公开(公告)号：CN108242392A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3085 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN102770942B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201180010024.X

申请日：2011-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  布瀬晓志

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置，能够避开微观粗糙度、水印、基板材料损失、器件结构的破坏这些湿式清洗具有的技术课题，并且与极低温喷雾照射方法相比较，能够从基板除去更加多种多样的污染物。在清洗附着有被清洗物的晶片W的基板清洗装置中，包括：将清洗剂分子集合多个而成的团簇喷射到晶片W的团簇喷射装置；吸引通过喷射上述清洗剂分子的团簇而被除去的被清洗物的吸引装置；和使晶片W以及上述团簇喷射装置沿着附着有被清洗物的晶片W的面相对移动的装置。

公开(公告)号：CN104137233A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380011286.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 松尾二郎 ,  濑木利夫 ,  青木学聪 ,  土桥和也 ,  井内健介 ,  齐藤美佐子

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种能够以较高的去除率去除附着于基板表面的微粒的技术。取得与附着于作为基板的晶圆(W)的微粒(100)有关的、包括粒径在内的微粒信息(74)，根据该微粒信息(74)来调整与清洗用气体的作为原子或分子的聚集体的气体团簇(200)的粒径有关的因素、例如气体压力。之后，自压力比晶圆(W)所处的处理气氛的压力高的区域向处理气氛喷射上述清洗用气体，通过绝热膨胀生成上述气体团簇(200)。当将该气体团簇(200)向晶圆(W)的表面垂直地照射时，能够利用具有与微粒(100)的粒径相匹配的粒径的气体团簇(200)来进行清洗处理，其结果，即使在晶圆(W)的表面形成有用于形成电路图案的凹部(81)，也能够以较高的去除率去除凹部(81)内的微粒(100)。

公开(公告)号：CN103650117A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033416.2

申请日：2012-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井内健介 ,  土桥和也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 在抑制在被处理体的表面上形成的图案的塌陷或被处理体的表面的膜粗糙化等对被处理体造成的损伤的同时易于去除附着于被处理体的表面的微粒等附着物。作为前处理，向晶圆（W）供给氟化氢的蒸气而使晶圆（W）的表面的自然氧化膜（11）溶解，从而使附着于上述自然氧化膜（11）的表面的附着物（10）成为自表面浮起的状态。之后，自压力比晶圆（W）所处的气氛的压力高的区域供给与基底膜（12）之间不具有反应性的二氧化碳气体，该气体通过绝热膨胀而被冷却到冷凝温度以下而产生气体团簇。然后，通过将该气体团簇以非离子化的状态向晶圆（W）照射，去除附着物（10）。

公开(公告)号：CN102906858A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180013426.5

申请日：2011-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  布瀬晓志

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/422 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种抗蚀剂除去装置，其不氧化抗蚀剂以外的基板材料，与使用溶剂的现有的抗蚀剂除去方法相比能够更有效地除去抗蚀剂。从形成有抗蚀剂的晶片（W）除去抗蚀剂的抗蚀剂除去装置中，具有对晶片（W）喷射多个有机类溶剂分子集合而成的簇的簇喷射单元（3）。

公开(公告)号：CN102728580A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210086786.4

申请日：2012-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  井内健介 ,  清水昭贵 ,  安田健太 ,  吉野裕 ,  相田敏广 ,  妹尾武彦

IPC: B08B5/02 ,  B08B13/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板的有效区域的负面影响的状态下，良好地清洗基板的周边部的不要部位的技术。将在蚀刻工序中暴露而导致表面侧斜面部生成有针状突起群T，并且在背面侧的斜面部附着有复合化合物P的晶圆W放置于真空室内的旋转台。在真空室内，在晶圆W的上方侧以及下方侧设置有气体团簇喷嘴，从这些喷嘴向晶圆W的表面侧以及背面侧的斜面部照射与清洗处理对应的清洗气体的团簇C，并利用基于气体团簇C的碰撞的物理作用、和气体与除去对象部位的化学作用，除去针状突起群T以及复合化合物P。并且，通过将清扫气体向气体团簇C的照射位置排出，以防止由于清洗而产生的飞散物向晶圆W的再附着。

公开(公告)号：CN101333666B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200810094770.1

申请日：2004-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河南博 ,  田村登 ,  土桥和也

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下执行的。

公开(公告)号：CN101405855A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009926.5

申请日：2007-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  川村茂 ,  继田浩平 ,  林辉幸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G01N21/3103 ,  G01N21/68 ,  H01J49/0463

Abstract: 本发明公开的分析装置，包括：第一处理部，其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处理部，其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。

公开(公告)号：CN108242392B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN110462794B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201880020478.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  折居武彦 ,  斋藤幸正 ,  小池国彦 ,  妹尾武彦 ,  泉浩一 ,  吉野裕 ,  荘所正 ,  兼平圭太

IPC: H01L21/304

Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。