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公开(公告)号：CN107195776A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710152792.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L27/222 , H01L45/16
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的多个第一导电图案、在多个第一导电图案的每个上的第一选择图案、在第一选择图案上的第一结构、在第一结构上的多个第二导电图案、在多个第二导电图案的每个上的第二选择图案、在第二选择图案上的第二结构以及在第二结构上的多个第三导电图案。第一结构可以包括第一可变电阻图案和第一加热电极。第一可变电阻图案和第一加热电极可以彼此接触以在其间具有第一接触面积。第二导电图案可以与第一导电图案交叉。第二结构可以包括第二可变电阻图案和第二加热电极。第二可变电阻图案和第二加热电极可以彼此接触以在其间具有第二接触面积，第二接触面积可以不同于第一接触面积。
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公开(公告)号：CN107195656A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710154182.1
申请日：2017-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L27/249 , H01L45/16
Abstract: 公开了一种半导体存储器件及其制造方法。第一导电线在基板上在第一方向上延伸并具有交替地形成在其上的多个突起和凹陷。第二导电线在第二方向上布置在第一导电线之上，使得第一导电线和第二导电线在突起处交叉。多个存储单元结构位于第一导电线的突起上并与第二导电线接触。热绝缘插塞位于第一导电线的凹陷上并减少在第一方向上的一对相邻的单元结构之间的热传递。因此，沿着导电线的相邻的单元结构之间的热串扰被减少。
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公开(公告)号：CN107026169A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710060821.8
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11551 , G11C16/02 , G11C16/06
Abstract: 本发明构思提供一种存储器件、包括该存储器件的电子设备以及制造该存储器件的方法，在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。
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公开(公告)号：CN1763986A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510096679.X
申请日：2005-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 高宽协
IPC: H01L45/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1691
Abstract: 提供制造具有小接触面积的相变存储器件的方法。该方法包括在半导体衬底上形成下层间绝缘层，以及在下层间绝缘层内形成下导体图形。在具有下导体图形的半导体衬底上形成第一绝缘层图形，第一绝缘层图形横穿下导体图形的顶表面。在第一绝缘层图形的侧壁上形成电连接到下导体图形的导电隔片图形。在具有导电隔片图形的半导体衬底上形成第一层间绝缘层。第一层间绝缘层和导电隔片图形被平整，以形成底电极。在具有底电极的半导体衬底上形成第二绝缘层图形，第二绝缘层图形横穿底电极的顶表面并露出部分底电极。在第二绝缘层图形的侧壁上形成电连接到底电极的相变材料隔片。在具有相变材料隔片的半导体衬底上形成第二层间绝缘层。第二层间绝缘层和相变材料隔片被平整，以形成相变材料图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1146961C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99111093.5
申请日：1999-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/31612 , H01L21/31625 , H01L21/3185
Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时，该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤，从而可以形成无空隙的电介质层。
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公开(公告)号：CN108987427B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201810515747.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。
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公开(公告)号：CN107195776B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201710152792.8
申请日：2017-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括在基板上的多个第一导电图案、在多个第一导电图案的每个上的第一选择图案、在第一选择图案上的第一结构、在第一结构上的多个第二导电图案、在多个第二导电图案的每个上的第二选择图案、在第二选择图案上的第二结构以及在第二结构上的多个第三导电图案。第一结构可以包括第一可变电阻图案和第一加热电极。第一可变电阻图案和第一加热电极可以彼此接触以在其间具有第一接触面积。第二导电图案可以与第一导电图案交叉。第二结构可以包括第二可变电阻图案和第二加热电极。第二可变电阻图案和第二加热电极可以彼此接触以在其间具有第二接触面积，第二接触面积可以不同于第一接触面积。
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