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公开(公告)号：CN1538188A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200310108104.6
申请日：2003-10-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种箱体侧立式大面积薄膜太阳电池测试仪的光路装置，采用箱体式结构，主要由线光源脉冲氙灯、抛物面反射镜、挡板、光谱矫正滤镜和丝网滤镜、放置被测太阳电池组件的可调导轨等几部分构成。脉冲氙灯由两支在一条直线上的氙灯并联形成线光源，在脉冲氙灯与被测面之间设置的挡板正好挡住脉冲氙灯射向被测面的直射光线，脉冲氙灯及挡板由三自由度灯支座调节位置，在抛物面反射镜与被测太阳电池组件之间设置光谱矫正滤镜和丝网滤镜，抛物面反射镜面上镀有吸收红外光的反射膜。本发明结构紧凑，占用场地小，能实现大面积范围内光的均匀性，侧立式可调导轨能适应各种规格的被测太阳电池组件，可减小劳动强度，并能与自动化装置对接。
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公开(公告)号：CN1141597C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN01113031.8
申请日：2001-05-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R31/36
Abstract: 一种脉冲氙灯线光源台架式太阳电池组件测试仪，采用脉冲氙灯线光源和抛物面漫反射，光源与被测面之间装有滤光系统和丝网，实现光照均匀性，达到光谱要求。采用定电压电子负载作为测量用负载，并设置开路电压测试电路，线光源由氙灯电源电路控制，被测组件在定电压下产生的光电流经锁存，由计算机测控装置采样保存。本发明能在光脉冲重复性不一致的前提下，通过逐点闪光测量，采用数论方法拟合测量数据，实现I-V曲线的准确绘制和被测组件电性能参数的准确测量。
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公开(公告)号：CN1443870A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03116464.1
申请日：2003-04-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10－2Pa。本发明采用离子束溅射工艺，仅仅用氮气作为反应和溅射气体，并且薄膜远离浓氮离子束的直接轰击，减少了悬挂键复合缺陷的密度，省去了氢气的钝化过程，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，所获得的氮化碳薄膜的光电导增益，(光照的电导－暗电导)与暗电导的比值，可达106，可以用在光伏器件上，用作光激活层的新型光伏薄膜材料。
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公开(公告)号：CN1441504A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结制作；电感偶合等离子刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明简化了太阳电池工艺、将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。采用此工艺，可获得商业化大面积(103×103mm2)单晶硅太阳电池的效率达15.7％，此工艺也适用于多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率可达14.0％以上，(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
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公开(公告)号：CN1116614C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN01113032.6
申请日：2001-05-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R31/36 , F21V13/08 , F21W131/40 , F21Y111/00
Abstract: 一种脉冲氙灯三自由度抛物面漫反射太阳光模拟器，采用管状脉冲氙灯为线光源，沿线光源的轴线安置抛物面漫反射镜面，通过调整光源座上固定的X轴、Y轴、Z轴可调滑块，把线光源调到相对于抛物面漫反射镜面的合适位置，使被照组件所在平面的光均匀性达到要求，并在光路上设置了滤光片系统和丝网，以改善模拟光的光谱。本发明解决了光的均匀性和光谱拟合两个问题，达到适合太阳电池组件测试所需要的模拟太阳光要求。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1314134C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410052858.9
申请日：2004-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，获得的硅薄膜的光电导增益可达106，基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5%。
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公开(公告)号：CN1194821C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02150785.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: B05C5/00
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴，属于半导体电子材料镀膜领域。包括用于储存雾化蒸汽的容器，容器内储存用于沉积透明导电薄膜的雾化蒸汽，该喷嘴的底部具有一定规律分布的小孔作为喷孔，喷孔有小圆孔喷孔或长条形狭缝喷孔两种，小圆孔喷孔是一维分布的，形成一维喷嘴，或者，小圆孔喷孔形成两维分布的，则是二维喷嘴，由一条狭缝喷孔形成一维喷嘴，或者是多个长条型狭缝喷孔平行排列，形成二维喷嘴，喷嘴的下部，小圆孔喷孔或长条形狭缝喷孔，在衬底的正上方，离衬底的距离在5～100mm范围内，喷嘴的四侧设有阻隔板。本发明方块电阻可达4Ω/□，透过率达90%(600nm波长入射光)，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于5%。
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公开(公告)号：CN1588649A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410052858.9
申请日：2004-07-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法，衬底清洗：采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗，再将衬底放在去离子水中用超声波清洗，用去离子水冲洗数次，氮气吹干；制备本征非晶硅层：用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层，钨丝温度用光学高温计测量，加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定，用电子温度控制器控制温度，在衬底表面反应生长而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层；正、背面电极的形成：用溅射工艺在电池的正、背面形成电极；最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，获得的硅薄膜的光电导增益可达106，基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5％。
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公开(公告)号：CN1120375C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01113030.X
申请日：2001-05-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01R31/36
Abstract: 一种脉冲线光源形式的单体太阳电池测试仪，采用脉冲氙灯为线光源，采用定电压的电子负载电路进行测试，由计算机测控系统对测试过程控制并进行数据处理，定电压电子负载与温度补偿电路，过电流保护电路和定电压双反馈电路连接。光路系统中，采用线光源和抛物面反射镜面和两个平面镜反射相结合，达到模拟光的均匀性要求而保持测试仪较小的体积，线光源发出的模拟光经抛物面反射镜面的反射形成平行光，平行光经两个45度角的平面反射镜的反射后再通过滤光片，到达被测电池平面。本发明解决了稳态模拟器测试过程中温升问题，采用的抛物面加工简单，测控电路完善，实现单体太阳电池的准确测量。
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