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公开(公告)号：CN114388031A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111082481.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统。所述非易失性存储器件包括上绝缘层。第一基板位于所述上绝缘层上。上层间绝缘层位于所述第一基板上。多条字线在第一方向上堆叠在所述第一基板上，并延伸穿过所述上层间绝缘层的一部分。下层间绝缘层位于所述上层间绝缘层上。第二基板位于所述下层间绝缘层上。下绝缘层位于所述第二基板上。虚设图案由填充材料构成。所述虚设图案设置在形成于所述第一基板和所述第二基板中的至少一者中的沟槽中。所述沟槽形成在所述上绝缘层与所述第一基板相接的表面和所述下绝缘层与所述第二基板相接的表面中的至少一者上。
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公开(公告)号：CN114300480A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111159083.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573
Abstract: 提供了非易失性存储装置和包括其的非易失性存储系统。所述非易失性存储装置包括：衬底，包括第一表面和在第一方向上与所述第一表面相对的第二表面；公共源极线，位于所述衬底的所述第一表面上；多条字线，堆叠在所述公共源极线上；第一绝缘图案，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述多条字线间隔开，并且位于所述衬底中；绝缘层，位于所述衬底的所述第二表面上；第一接触插塞，穿透所述第一绝缘图案并在所述第一方向上延伸；第二接触插塞，穿透所述绝缘层，在所述第一方向上延伸，并连接到所述第一接触插塞；上接合金属，连接到所述第一接触插塞并连接到电路元件；以及第一输入/输出焊盘，连接到所述第二接触插塞并电连接到所述电路元件。
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公开(公告)号：CN111435663A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010029757.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种半导体器件包括：栅电极，在与衬底上表面垂直的第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸不同的长度。该器件还包括：第一沟道和第二沟道，穿透栅电极并在第一方向上延伸；水平部分，设置在栅电极的下部中，并且将第一沟道和第二沟道的下部彼此连接；以及源极线，设置在第二沟道的上部中并连接到第二沟道。栅电极包括存储器单元中包括的存储器单元电极、设置在存储器单元电极的下部中的第一接地选择电极、设置在存储器单元电极的上部中的第二接地选择电极、以及设置在存储器单元电极的上部中的串选择电极。
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公开(公告)号：CN111276488A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911147656.5
申请日：2019-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：基板，包括单元区域和外围电路区域；在单元区域上的堆叠结构，该堆叠结构包括彼此分隔并依次堆叠的多个栅极图案；半导体图案，穿过堆叠结构连接到基板；外围电路元件，在外围电路区域上；第一层间绝缘膜，在单元区域和外围电路区域上，该第一层间绝缘膜覆盖外围电路元件；以及下接触，穿过第一层间绝缘膜连接到外围电路元件，下接触的顶表面的高度低于或等于所述多个栅极图案中在第一层间绝缘膜上的最下面的栅极图案的底表面的高度。
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公开(公告)号：CN109037223A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810573020.6
申请日：2018-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L23/528 , H01L23/53271 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L27/11551
Abstract: 公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。该单元阵列区域包括多个电极结构和多个垂直结构，该多个电极结构包括依次堆叠在体导电层上的多个电极，该多个垂直结构穿透电极结构并且连接到体导电层。外围电路区域包括剩余基板和在剩余基板上的外围晶体管。剩余基板具有比体导电层的顶表面高的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511447A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810163667.1
申请日：2018-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11563
CPC classification number: H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11517 , H01L27/11563
Abstract: 一种垂直存储器件包括：在衬底的外围电路区域上的栅极结构，衬底包括单元区域和外围电路区域，栅极结构包括第一栅电极；在衬底的单元区域上在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上分别顺序地设置在多个层处的第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极；在衬底的单元区域上延伸穿过第二栅电极的第一外延层；在第一外延层上在垂直方向上延伸穿过第三栅电极和第四栅电极的沟道；以及在衬底的外围电路区域的邻近于栅极结构的部分上的第二外延层。
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公开(公告)号：CN102623456A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110461204.1
申请日：2011-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C5/025 , G11C5/063 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供了一种具有参考特征的垂直非易失性存储装置。一种垂直非易失性存储装置具有在其中限定的单元阵列区的基底。虚设结构靠近单元阵列区的边界处设置在基底上或基底中。所述存储装置还包括多条垂直堆叠的栅极导电线并在栅极导电线之间设置有绝缘层，所述多条导电栅极线和设置的绝缘层与垂直沟道区侧向相邻地设置并横跨虚设结构延伸，导电栅极线和绝缘层中的至少最上面的一个在虚设结构的交叉处具有表面变形，所述表面变形被构造为用作参考特征。虚设结构可包括沟槽，并且表面变形可包括在沟槽上方的凹进。
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公开(公告)号：CN111180418B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201911105606.0
申请日：2019-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B41/35 , H10B41/20 , H01L21/768
Abstract: 公开了三维半导体存储器件及其制造方法。可以提供一种三维半导体存储器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括交替堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层，电极结构在连接区上具有阶梯部分；蚀刻停止结构，在电极结构的阶梯部分上；以及多个接触插塞，在连接区上，接触插塞穿透蚀刻停止结构并且分别连接到电极的对应焊盘部分。蚀刻停止结构可以包括蚀刻停止图案和水平介电层，水平介电层具有均匀的厚度并且覆盖蚀刻停止图案的顶表面和底表面。
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公开(公告)号：CN111952305B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010135776.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置包括：下存储器堆叠件，其包括位于衬底上的多条下字线；上存储器堆叠件，其位于下存储器堆叠件上并且包括多条上字线；至少一个第一下互连层，其在下存储器堆叠件与上存储器堆叠件之间在第一竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从所述多条下字线中选择的至少一条下字线；分离的绝缘膜，其覆盖至少一个第一下互连层；以及至少一个第一上互连层，其在高于上存储器堆叠件的第二竖直高度在水平方向上延伸，并且被构造为电连接至从上字线中选择的至少一条上字线。
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公开(公告)号：CN107452746B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710272619.1
申请日：2017-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了三维半导体器件。电极结构包括垂直地层叠在基板上的多个电极。多个电极的每个包括电极部、垫部分和突起。电极部平行于基板的顶表面并在第一方向上延伸。垫部分在相对于基板的顶表面垂直或倾斜的第三方向上从电极部延伸。突起在平行于第三方向的方向上从垫部分的一部分突出。当从平面图看时，多个电极的突起布置在第一方向和第二方向的对角线方向上，该第二方向平行于基板的顶表面并交叉第一方向。
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