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公开(公告)号：CN109148328A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810631977.1
申请日：2018-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02057 , H01L21/67126 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67201
Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN114868455B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202180007479.X
申请日：2021-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种用户设备(UE)，包括：与第一蜂窝网络相对应的第一用户识别模块、与第二蜂窝网络相对应的第二用户识别模块、无线通信电路、以及可操作地连接到第一用户识别模块、第二用户识别模块和无线通信电路的处理器。其中处理器被配置为：控制UE通过无线通信电路，利用第一用户识别模块的第一识别信息与支持EUTRA NR双连接(EN‑DC)的第一蜂窝网络执行数据通信；检测触发通过第二蜂窝网络的数据通信的活动；以及响应于检测到该活动，通过无线通信电路利用第二用户识别模块的第二识别信息与第二蜂窝网络连接数据通信，并且维持对UE能力的与第一蜂窝网络相关联的EN‑DC的支持。
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公开(公告)号：CN118421318A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410023611.1
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友精细化工有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/306 , C09K13/00
Abstract: 本公开内容涉及用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物、和/或使用所述蚀刻剂组合物的图案的制备方法。所述蚀刻剂组合物可包括氧化剂、基于氟的化合物、由化学式1或2表示的表面活性剂和水。所述蚀刻剂组合物可以5重量％‑40重量％的量包括所述表面活性剂，基于100重量％的所述蚀刻剂组合物。
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公开(公告)号：CN118216097A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074957.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/08 , H04B7/06 , H04B17/318 , H04B17/336 , H04W52/02 , H04W88/06 , H04L65/1066 , H04L65/80
Abstract: 示例性电子装置包括多个天线和用于通过多个天线与第一通信网络或第二通信网络通信的至少一个通信处理器，其中，至少一个通信处理器能够被配置为使得电子装置可以通过第一通信网络与外部电子装置建立呼叫，电子装置可以检查在与外部电子装置的呼叫被连接的状态下与通信质量相关的信息，并且基于确认与通信质量相关的信息满足指定条件而执行减少多个天线中用于接收的天线的数量的操作。
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公开(公告)号：CN116904990A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310178446.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 东友精细化工有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含有高碘酸和铵离子且具有6至7.5的pH值的钌蚀刻液组合物、一种包括使用该蚀刻液组合物来蚀刻钌金属膜的图案形成方法、一种包括该图案形成方法的制造用于显示装置的阵列基板的方法、以及一种根据该制造方法制造的用于显示装置的阵列基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116472744A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202180078654.4
申请日：2021-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W36/00
Abstract: 根据各种实施例，一种电子装置包括用于支持第一无线电接入技术(RAT)和第二RAT的至少一个处理器，其中所述至少一个处理器可以被配置为：基于所述第一RAT，从网络接收包括测量对象(MO)的无线电资源控制(RRC)重新配置消息；基于识别出所述第一RAT和所述第二RAT的双连接(DC)处于受限状态，对基于所述MO识别的基于所述第二RAT的至少一个频率中满足与独立(SA)模式相关联的条件的至少一个第一频率执行测量；以及避免对所述至少一个频率中不满足所述条件的至少一个第二频率的测量。
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公开(公告)号：CN102117698A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
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公开(公告)号：CN1949482A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610132163.0
申请日：2006-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/90 , H01L21/0334 , H01L21/31144 , H01L27/10852
Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。
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公开(公告)号：CN110277314B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910127992.7
申请日：2019-02-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 易案爱富科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , C23C14/48
Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R‑Si(R1)n(OR2)3‑n的硅烷化合物，其中，R是(C3‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C3‑C20)烷基或(C3‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基，R2是氢、(C1‑C20)烷基、卤代(C1‑C20)烷基、(C6‑C12)芳基、(C6‑C12)芳基(C1‑C20)烷基或(C1‑C20)烷基(C6‑C12)芳基。
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