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公开(公告)号：CN101632927A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910194644.8
申请日：2009-08-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种材料制造技术领域的银镁铝复合金属氧化物及其制备方法。该银镁铝复合金属氧化物，组分及含量为：镁原子的摩尔数为金属原子总摩尔数的18～80％，铝原子的摩尔数为金属原子总摩尔数的15～80％，银原子的摩尔数为金属原子总摩尔数的0.01～5％，氧原子摩尔数与金属原子总摩尔数的比值(1.05～1.39)∶1。制备所述氧化物的方法包括如下步骤：取镁盐，铝盐和银盐，溶于水中，得金属盐混合溶液；配制碱的水溶液，冷却，搅拌条件下将碱的水溶液滴入金属盐混合溶液中，加热之后保温；过滤，得固体物质，洗涤至洗液为中性，干燥固体物质，煅烧，即得复合金属氧化物材料。本发明操作简单，制备的氧化物成分和粒度可控，有利于提高材料在催化和吸附方面的性能。
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公开(公告)号：CN1425707A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02155019.0
申请日：2002-12-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种固态基底表面有序排布纳米颗粒的方法属于纳米技术领域。本发明的具体步骤为：将带有亲水和疏水基团的链状有机分子溶于挥发性非水溶剂中。将与带有亲水和疏水基团的链状有机分子结合的纳米颗粒分散于上述溶液中。以纯水为底液，将上述含有纳米颗粒的非水溶液铺展在Langmuir槽中，控制水表面纳米颗粒单分子薄膜的膜压。用垂直提拉法将薄膜转移到处理过的固态基底表面形成Y－型LB膜。所制备的纳米颗粒薄膜经过高温退火或高能光线照射，一些有机分子离解，并从衬底上蒸发，纳米颗粒保留在基底上。所提供的方法具有简单易行，转移效率高，薄膜表面的颗粒排布有序，尺寸和厚度方便可调等特点，所制得的薄膜缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
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公开(公告)号：CN115449759A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239950.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端，第一开口端设置在坩埚本体的上沿；第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端，第二开口端与第一缝隙连通；坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构；坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时，铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金，影响蒸镀铝膜的纯度，且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。
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公开(公告)号：CN114578487A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210160444.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种集成有底部反射层的、垂直耦合的二元闪耀亚波长光栅耦合器，自上而下的薄膜功能层、键合层、底部反射层和衬底层。功能层为脊型结构，包括输入/出光栅耦合器、光子波导器件区域。输入/出光栅耦合器呈对称分布内设置有周期性排布的二元闪耀亚波长结构的光栅阵列，每个周期中设置有一个不同宽度的主级和次级亚波长光栅，相邻亚波长光栅之间形成宽度不一的间隔槽，最后一个次级亚波长光栅与中间的光波导区域相临近。降低器件复杂度的同时优化设计以实现最大光耦合效率，额外设置了底部反射层来防止光线向底部泄露，光纤和光栅之间所采用的完全垂直耦合方式还便于器件的测试和芯片的封装，结构较紧凑、制备工艺简单、可重复性好。
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公开(公告)号：CN110244520B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910429757.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法，包括：硅片涂胶步骤：在硅片表面进行涂布电子束光刻胶；电子束曝光显影步骤：对涂布有电子束光刻胶的硅片进行两次直写曝光并显影，得到至少两个相互垂直交叠的矩形图案；热回流步骤：对显影后的硅片进行加热；刻蚀步骤：对热回流后的硅片进行刻蚀。本发明通过使用电子束曝光临近效应以及热回流的方法，将制作纳米柱转化为直写光栅，使直写1mm2图形时间降低到20分钟，降为原来的1/80，极大地提高了图形直写效率。
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公开(公告)号：CN111045300A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911113066.0
申请日：2019-11-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀配合湿法辅助去除SU-8负性光刻胶的方法；包括：采用等离子体去胶工艺，通入O2/CF4混合气体去除基片上的SU-8负性光刻胶；采用湿法工艺，将经过等离子体去胶工艺的基片放入丙酮、乙醇中浸泡后并一同放入超声设备中超声处理，清洗，氮气吹干。本发明的方法可实现硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属结构等材料上SU-8负性光刻胶的有效去除。通过确定最优刻蚀工艺参数有效地解决现阶段SU-8负性光刻胶去胶难的问题，而且不会对基底材料和通过沉积、溅射和电镀等工艺制作的微结构产生损伤，从而可以广泛地应用在制作高深宽比模具、微流体、微光学等MEMS结构器件、生物医学和芯片封装等领域。
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公开(公告)号：CN102600503B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210050282.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种金纳米材料复合的组织工程支架材料的制备方法，第一步，将高分子材料在一定温度下加入溶剂中配制成溶液或溶胶；第二步，将步骤1制得的高分子溶液或溶胶与金纳米材料按一定比例混合，搅拌均匀并超声获得均匀的分散液；第三步，将步骤2制得的分散液采用静电纺丝、浇铸或冷冻交联法制成金纳米材料复合的组织工程支架材料。本发明利用金纳米材料的表面特性及物理化学特性，提高组织工程支架的刚性和导电性，改善组织工程支架表面的结构特性，提高细胞在支架材料表面的粘附性以及支架材料与组织间的粘附性和相容性，从而有利于促进细胞的生长和生物组织的修复。
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公开(公告)号：CN102544516A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210039290.1
申请日：2012-02-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯包覆磷酸铁锂的制备方法，将一定配比的石墨烯或氧化石墨烯分散于水溶液中，通过超声使其充分均匀分散，在搅拌并且通惰性气体的条件下分别按顺序加入一定配比磷酸铁锂的前驱体原材料，回流后洗涤并干燥得到氧化石墨烯或石墨烯包覆的磷酸铁锂材料，在含5v/v％H2的Ar混合气体氛围中高温退火最终获得石墨烯包覆的磷酸铁锂材料。与现有技术相比，本发明能够大大提高电子导电能力，为锂离子二次电池的应用提供了一种加工工艺简单、成本低廉、容量高且安全的锂离子二次电池正极材料。
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公开(公告)号：CN1309027C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410054208.8
申请日：2004-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/32 , H01L21/467 , H01L21/475 , C23F1/02
Abstract: 一种基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法，用于电子器件制造领域。本发明包括如下步骤：a.将单分散的无机纳米材料均匀排布在基底表面，形成纳米点、纳米线、纳米网状图形排列；b.以上述纳米阵列和图形作为掩膜，采用反应离子刻蚀或离子束刻蚀工艺，进行纳米图形和阵列的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列图案；c.去除表面的纳米材料，获得纳米图形和阵列。本发明所采用的刻蚀工艺与传统工艺兼容，同时在刻蚀过程中以制备好的纳米材料作为掩膜，扩大了所能刻蚀的基底材料种类，而且使刻蚀工艺简化、图形方便可调，易于控制，本发明方法具有简单易行，效率高，表面的图形可控等特点，所制得的图形缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
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公开(公告)号：CN1896247A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610026777.0
申请日：2006-05-22
Applicant: 上海交通大学医学院
Abstract: 本发明涉及一种成纤维细胞特异性非病毒载体及其构建和该载体的应用，本发明将成纤维细胞特异表达的I型胶原蛋白启动子与增强子克隆至目的基因上游构建成成纤维细胞特异性的载体，用脂质体非病毒的方法转染成纤维细胞，利用成纤维细胞特有的调控I型胶原蛋白转录表达机制，增强外源基因在成纤维细胞中的表达，使得成纤维细胞成为较为理想的基因递送细胞，同时避免了病毒载体的不安全性和较高的免疫原性。
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