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公开(公告)号：CN107431014B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201680021359.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D3/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的在于，提供在具有含有含碳硅氧化物(SiOC)的材料的晶圆的制造工序中用于去除晶圆表面上的SiOC的清洗液、及使用其的清洗方法。本发明的清洗液的特征在于，包含氟化合物2质量％～30质量％、属于铵盐或胺的特定阳离子性表面活性剂0.0001质量％～20质量％及水，并且pH值为0～4。
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公开(公告)号：CN107148664B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580057475.7
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/02 , C11D7/38 , C11D17/08
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low‑k膜)、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯酸和高氯酸盐组成的组中的1种以上的氧化剂0.002～50质量％、碱土金属化合物0.000001～5质量％和水。
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公开(公告)号：CN110731004A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880034028.3
申请日：2018-03-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 岛田宪司 , 普林安加·柏达那·普特拉
IPC: H01L21/304 , C09K3/00
Abstract: 根据本发明可以提供一种半导体基板的表面处理方法，其中，所述表面处理方法为使液体组合物与半导体基板接触、对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物的特征在于，包含：选自下述式(1)～(6)所示的表面活性剂或其盐中的2种以上各0.01～15质量％和水。(式(1)～(6)中，RF选自由碳数2～10的烷基等的氢被氟所取代的化合物组成的组。R1选自由共价键、碳数1～6的亚烷基等组成的组。RHP选自由羟基、磺酸基和羧基组成的组。R2、R3和R4选自由氢或碳数1～6的烷基等组成的组。R5、R6和R7选自由氢或碳数1～6的烷基等组成的组。X-选自由氢氧化物离子等组成的组。a表示3以上且20以下的整数。)RFR1RHP·······(1)RFR1(OCH2CH2)aOR2···(6)。
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公开(公告)号：CN105210176B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580000662.1
申请日：2015-03-31
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 岛田宪司
IPC: H01L21/304 , C11D7/10 , C11D7/18 , C11D7/32 , C11D7/36 , C11D17/08 , H01L21/027
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/36 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76807
Abstract: 本发明的目的在于，提供半导体集成电路的制造工序中使用的、抑制低介电常数层间绝缘膜、钴或钴合金的损伤、且去除硬掩模、干法蚀刻残渣的半导体元件的清洗用液体组合物和使用其的半导体元件的清洗方法。本发明的半导体元件的清洗用液体组合物包含：过氧化氢10～30质量％、氢氧化钾0.005～0.7质量％、氨基多亚甲基膦酸0.00001～0.01质量％、选自胺类和唑类中的至少1种0.001～5质量％和水。通过使该清洗用液体组合物与半导体元件接触，从而可以清洗半导体元件。
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公开(公告)号：CN103119693B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180040397.1
申请日：2011-07-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/28 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/401 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02068 , H01L21/28079 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/66545
Abstract: 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105210176A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201580000662.1
申请日：2015-03-31
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Inventor： 岛田宪司
IPC: H01L21/304 , C11D7/10 , C11D7/18 , C11D7/32 , C11D7/36 , C11D17/08 , H01L21/027
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/36 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76807
Abstract: 本发明的目的在于，提供半导体集成电路的制造工序中使用的、抑制低介电常数层间绝缘膜、钴或钴合金的损伤、且去除硬掩模、干法蚀刻残渣的半导体元件的清洗用液体组合物和使用其的半导体元件的清洗方法。本发明的半导体元件的清洗用液体组合物包含：过氧化氢10～30质量％、氢氧化钾0.005～0.7质量％、氨基多亚甲基膦酸0.00001～0.01质量％、选自胺类和唑类中的至少1种0.001～5质量％和水。通过使该清洗用液体组合物与半导体元件接触，从而可以清洗半导体元件。
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公开(公告)号：CN102160151B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN200980137077.0
申请日：2009-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02063 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种半导体元件制造用的铜布线材料表面保护液，其含有对炔二醇加成碳原子数2或3的氧化烯而成的炔二醇的氧化烯加成物。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件制造中，使用上述铜布线材料表面保护液对露出了铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板如下形成：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法而形成铜膜，并在其上通过镀覆法配置含有80质量％以上铜的铜布线，然后通过CMP(化学机械研磨)进行平坦化。
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公开(公告)号：CN102160151A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137077.0
申请日：2009-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02063 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种半导体元件制造用的铜布线材料表面保护液，其含有对炔二醇加成碳原子数2或3的氧化烯而成的炔二醇的氧化烯加成物。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件制造中，使用上述铜布线材料表面保护液对露出了铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板如下形成：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法而形成铜膜，并在其上通过镀覆法配置含有80质量％以上铜的铜布线，然后通过CMP(化学机械研磨)进行平坦化。
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公开(公告)号：CN101755324A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880100170.X
申请日：2008-07-03
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/34 , C23G1/04 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: C23G1/103 , C11D3/0073 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/06 , H01L21/02063 , H01L21/02068
Abstract: 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。
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公开(公告)号：CN107078044B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580056809.9
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料、和低介电常数层间绝缘膜，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质量％、防腐剂0.005～10质量％、碱土金属化合物0.000001～1质量％和水。
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