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公开(公告)号:CN107210291A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201680007637.0
申请日:2016-01-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/053 , H01L23/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/18 , H01L2224/29101 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/85205 , H01L2224/85801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2924/014 , H01L2924/206
Abstract: 半导体装置(1)主要具备半导体元件基板(3)、半导体元件(13)、壳体件(15)以及密封树脂(29)。在半导体元件基板(3)中,在基底板(5)的表面隔着绝缘基板(7)配置有导电性的第1电路基板(9)。在壳体件(15)设置有从内壁向着配置有半导体元件(13)的一侧突出的电路基板台(17)和电极端子(19)。在电路基板台(17)直接安装有导电性的第2电路基板(21)。电极端子(19)与第2电路基板(21)通过布线(25)电连接,第2电路基板(21)与半导体元件(13)通过布线(27)电连接。
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公开(公告)号:CN116325135B
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202080106393.8
申请日:2020-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体封装(100)具备半导体元件(1)、第1绝缘层(5)、第1布线层(6)、第2绝缘层(7)以及第2布线层(8)。第1绝缘层(5)覆盖半导体元件(1)。第1布线层(6)包括第1层部(61)。第1层部(61)覆盖第1绝缘层(5)。第2绝缘层(7)覆盖第1绝缘层(5)以及第1布线层(6)。第2布线层(8)通过第2贯通孔(TH2)以及第3贯通孔(TH3)与半导体元件(1)电连接。第2布线层(8)包括第2层部(81)。第2层部(81)覆盖第2绝缘层(7)。第2布线层(8)的第2层部(81)具有在夹着第2绝缘层(7)的状态下叠加于第1布线层(6)的第1层部(61)的部分。
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公开(公告)号:CN119365978A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202280097137.6
申请日:2022-06-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L23/29
Abstract: 半导体装置(100A、100B、100C、100D、100E)具备散热器(10)、半导体元件(20)、冷却器(40)、绝缘层(50)以及密封部件(70)。散热器具有第1面(10a)和作为第1面的相反面的第2面(10b)。半导体元件具有第3面(20a)和作为第3面的相反面的第4面(20b),并且配置成使第4面与第1面对置。以隔着绝缘层而与第1面对置的方式配置有冷却器。在冷却器的内部设置有使制冷剂流动的流路(41)。密封部件对散热器、半导体元件以及冷却器进行密封。在俯视时,冷却器的投影面积是散热器的投影面积以下。
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公开(公告)号:CN111801794B
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN201880089195.8
申请日:2018-12-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 原田耕三
Abstract: 半导体功率模块(1)具备基体板(3)、绝缘基板(7)、功率半导体元件(17)、外部端子(23)、主端子(31)、被连接体(33)、壳体(21)、高绝缘耐电压性树脂剂(25)、密封树脂(27)以及盖(29)。主端子(31)与被连接体(33)连接。被连接体(33)与金属板(13)直接接合。在被连接体(33)设置有收容主端子(31)的收容部(34)。在收容部(34)设置有狭缝部。狭缝部从收容部(34)中的绝缘基板(7)所处的下端侧朝向与绝缘基板(7)所处的一侧相反的一侧的上端侧延伸。
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公开(公告)号:CN115939061A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211184393.7
申请日:2022-09-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请的功率模块包括:具有热传导性的板状的散热器;至少热连接到散热器的一个面的半导体元件;一个面热连接到散热器的另一个面的板状的高散热绝缘粘接片材;一个面热连接到高散热绝缘粘接片材的另一个面的金属板;以及在使金属板的另一个面露出的状态下密封半导体元件、散热器、高散热绝缘粘接片材、金属板的密封树脂构件,高散热绝缘粘接片材是将树脂浸渍于陶瓷颗粒具有空隙并且整体烧结的多孔陶瓷烧结体后得到的复合体。
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公开(公告)号:CN114981956A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202080092647.5
申请日:2020-01-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率模块(101)具有绝缘基板(21)、壳体构件(6)、功率半导体元件(3)、底座构件(1)、密封构件(8)以及粘接构件(12)。绝缘基板(21)具有第一面(51)以及与第一面(51)相反侧的第二面(52)。壳体构件(6)在从与第一面(51)垂直的方向看时包围绝缘基板(21)。功率半导体元件(3)面对第一面(51)。底座构件(1)面对第二面(52)。密封构件(8)将功率半导体元件(3)和绝缘基板(21)进行密封,且与壳体构件(6)相接。粘接构件(12)将底座构件(1)与壳体构件(6)进行固定,且在从与第一面(51)垂直的方向看时包围绝缘基板(21)。底座构件(1)具有与粘接构件(12)相接的第三面(53)、与第三面(53)相连且与密封构件(8)相接的第四面(54)以及面对第二面(52)的第五面(55)。在从与第五面(55)垂直的方向上,第三面(53)的内侧端部(35)位于与第五面(55)不同的高度。第三面(53)相对于第四面(54)倾斜。
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公开(公告)号:CN114747000A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN201980102607.1
申请日:2019-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(50)具备半导体元件(1)、至少一个第1树脂部件(2)以及至少一个导电线(3)。半导体元件(1)包括表面电极(10)和本体部(11)。至少一个第1树脂部件(2)配置于表面电极(10)的第2面(10t)。至少一个导电线(3)包括接合部(30)。至少一个第1树脂部件(2)包括凸部(20)。凸部(20)向相对表面电极(10)与本体部(11)相反的一侧突出。至少一个导电线(3)包括凹部(31)。凹部(31)与接合部(30)相邻。凹部(31)沿着凸部(20)延伸。凹部(31)与凸部(20)嵌合。
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公开(公告)号:CN108369927A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201680068081.6
申请日:2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48111 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备:在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2;与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5;将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4;与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1;包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6;密封树脂8,其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域,室温下的树脂强度为0.12MPa以上,微晶化温度为-55℃以下,在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下,将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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