公开(公告)号：CN101326620A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200780000645.3

申请日：2007-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有贺美辉 ,  山崎和良 ,  青山真太郎 ,  下村晃司

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理，将上述被处理基板在上述第一位置处理后，在上述第二处理位置在30秒以内开始对其处理。

公开(公告)号：CN1692477A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100584.X

申请日：2003-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎和良 ,  青山真太郎 ,  井下田真信 ,  神力博

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 为了将增膜抑制到最小限度地有效地进行氮化非常薄的、膜厚0.4nm或以下的氧化膜、氮氧化膜，由氧自由基形成机构来形成氧自由基，利用形成的氧自由基，氧化硅基板，在硅基板上形成氧化膜，进一步由氮自由基形成机构来形成氮自由基，氮化所述氧化膜表面来形成氮氧化膜。