公开(公告)号：CN110416061A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910292773.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善英 ,  康珉材 ,  金娟 ,  金台原 ,  卓容奭 ,  金善政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

公开(公告)号：CN109003914A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810567895.5

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  金傔 ,  金利桓 ,  金善政 ,  朴判贵 ,  柳廷昊

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4585 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/67011

Abstract: 半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。

公开(公告)号：CN108511525A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201710748871.5

申请日：2017-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  李炫姃 ,  金善政 ,  李承勋 ,  朴金锡 ,  赵南奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。

公开(公告)号：CN107452799A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710362546.5

申请日：2017-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承勋 ,  金东宇 ,  徐东灿 ,  金善政

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/775 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66477

Abstract: 本公开涉及晶体管及半导体器件。一种晶体管包括漏极、源极、栅电极以及源极和漏极之间的纳米线。该纳米线具有有第一厚度的第一部分和有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。第二部分在第一部分与源极和漏极中的至少一个之间。当电压被施加到栅电极时，第一纳米线包括沟道。

公开(公告)号：CN106057891A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610197247.6

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  李承勋 ,  金善政 ,  李炫姃 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/785 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1037

Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。

公开(公告)号：CN105826387A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610037286.X

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩惠 ,  金善政 ,  李承勋 ,  李炫姃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1033

Abstract: 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。

公开(公告)号：CN102832220B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210194507.6

申请日：2012-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  金善政

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G11C11/16 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/71 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/101 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明涉及具有双交叉点阵列的三维半导体存储器器件及其制造方法。该器件可以包括布置在不同垂直层面以限定两个交叉点的第一、第二和第三导线，以及分别布置在这两个交叉点处的两个存储器单元。所述第一和第二导线可以彼此平行地延伸，所述第三导线可以延伸成与所述第一和第二导线交叉。在垂直截面视图中，所述第一和第二导线可以沿着所述第三导线的长度交替设置，并且所述第三导线可以在垂直方向上与所述第一和第二导线间隔开。