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公开(公告)号：CN111886935B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980017588.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN111341637B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911273989.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够将具有所需离子能量的离子高效地供给至基片的等离子体处理装置。一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，第1高频电源经由第1匹配器与设置于腔室内的基片支承台的下部电极连接。第1高频电源将偏置用的第1高频功率向下部电极供给。第2高频电源经由第2匹配器与负载连接。第2高频电源将等离子体生成用的第2高频功率向负载供给。第2匹配器的控制器为了减少第1高频功率的各周期内的被指定的部分期间中的来自第2高频电源的负载的反射，设定所述第2匹配器的匹配电路的阻抗。
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公开(公告)号：CN111048389B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201910958296.0
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极，在第一期间内停止对下部电极供给第一高频功率，在第二期间内的第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，第二高频功率具有比第一高频功率的频率高的频率。本发明能够设定蚀刻中使用的离子的能量。
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公开(公告)号：CN111524781B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010070264.X
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一例示性实施方式所涉及的高频电源具备构成为产生高频电力的发电机。高频电力包含多个电力成分。多个电力成分分别具有以指定频率的间隔相对于基本频率对称设定的多个频率。高频电力的包络线具有以指定频率或以该指定频率的2倍以上倍数的频率且按规定的时间间隔周期性出现的峰值。高频电力的功率级设定成在除了峰值的每一个出现时刻紧前的包络线的零交叉区域与该出现时刻紧后的包络线的零交叉区域之间的期间以外的期间为零。
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公开(公告)号：CN111052874B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201980004388.3
申请日：2019-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/3065
Abstract: 例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、高频电源部和修正信号生成部。高频电源部在第一期间输出脉冲状的高频电功率。高频电源部在第一区间之后的一个以上的第二期间输出合成高频电功率。修正信号生成部生成相对于第一期间的反射波监测信号以反相振荡的修正信号。高频电源部使用修正信号来生成合成高频电功率。电源部交替地反复进行第一期间的脉冲状的高频电功率的输出和一个以上的第二期间的合成高频电功率的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113228830A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980087489.1
申请日：2019-12-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，脉冲状的负极性的直流电压被周期性地施加到下部电极。规定脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的周期的频率低于为了生成等离子体而被供给的高频电力的频率。高频电力在周期内的第1部分期间内供给。周期内的第2部分期间的高频电力的功率电平被设定为从第1部分期间的高频电力的功率电平减少的功率电平。
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公开(公告)号：CN112614770A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011544996.4
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。
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公开(公告)号：CN111524782A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010070561.4
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
Abstract: 在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的期间，停止供应高频电力。一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级。
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公开(公告)号：CN111048389A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910958296.0
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极，在第一期间内停止对下部电极供给第一高频功率，在第二期间内的第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，第二高频功率具有比第一高频功率的频率高的频率。本发明能够设定蚀刻中使用的离子的能量。
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公开(公告)号：CN107535043B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680026715.1
申请日：2016-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 等离子体处理装置包括：处理容器；载波组生成部，其生成由分别具有彼此不同的频率的多个载波构成的载波组，其中上述频率属于以规定的中心频率为中心的规定的频带；和使用载波组在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部。
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