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公开(公告)号：CN102464941A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110339737.2
申请日：2011-11-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D5/24 , C09D7/12 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池用的在湿式涂布法中使用的透明导电膜用组合物及通过该组合物制作的透明导电膜。本发明提供一种通过加大透明导电膜的折射率与光电转换层的折射率之差来增加透明导电膜-光电转换层界面处的反射光，且通过该增加的返回至光电转换层的光，提高薄膜太阳能电池的发电效率的透明导电膜及可形成该透明导电膜的透明导电膜用组合物。本发明的太阳能电池用的透明导电膜用组合物，其特征在于，包含导电性氧化物颗粒、平均粒径为1～50nm的倍半硅氧烷颗粒及粘合剂，且相对于导电性氧化物颗粒和倍半硅氧烷颗粒的合计100质量份，包含2～35质量份的倍半硅氧烷颗粒。
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公开(公告)号：CN102443289A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110304984.9
申请日：2011-09-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C09D1/00 , C09D5/24 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及在用于太阳能电池的湿式涂布法中使用的透明导电膜用组合物和由该组合物制作的透明导电膜。本发明提供通过使透明导电膜的折射率与光电转换层的折射率之差变大，增加透明导电膜-光电转换层界面的反射光，由该增加的返回至光电转换层的光使薄膜太阳能电池的发电效率提高的透明导电膜和可形成该透明导电膜的透明导电膜组合物。用于太阳能电池的透明导电膜用组合物的特征在于，包含导电性氧化物粒子、平均粒径为1～50nm的各向异性中空二氧化硅粒子和粘合剂，相对于导电性氧化物粒子和各向异性中空二氧化硅粒子的总计100质量份，包含2～35质量份的各向异性中空二氧化硅粒子。
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公开(公告)号：CN102263158A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110135103.5
申请日：2011-05-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱综合材料电子化成株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01B5/00 , H01B1/08 , H01B13/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳电池用的复合膜的形成方法及用该方法形成的复合膜。在经表面电极层叠在基材上的光电变换层上以湿式涂敷法涂敷含有导电性氧化物微粒子的分散液和含有粘结剂成分的分散液或者含有导电性氧化物微粒子和粘结剂成分这两者的透明导电膜形成用组成物，形成透明导电涂敷膜，以湿式涂敷法在该涂敷膜上涂敷导电性反射膜用组成物，形成导电性反射涂敷膜，烧结具有两涂敷膜的基材，形成由透明导电膜和导电性反射膜构成的复合膜，其中导电性氧化物微粒子包括具有非球形的各向异性形状的粒子或多个粒子凝聚形成的各向异性结构的凝聚体的任一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097513A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010529520.3
申请日：2010-10-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L31/052 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B05D7/04 , B05D7/24
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种导电性反射膜及其制造方法，该导电性反射膜无需真空工艺，从基材侧的反射率高，且显示与也可以作为太阳能电池用电极的主体相同程度的低电阻率。其特征在于：形成于在覆板型薄膜太阳能电池的光电转换层上成膜的透明导电膜上的导电性反射膜，通过湿式涂布法将包含金属纳米颗粒的组合物涂布在透明导电膜上，烧结具有该涂膜的基材，由此形成反射膜以使在所述反射膜与透明导电膜的界面的一部分具有空气层，该生成的空气层的相对于反射膜面积的总面积在5～70％范围内。
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公开(公告)号：CN1279548C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200410035179.0
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明公开了一种形成透明导电膜的组合物，其中该组合物包含分散溶液，该分散溶液由平均初级颗粒尺寸为5-50纳米的细金属粉末颗粒分散在含分散剂的溶剂中而制成；所述的细金属粉末形成二级颗粒，该二级颗粒的颗粒尺寸分布是10%累积颗粒尺寸最高达60纳米，50%累积颗粒尺寸为50～150纳米和90%累积颗粒尺寸为80～500纳米。
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公开(公告)号：CN1222483C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN98117535.X
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明涉及低电阻和低反射率的透明导电膜，它具有高反射率的底涂层，其中含细金属粉末和黑色粉末，以及二氧化硅为基的低反射率上涂层。底涂层表面呈凹凸状。凸部平均高度为20-300纳米，平均厚度50-150纳米。凹部平均厚度为凸部厚度的50-85%。将细金属粉末和黑色粉末在溶剂中的分散溶液涂在透明基体上、通过干燥形成无粘结剂的导电膜。在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物，形成二氧化硅为基的导电膜。
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公开(公告)号：CN1540678A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410035179.0
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明公开了一种双层结构的低电阻和低反射率的透明导电膜，其包括高反射率的在二氧化硅基体中含细金属粉末的底涂层和低反射率的基于二氧化硅的涂层，其适合于赋予CRT电磁波屏蔽性能和防眩性能。导电底涂层除细金属粉末外还可以包括一种黑色粉末(例如钛黑)。在该底涂层中，可以这样分布细金属粉末的二级颗粒以便形成具有其中不含细金属粉末的孔的二维网状结构。另外，底涂层的表面上具有凹凸不平之处：底涂层凸部分的平均厚度是50～150纳米和凹部分的平均厚度是凸部分平均厚度的50～85％，凸部分的平均高度是20～300纳米。这里也公开了各种不同的形成底涂层的涂层材料，每一种涂层材料均包括分散溶液，在该分散溶液中细金属粉末分散在含或不含烷氧基硅烷的溶剂中。通过在基体上涂覆该涂层材料，干燥所涂覆的膜，并且在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物以得到本发明透明导电膜。
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公开(公告)号：CN1220291A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN98117535.X
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明涉及低电阻和低反射率的透明导电膜,它具有高反射率的底涂层,其中含细金属粉末和黑色粉末,以及二氧化硅为基的低反射率上涂层。底涂层表面呈凹凸状。凸部平均高度为20－300纳米,平均厚度50－150纳米。凹部平均厚度为凸部厚度的50－85%。将细金属粉末和黑色粉末在溶剂中的分散溶液涂在透明基体上、通过干燥形成无粘结剂的导电膜。在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物,形成二氧化硅为基的导电膜。
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