公开(公告)号：CN100442548C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410098366.3

申请日：2004-12-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 郭准燮 ,  成泰连 ,  赵济熙 ,  宋俊午 ,  林东皙 ,  金显秀

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。

公开(公告)号：CN100421320C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200310124342.6

申请日：2003-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭准燮 ,  蔡秀熙

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/0224 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

Abstract: 公开一种半导体激光二极管及包含其的半导体激光二极管组件，可以分散在将芯片倒装焊接至辅助底座时集中在脊波导上的应力。该激光二极管包括第一材料层、有源层、和第二材料层，其特征在于该半导体激光二极管包括：脊波导，其被形成为脊形并位于第二材料层的上方以定义出通道，使得第二材料层的顶部材料层被有限地暴露出来，和其中形成了经由通道与第二材料层的顶部材料层接触的第二电极层；和第一突起，其位于脊波导的一侧并且其高度不低于脊波导的高度，其中该脊波导的另一侧形成有该第一材料层的底部材料层的露出表面，并且在该露出表面与第二材料的顶部表面之间存在台阶高度，其中第二突起形成在该露出表面上并具有不低于该脊波导的高度。

公开(公告)号：CN100391014C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200410062143.1

申请日：2004-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元硕 ,  河镜虎 ,  郭准燮 ,  白好善 ,  李成男 ,  司空坦

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。

公开(公告)号：CN100391013C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200310116177.X

申请日：2003-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭准燮

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种用于制造氮化镓(GaN)半导体发光器件的方法。该发光器件制造方法包括：在发出光的有源层上形成至少一层P型化合物半导体层，并在该P型化合物半导体层上形成一P型电极，在有源层上形成P型化合物半导体层之后，对所得到的结构进行两次退火，在退火后的P型化合物半导体层上形成P型电极。经过两次退火，P型GaN层的电阻变低，即使P型电极由单层金属构成的情况，P型GaN层与P型电极之间的接触电阻也变低，且发光器件的驱动电压也得以降低。当采用本方法时，发光器件的P型电极可以采用各种工艺由各种不同的材料制成。

公开(公告)号：CN1612300A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410087995.6

申请日：2004-10-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 郭准燮 ,  成泰连 ,  南玉铉 ,  宋俊午 ,  林东皙

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III－V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III－V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。

公开(公告)号：CN1604347A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410078693.2

申请日：2004-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭准燮 ,  金锺完 ,  蔡秀熙

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种光发射器件组件。该光发射器件组件包括：一包含凸起的基底，每个凸起含有结合表面和包围结合表面的侧表面；一包含焊盘的光发射器件，每个焊盘含有与对应凸起的结合表面相对应的结合表面。此处，每个凸起的结合表面的边缘与对应焊盘的边缘向内隔开预定距离。

公开(公告)号：CN1581528A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410062143.1

申请日：2004-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元硕 ,  河镜虎 ,  郭准燮 ,  白好善 ,  李成男 ,  司空坦

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。