公开(公告)号：CN108807409B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201810386342.X

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔至薰 ,  金成吉 ,  金智美 ,  金泓奭 ,  南泌旭 ,  安宰永

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其可包括衬底、包含堆叠在衬底上的电极的电极结构、穿透至少部分电极结构的上部半导体图案以及位于衬底与上部半导体图案之间的下部半导体图案。上部半导体图案包含间隙填充部分以及从间隙填充部分在远离衬底的方向上延伸的侧壁部分，下部半导体图案包含凹形顶部表面，间隙填充部分填充由凹形顶部表面所包封的区域，间隙填充部分的顶部表面具有朝向衬底变形的圆形形状，且侧壁部分的厚度小于间隙填充部分的厚度。

公开(公告)号：CN108807409A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810386342.X

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔至薰 ,  金成吉 ,  金智美 ,  金泓奭 ,  南泌旭 ,  安宰永

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其可包括衬底、包含堆叠在衬底上的电极的电极结构、穿透至少部分电极结构的上部半导体图案以及位于衬底与上部半导体图案之间的下部半导体图案。上部半导体图案包含间隙填充部分以及从间隙填充部分在远离衬底的方向上延伸的侧壁部分，下部半导体图案包含凹形顶部表面，间隙填充部分填充由凹形顶部表面所包封的区域，间隙填充部分的顶部表面具有朝向衬底变形的圆形形状，且侧壁部分的厚度小于间隙填充部分的厚度。

公开(公告)号：CN107768446A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710722606.X

申请日：2017-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南泌旭 ,  金亨俊 ,  金成吉 ,  崔至薰 ,  金智美 ,  金泓奭 ,  安宰永

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364

Abstract: 一种半导体器件可以包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层、穿透栅电极和层间绝缘层的沟道层、在栅电极与沟道层之间的栅极电介质层、填充沟道层的内部的至少一部分的填充绝缘体、在沟道层与填充绝缘体之间并且包括高k材料和/或金属的电荷固定层、以及连接到沟道层并在填充绝缘体上的导电焊盘。导电焊盘可以与电荷固定层物理分离。

公开(公告)号：CN109494227B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201811040526.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  李相受 ,  金智美 ,  金泓奭 ,  卢镇台 ,  崔至薰 ,  安宰永 ,  李商勋

IPC: H10B41/27

Abstract: 一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。

公开(公告)号：CN112670293A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011024561.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  金成珍 ,  金智美 ,  金廷奂 ,  金赞炯

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层；竖直沟道结构，其穿透堆叠结构；以及导电焊盘，其位于竖直沟道结构上。竖直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的竖直介电图案。半导体图案的上部包括包含卤素元素的杂质区。半导体图案的上部与导电焊盘相邻。

公开(公告)号：CN112420723A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010836465.6

申请日：2020-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  金成珍 ,  金智美 ,  金廷奂 ,  金赞炯

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种三维半导体装置，包括：导电层，其位于衬底上并且包括第一导电类型的杂质；基体层，其位于导电层上；堆叠件，其包括下绝缘膜以及位于下绝缘膜上的栅电极和模制绝缘层，其中，基体层包括高介电材料；竖直结构，其包括穿过堆叠结构的竖直沟道层和设置在竖直沟道层与多个栅电极之间的竖直绝缘层，竖直结构在绝缘基体层中具有在宽度方向上延伸的延伸区域；以及隔离结构，其穿过堆叠结构、绝缘基体层和导电层，并且在与衬底的上表面平行的方向上延伸，其中，导电层具有延伸部分，延伸部分在竖直结构的延伸区域中沿着竖直沟道层的表面延伸。

公开(公告)号：CN112151552A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010545433.0

申请日：2020-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  金智美 ,  金东谦 ,  金成珍 ,  金廷奂 ,  金赞炯 ,  崔至薰

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种垂直半导体装置，可以包括堆叠结构、沟道结构和下部连接结构。堆叠结构可以包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。堆叠结构可以与衬底的上表面间隔开。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道结构可以穿过堆叠结构。下部连接结构可以形成在衬底上。下部连接结构可以与沟道和衬底电连接。下部连接结构的侧壁可以包括突出部，该突出部设置在从衬底的上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处。该垂直半导体装置可以具有高可靠性。

公开(公告)号：CN110518014A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910417914.0

申请日：2019-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李尚勋 ,  金成吉 ,  金智美 ,  申华彦 ,  李晙硕 ,  洪慧垠

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上顺序地形成牺牲图案和源极导电层，在所述源极导电层上形成包括多个绝缘层和多个牺牲层的模具结构，形成穿透所述模具结构的多个垂直结构，形成穿透所述模具结构的沟槽，在所述沟槽的侧壁上形成牺牲隔离物，移除所述牺牲图案以形成水平凹陷区，移除所述牺牲隔离物，以及形成填充所述水平凹陷区的源极导电图案。

公开(公告)号：CN110010613A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811493187.8

申请日：2018-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔至薰 ,  金东谦 ,  金成吉 ,  金智美 ,  李相受 ,  洪慧垠

IPC: H01L27/11556

Abstract: 一种三维半导体存储器件，包括：电极结构，其包括垂直堆叠在半导体层上的电极；垂直半导体图案，其穿透电极结构并连接到半导体层；以及垂直绝缘图案，其在电极结构与垂直半导体图案之间。垂直绝缘图案包括在电极结构的侧壁上的侧壁部分以及沿着半导体层的顶表面的一部分从侧壁部分延伸的突起。垂直半导体图案包括：垂直沟道部分，其具有第一厚度并沿着垂直绝缘图案的侧壁部分延伸；以及接触部分，其从垂直沟道部分延伸并沿着垂直绝缘图案的突起和半导体层的顶表面共形地延伸。接触部分具有大于第一厚度的第二厚度。