-
公开(公告)号：CN101481798A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910001978.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
-
公开(公告)号：CN101298667A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810109994.5
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在第一处理后，进行稳定化处理容器内的状态的稳定化处理的工序，稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给处理容器内部，进行等离子体化；在稳定化处理后，将基板搬入处理容器内，在载置台的上面上载置基板的工序；和向处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD进行主成膜处理，由此在载置台上的基板上形成膜的工序。
-
公开(公告)号：CN118773582A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410394106.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种成膜装置和成膜方法，稳定地形成锆膜。成膜装置具备：处理容器，其内部被减压；电极，其用于使该处理容器的内部的处理空间产生电场；高频电源，其向该电极供给高频电力；载置台，其配置于处理容器的内部，用于载置基板；以及成膜气体导入部，其向处理空间导入气化后的氯化锆，其中，成膜气体导入部由金属构成，成膜气体导入部接地。
-
公开(公告)号：CN1777694B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200380100145.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/4408 , C23C16/50 , H01L21/28562
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD在被处理基板(W)上形成规定薄膜的成膜方法，该方法至少交替各进行一次所述第一以及第二工序。第一工序中，一边将含有薄膜成份的化合物气体和还原气体供给到收纳基板(W)的处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第一等离子体。第二工序中，继第一工序之后，一边将所述还原气体供给到处理腔室(51)内，一边在处理腔室(51)内生成第二等离子体。
-
公开(公告)号：CN100587108C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200680000326.8
申请日：2006-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/285 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L22/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，预先测定被处理基板的红外线吸收率或红外线穿透率，根据该测定值，利用可相互独立控制地设置的第一区域和上述第二区域的温度调节单元，至少对被处理基板中央部的第一区域和其外侧的第二区域独立地调节温度，并对被处理基板进行处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100564587C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200380100730.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/68
Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。
-
公开(公告)号：CN100474517C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580000473.0
申请日：2005-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , C23C16/14 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0281 , C23C16/34 , H01J37/321 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76814 , H01L21/76856 , Y10S438/905 , Y10S438/906 , Y10S438/974
Abstract: 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。
-
公开(公告)号：CN1969059A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200680000326.8
申请日：2006-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/285 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67248 , H01L22/10
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，预先测定被处理基板的红外线吸收率或红外线穿透率，根据该测定值，利用可相互独立控制地设置的第一区域和上述第二区域的温度调节单元，至少对被处理基板中央部的第一区域和其外侧的第二区域独立地调节温度，并对被处理基板进行处理。
-
公开(公告)号：CN1954095A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015706.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H05B3/143
Abstract: 本发明提供一种处理装置，其具有可防止因埋设的加热器的加热而发生破裂的载置台。载置晶片(W)的载置台(32A)具有多个区域(32Aa、32Ab)，在多个区域的每一个内，独立地埋设有多个加热器中的一个。埋设在相邻区域中的一方(32Aa)中的加热器(35Aa)，具有延伸至另一方的区域(32Ab)内的部分(35Aa2)，埋设在相邻区域中的另一方的区域(32Ab)中的加热器(35Ab)，具有延伸至一方的区域(32Aa)内的部分(35Ab2)。
-
公开(公告)号：CN1806315A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200580000473.0
申请日：2005-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , C23C16/14 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0281 , C23C16/34 , H01J37/321 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76814 , H01L21/76856 , Y10S438/905 , Y10S438/906 , Y10S438/974
Abstract: 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.025 seconds)
