公开(公告)号：CN1719615A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200410075888.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/923

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管特征在于，在半导体层图案中的沟道中形成的低角度晶界相对于电流流动方向倾斜－15到15°。该方法包括：在衬底上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成第一盖层；在第一盖层上形成第二盖层，且构图第二盖层使得籽晶形成为线形；在构图的第二盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及晶化并构图非晶硅层来形成半导体层图案。因而，具有与电流流动方向近似平行的角度的沟道层可以通过形成和晶化线形籽晶而在低角度晶界形成。换句话说，器件特性可以通过调整晶体生长的位置和方向来改善并均匀化。

公开(公告)号：CN101373793A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810214019.0

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法以及具有该TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置。TFT包括：基板；设置在该基板上并且利用金属催化剂结晶的半导体层；设置在该半导体层上的栅绝缘层；设置在该栅绝缘层上的栅电极；设置在该栅电极上的层间绝缘层；以及设置在该层间绝缘层上并通过接触孔电连接至该半导体层的源区和漏区的源电极和漏电极，所述接触孔露出所述半导体层的源区和漏区的预定区域并在所述栅绝缘层和所述层间绝缘层内形成。位于每个接触孔下方的所述半导体层的从所述半导体层的表面到预定深度的区域内存在金属硅化物，所述金属硅化物包括与所述金属催化剂不同的金属。

公开(公告)号：CN101325220A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810125129.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管(TFT)、TFT的制造方法和包括TFT的显示装置。TFT包括具有沟道区域的半导体层，并且源极和漏极区域采用晶化诱导金属晶化。晶化诱导金属通过不同于晶化诱导金属的金属或者不同于晶化诱导金属的金属的金属硅化物吸除。半导体层的沟道区域的长度和宽度与半导体层的泄漏电流满足下面的等式：Ioff/W＝3.4×10－15L2+2.4×10－12L+c，其中Ioff(A)是该半导体层的泄漏电流，W(mm)是该沟道区域的宽度，L(μm)是该沟道区域的长度，而″c″是常数，范围为2.5×10－13至6.8×10－13。

公开(公告)号：CN101211979A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301181.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  丁世桓 ,  李基龙 ,  马克西姆·莉萨契克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器。所述晶体管包括：基底；有源区，包括源区、沟道区和漏区，所述源区、沟道区和漏区利用SGS结晶方法结晶，并且形成在基底上，使得第一退火部分和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同；栅极绝缘层，形成在有源区上；栅电极，形成在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN101110365A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710104043.4

申请日：2007-05-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种制造p型薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：在衬底上执行第一退火处理以通过覆盖层把金属催化剂扩散到无定形硅层的表面内，以及由于所扩散的金属催化剂而使无定形硅层结晶成多晶硅层；除去覆盖层；形成多晶硅层的图案以形成半导体层；在衬底上形成栅极绝缘层和栅极；把p型杂质离子植入半导体层；以及把吸气材料植入半导体层和执行第二退火处理以除去金属催化剂。这里，按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入p型杂质离子，而按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入吸气材料。

公开(公告)号：CN1758447A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200410095452.9

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其生产方法，其中在衬底上形成非晶硅，在非晶硅层上形成包含有根据其厚度而具有不同浓度的金属催化剂的覆盖层，构图该覆盖层以形成覆盖层图形，并且结晶该非晶硅层，以控制在非晶硅层和覆盖层图形之间的界面形成的籽晶的密度和位置，从而提高颗粒的尺寸和均匀性，并且在其中通过一个结晶工艺，在要求的位置选择性地形成要求的尺寸和均匀性的多晶硅，形成具有卓越的和所要求的特性的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1707810A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200410099717.2

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。