公开(公告)号：CN111383986A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911314810.3

申请日：2019-12-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多贺敏 ,  佐藤直行 ,  西田辰夫

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 例示性实施方式所涉及的基板载置台具备基座及设置于基座上的静电卡盘。静电卡盘具备层叠部、中间层及包覆层。层叠部设置于基座上。中间层设置于层叠部上。包覆层设置于中间层上。层叠部具备第1层、电极层及第2层。第1层设置于基座上。电极层设置于第1层上。第2层设置于电极层上。中间层设置于第2层与包覆层之间，且与第2层和包覆层紧贴。第2层为树脂层。包覆层为陶瓷。

公开(公告)号：CN109841476A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811440918.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须川直树 ,  佐藤直行 ,  永关一也

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。

公开(公告)号：CN102420089A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110296183.2

申请日：2011-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤直行 ,  长山将之 ,  长久保启一

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置。该等离子体蚀刻用的电极板能够将贯通电极板的多种类型的气孔的配置最优化。等离子体蚀刻用的电极板(160)呈具有规定的厚度的圆板状，在同心圆状的多个不同的圆周上形成有将电极板(160)的一个面铅垂地贯通的多个气孔，在沿着径向将电极板(160)分割成两个以上的区域中的各区域形成有不同类型的气孔。