公开(公告)号：CN103118853B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201180044039.8

申请日：2011-09-16

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 堀江将人 ,  东大路卓司 ,  横山希

IPC: B29C55/12 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08G63/183 ,  B29C55/12 ,  B29K2067/00 ,  B29L2017/008 ,  C08G63/13 ,  C08G63/137 ,  C08G63/189 ,  C08G63/199 ,  C08G63/88 ,  G11B5/7305

Abstract: 本发明提供宽度方向的杨氏模量和长度方向的杨氏模量之比为1.5～3、长度方向、宽度方向和厚度方向的折射率的平均值为1.590～1.680、微小熔解峰温度为160～190℃，以及宽度方向的湿度膨胀系数为0～6ppm/%RH的双轴取向聚酯膜。通过本发明，提供了在变为磁记录介质后，因环境变化而造成的尺寸变化少、保存稳定性优异、切条性、制膜性和工序适合性良好的双轴取向聚酯膜。

公开(公告)号：CN101313357B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200680043797.7

申请日：2006-09-21

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 堀江将人 ,  佐藤诚 ,  东大路卓司 ,  中森由佳里 ,  渡边宏聪

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/78

CPC classification number: G11B5/7305

Abstract: 本发明提供一种尺寸稳定性、抗裂性优异的支持体，所述支持体特别是在形成磁记录介质时，能够制得由环境变化所引起的尺寸变化小、出错率少的高密度磁记录介质。本发明的磁记录介质用支持体，是在聚酯薄膜的两面设有含金属系氧化物的层即M层，并且这些M层的厚度均为50～200nm的磁记录介质用支持体，其特征在于，该磁记录介质用支持体的总光线透过率为0～75％，各个表面的表面电阻率为1×102～1×1013Ω。