导电膜层对硅氧化膜的选择比，能够不蚀刻作为基层的硅氧化膜层，而且不扰乱含硅的导电膜层的蚀刻形状，能够确实地仅蚀刻除去希望的含硅的导电膜层。

公开(公告)号：CN1516893A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN02811961.4

申请日：2002-06-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭嵨悦夫 ,  山田纪和

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/32137

Abstract: 从图1(a)所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有HBr的气体，例如HBr+Cl2的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图1(b)所示，在露出硅氧化膜层(102)之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有HBr的气体，例如单一的HBr气体，在比第一压力高的第二压力下，进行过蚀刻工序，如图1(c)所示，完全露出硅氧化膜层(102)。这样，与现有技术比较，能够提高含硅的导电膜层对硅氧化膜的选择比，能够不蚀刻作为基层的硅氧化膜层，而且不扰乱含硅的导电膜层的蚀刻形状，能够确实地仅蚀刻除去希望的含硅的导电膜层。