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公开(公告)号:CN116606568A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310121514.1
申请日:2023-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D11/30 , H10K50/115 , H10K71/15 , H10K71/13 , C09D11/36
Abstract: 公开了量子点墨组合物和量子点电致发光器件,所述量子点墨组合物具有改善的量子点的分散稳定性和着陆性质两者,所述量子点墨组合物包括多个量子点和包括至少以下溶剂a和以下溶剂b的混合溶剂并且具有约30mN/m至约40mN/m的表面张力:溶剂a:具有C4‑C16的直链烷基的环烷烃化合物,和溶剂b:具有C2‑C12的直链烷基的芳族烃化合物,所述量子点电致发光器件包括由所述量子点组合物形成的发光层。
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公开(公告)号:CN113889584A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202110734057.4
申请日:2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发光器件、制造发光器件的方法、以及包括发光器件的显示设备。所述发光器件包括:各自具有彼此相反的表面的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的包括量子点的发光层、以及设置在所述发光层和所述第二电极之间的电子辅助层,其中所述电子辅助层包括金属氧化物纳米颗粒,所述金属氧化物纳米颗粒包括结合至所述金属氧化物纳米颗粒的表面的有机酸的阴离子。
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公开(公告)号:CN112687817A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011107926.2
申请日:2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点发光器件和电子设备。量子点发光器件包括:第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第二电子传输层。所述第二电子传输层设置在所述量子点层和所述第一电子传输层之间,其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层各自包括无机材料。所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级比所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级浅,和所述量子点层的最低未占分子轨道能级比所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级浅。电子设备包括所述量子点发光器件。
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公开(公告)号:CN109817815A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201811275891.6
申请日:2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点器件和显示设备。量子点器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极;在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点层,和在所述量子点层与所述第二电极之间的电子辅助层,所述电子辅助层包括第一纳米颗粒和比所述第一纳米颗粒大的第二纳米颗粒,其中所述第一电极的功函大于所述第二电极的功函,和其中所述量子点层的最低未占分子轨道能级与所述电子辅助层的最低未占分子轨道能级之间的差值小于约1.1电子伏。
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公开(公告)号:CN105489660B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201510647147.4
申请日:2015-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0097 , A61B5/02427 , A61B5/6826 , H01L27/3225 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0094 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/52 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L51/5234 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/5338 , H01L2251/558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 提供能伸长的光电子器件、其制造方法、包括其的装置、发光器件、传感器系统和传感器电路。能伸长的和/或能折叠的光电子器件可包括在基底上的光电子器件部分。所述基底可包括弹性体聚合物并且可为能伸长的。所述光电子器件部分可配置成具有波状结构以便为能伸长的。所述光电子器件部分可包括石墨烯层和含有量子点(QD)的层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括包含弹性体聚合物并且在所述光电子器件部分上的封盖层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括与所述光电子器件部分的至少一个表面接触的塑料材料层。
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公开(公告)号:CN105489660A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510647147.4
申请日:2015-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/56
CPC classification number: H01L51/0097 , A61B5/02427 , A61B5/6826 , H01L27/3225 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0094 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/52 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L51/5234 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/5338 , H01L2251/558 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L33/06 , H01L31/0203 , H01L31/0352 , H01L31/035236 , H01L33/56
Abstract: 提供能伸长的光电子器件、其制造方法、包括其的装置、发光器件、传感器系统和传感器电路。能伸长的和/或能折叠的光电子器件可包括在基底上的光电子器件部分。所述基底可包括弹性体聚合物并且可为能伸长的。所述光电子器件部分可配置成具有波状结构以便为能伸长的。所述光电子器件部分可包括石墨烯层和含有量子点(QD)的层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括包含弹性体聚合物并且在所述光电子器件部分上的封盖层。所述能伸长的和/或能折叠的光电子器件可进一步包括与所述光电子器件部分的至少一个表面接触的塑料材料层。
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公开(公告)号:CN103059868B
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201210397296.6
申请日:2012-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/82 , C01P2006/40 , H01L29/127 , H01L29/20 , H01L29/22 , H01L29/7613
Abstract: 本发明提供颗粒、颗粒的溶液和制造纳米颗粒的方法。所述纳米颗粒的制造方法包括:提供金属硫属化物复合物(MCC)水合肼溶液;提供具有第一有机配体的纳米颗粒的第一有机溶液;通过混合MCC水合肼溶液和覆盖有第一有机配体的纳米颗粒的第一有机溶液形成混合溶液;和用MCC水合肼配体替换纳米颗粒的第一有机配体。
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公开(公告)号:CN118829329A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410468063.3
申请日:2024-04-18
IPC: H10K71/12 , H10K71/15 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及制造图案化的膜方法以及包括图案化的膜的电致发光器件和显示装置。制造图案化的膜的方法包括:形成包括半导体纳米颗粒和添加剂的第一膜,其中所述添加剂包括多硫醇化合物,所述半导体纳米颗粒包括有机配体(例如在其表面上),并且所述有机配体包括键合至所述半导体纳米颗粒的表面的第一官能团和碳‑碳不饱和键;将所述第一膜的一部分暴露于辐射以导致暴露区中的所述半导体纳米颗粒的相对于第一溶剂的溶解度的变化;使辐射处理的膜与所述第一溶剂接触以移除所述辐射处理的膜的未暴露区的至少一部分以获得图案化的膜。发光器件包括这样的图案化的膜作为发光层。
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公开(公告)号:CN110246973B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN201910173978.0
申请日:2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K99/00 , H10K101/40
Abstract: 公开了量子点器件和显示设备,所述量子点器件包括阳极、设置在所述阳极上的空穴注入层、设置在所述空穴注入层上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括量子点的量子点层、和设置在所述量子点层上的阴极,其中所述空穴传输层包括空穴传输材料和电子传输材料,并且在所述量子点层和所述电子传输材料之间的LUMO能级差小于或等于约0.5eV。
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公开(公告)号:CN118284254A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202311852339.X
申请日:2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K85/30 , H10K50/16 , H10K59/35
Abstract: 公开电致发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备。制造电致发光器件的方法包括:在第一电极上设置包括半导体纳米颗粒的光发射层;将包括锌氧化物纳米颗粒的组合物施加到所述光发射层上以形成电子传输层,所述锌氧化物纳米颗粒包括不同于锌的第一金属和碱金属;和在所述电子传输层上设置第二电极以制造所述电致发光器件,其中所述锌氧化物纳米颗粒的制备包括:将在溶剂中包括锌前体和第一金属前体的第一溶液与第二碱以及任选地第一碱混合以制备所述锌氧化物纳米颗粒,其中所述第一碱包括含有C1‑C50有机基团的有机碱,并且所述第二碱包括包含所述碱金属的无机碱。
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