公开(公告)号：CN102017187A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880128931.2

申请日：2008-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 米泽雅人 ,  筈见公一 ,  高见明宏 ,  森川浩昭 ,  西村邦彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。

公开(公告)号：CN101652866A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200780052695.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村邦彦 ,  松野繁

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种可以简便地形成纵横比大于0.5的组织的光伏装置的制造方法。包括：在硅基板上形成具有耐蚀刻性的膜的工序；通过照射焦点深度被调整为10μm以上的激光光束，在上述具有耐蚀刻性的膜上打开多个微细孔而使基底的硅基板表面露出的工序；以及对上述硅基板的表面进行蚀刻的工序，在使上述硅基板表面露出的工序中，在上述具有耐蚀刻性的膜的下部的硅基板上，在与上述微细孔同心的位置处形成微细凹陷。

公开(公告)号：CN115997284B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202080105006.9

申请日：2020-09-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今村谦 ,  藤川正洋 ,  西村邦彦 ,  柳生荣治

IPC: C30B29/04 ,  H01L23/373

Abstract: 提供能够降低用于抑制翘曲的成本的多晶金刚石基板。为此，多晶金刚石基板为具有第1主面及第2主面的多晶金刚石基板，且与第1主面及第2主面的平均粒径相比平均粒径小的面位于第1主面与第2主面之间。

公开(公告)号：CN113454758B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201980091663.X

申请日：2019-02-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤川正洋 ,  西村邦彦 ,  桧座秀一 ,  柳生荣治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/683 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 目的在于提供能够抑制半导体元件的不良的技术。半导体装置的制造方法具备：形成层叠体的工序，该层叠体在半导体基板的第1主面上依次配设有粘接保护层、粘接层、剥离层、支撑基板；去除形成有多个电路元件的部分以外的半导体基板的工序；将形成有电路元件的部分接合到转印基板的工序；去除剥离层、支撑基板及粘接层的工序；通过化学处理去除粘接保护层的工序；以及分割多个电路元件的工序。

公开(公告)号：CN116982160A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180095877.1

申请日：2021-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷口雄贵 ,  柳生荣治 ,  西村邦彦 ,  斋藤尚史 ,  山田高宽 ,  津波大介 ,  中村茉里香 ,  伊藤正尚

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明的目的在于提供一种降低鳍式晶体管的特性偏差的半导体装置。半导体装置具备基板、半导体层、元件区域以及多个鳍式晶体管。基板包括主面。半导体层作为构成基板的主面的表层而设置，或者设置在基板的主面上。半导体层具有在与基板的主面处于对应关系的晶面上具有相互等价的关系的多个晶体取向中的两个晶体取向所成的角度为60度或120度的晶体结构。元件区域由设置于基板的主面的多个单位元件区域构成。多个鳍式晶体管分别形成于多个单位元件区域中的半导体层。多个鳍式晶体管从元件区域的中央部朝向外周部呈放射状地延伸。多个鳍式晶体管中的彼此相邻的两个鳍式晶体管的间隔为60度或120度。

公开(公告)号：CN113841223A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201980096547.7

申请日：2019-05-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 桧座秀一 ,  西村邦彦 ,  藤川正洋 ,  滝口雄贵 ,  柳生荣治

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在工序(c)和(d)之后，将经薄板化的生长基板除去；工序(f)，在工序(e)之后，在氮化物半导体层上贴合第二支承基板；和工序(g)，在工序(f)之后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。

公开(公告)号：CN104521002A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201280075188.5

申请日：2012-08-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 米泽雅人 ,  西村邦彦 ,  太田成人 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。

公开(公告)号：CN102460656B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN200980159654.6

申请日：2009-06-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新延大介 ,  西村邦彦 ,  松野繁

IPC: H01L21/306 ,  H01L31/04 ,  H05K1/02 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括：在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。

公开(公告)号：CN103400898A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310332650.1

申请日：2008-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石原隆 ,  西村邦彦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法。不会比以往相比降低向外部电路取出光电流的效率，而可以与以往相比改善光电变换效率。具备：P型硅基板（101）；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层（102L）；在低电阻N型扩散层（102L）上形成的栅电极（111）；在背面形成的P+层（110）；以及在P+层（110）上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层（102L）的上表面到达硅基板（101）的方式，按照规定间隔设置的凹部（106），在相邻的凹部（106）之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层（102L），在从凹部（106）的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层（102H）。

公开(公告)号：CN103137529A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210497527.0

申请日：2012-11-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 太田成人 ,  西村邦彦

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/22 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L21/223 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67303 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明得到一种使用横型的热处理炉进行均匀性优良的热处理的半导体晶片的热处理方法及使用其的太阳能电池的制造方法。其具有：将多个半导体晶片（1）相互平行立起地搭载于处理用舟皿（2）的工序；沿多个半导体晶片（1）的平面相对于管（3）的延伸方向平行的方向将处理用舟皿（2）投入管（3）内的喷射器（5）的上方的空间的工序；从喷射器（5）的开口部（H）将原料气体向管（3）内连续地供给的同时加热管（3）的工序。